公开(公告)号：CN110073035B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201780069366.6

申请日：2017-11-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 野村匠 ,  小林涉 ,  神田和辉

IPC: C23F4/02 ,  B23K26/00 ,  B23K26/354 ,  B29C65/00 ,  B29C65/70

Abstract: 一种金属构件，其具有金属基材(10)和形成于凹凸层上的网眼状的金属多孔层(12)，所述金属基材(10)具有一面(10a)，由金属材料构成，并且具有从一面被制成由凹凸形状构成的凹凸层(11)的区域。一种金属构件，其将凹凸层的凹凸形状中的在相对于一面的法线方向上突出的部分设定为凸部，构成凹凸层的多个凸部的平均高度低于100μm。一种金属构件，其将相对于下述切线的法线方向设定为凹凸法线方向，所述切线为相对于凹凸层中的与金属多孔层的界面即凹凸表面(11a)的切线，金属多孔层的凹凸法线方向上的厚度低于1μm。

公开(公告)号：CN107004662B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580066323.3

申请日：2015-12-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 林英二 ,  小林涉 ,  野村英司 ,  神田和辉

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/40

Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(11、11H、11L)，在一面(11a)具有电极(12)；上述半导体芯片的一面侧的第1导电部件(23、23H、23L)；金属部件(18、18H、18L)，具有基材(19a)和被膜(19b)，并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间；上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间的第1焊料(17)；以及上述金属部件与上述第1导电部件之间的第2焊料(22)。上述被膜具有上述基材的表面上的金属薄膜(20)和凹凸氧化膜(21、31、32)。上述凹凸氧化膜在上述金属部件的表面中的、将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分，配置在上述金属薄膜上。

公开(公告)号：CN109891575A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780063832.X

申请日：2017-08-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小林涉 ,  神田和辉

IPC: H01L23/28 ,  B23K26/00 ,  B23K26/354 ,  B29C65/00 ,  H01L23/50

Abstract: 电子装置(1)具备：支承部件(2)，具有搭载面(23)和密封面(24)，该搭载面(23)为与导电性接合层接合的金属质表面，该密封面(24)是以在搭载面的面内方向上与搭载面邻接、并且包围搭载面的方式设于搭载面的外侧的金属质表面；以及树脂部件(5)，是合成树脂成形体，覆盖电子部件，并且与密封面接合。密封面具有由多个大致圆形状的激光照射痕(26)形成的粗糙面(25)。粗糙面包含第一区域(28)和第二区域(29)，该第二区域(29)的面内方向上的激光照射痕的密度高于第一区域的面内方向上的激光照射痕的密度。

公开(公告)号：CN107004662A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066323.3

申请日：2015-12-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 林英二 ,  小林涉 ,  野村英司 ,  神田和辉

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/40

Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(11、11H、11L)，在一面(11a)具有电极(12)；上述半导体芯片的一面侧的第1导电部件(23、23H、23L)；金属部件(18、18H、18L)，具有基材(19a)和被膜(19b)，并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间；上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间的第1焊料(17)；以及上述金属部件与上述第1导电部件之间的第2焊料(22)。上述被膜具有上述基材的表面上的金属薄膜(20)和凹凸氧化膜(21、31、32)。上述凹凸氧化膜在上述金属部件的表面中的、将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分，配置在上述金属薄膜上。

公开(公告)号：CN105722633A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480060594.3

申请日：2014-11-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小林涉 ,  林英二 ,  神田和辉

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/359 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52

CPC classification number: B23K26/359 ,  B23K26/00 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/354 ,  B23K26/355 ,  B23K26/3584 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/08 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2924/40102 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的在于通过较以往为低能量密度的能量束来形成能够确保金属构件与其他构件的密合性的粗糙面或者可以抑制金属构件中的软钎料的扩散的粗糙面。本发明的基材(21)的表面上设有金属薄膜(22)的金属构件(2)的表面加工方法具有通过对所述金属薄膜的表面(22a)以脉冲宽度为1μ秒以下照射能量密度为100J/cm2以下的脉冲振荡的激光束、从而使所述金属薄膜的表面部分熔融或蒸发、在所述熔融或蒸发之后使所述金属薄膜的表面部分凝固、从而将所述金属薄膜的表面进行粗糙化，所述金属薄膜由以Ni、Au、Pd、Ag中的至少1种为主成分的材料所构成。