公开(公告)号：CN111785694A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201910271303.X

申请日：2019-04-04

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  熊仓弘道 ,  马场良平 ,  山田辽太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN111785693A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201910270551.2

申请日：2019-04-04

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  田中雄季 ,  熊仓弘道 ,  马场良平 ,  山田辽太

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括从所述基板表面起依次层叠设置的氧化膜、磷硅酸盐玻璃(PSG)以及第一非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN109309118A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201710670126.3

申请日：2017-08-08

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 川口博子 ,  鹿内洋志 ,  熊仓弘道 ,  工藤真二 ,  田中雄季

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0684 ,  H01L21/0455

Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。

公开(公告)号：CN108987456A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710437128.8

申请日：2017-06-12

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  大野阳平 ,  保立伦则 ,  熊仓弘道

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。