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发明公开
形成半导体器件的精细图案的方法无效

公开(公告)号：CN102169825A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110036452.1

申请日：2011-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张钟光 , 吴怜默 , 南瑞祐 , 全祐撤 , 李周范 , 李命柱

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0338

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：提供可图案化层；在可图案化层上形成多个第一光致抗蚀剂层图案；在可图案化层和多个第一光致抗蚀层图案上形成界面层；在界面层上形成平坦化层；在平坦化层上形成多个第二光致抗蚀剂层图案；利用多个第二光致抗蚀剂层图案形成多个平坦化层图案；利用多个平坦化层图案和多个第一光致抗蚀剂层图案形成多个层图案。

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