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公开(公告)号：CN101789445A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200911000022.3
申请日：2009-12-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/808 , H01L27/07 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316
Abstract: 本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。
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公开(公告)号：CN101147324B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680009011.X
申请日：2006-03-22
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K17/06 , H02M7/5387
CPC classification number: H03K19/018507 , H02M7/538 , H03K17/063
Abstract: 本发明提供一种电平移位电路以及电源装置。在具有由连接到浮动电源的电极间的Pch型晶体管和Nch型晶体管的串联电路构成的反相电路、以及在反相电路的输入端子与接地之间连接了漏极端子和源极端子的晶体管Q1的电平移位电路中，在浮动电源的一方的端子与所述晶体管Q1的漏极之间，连接晶体管Q2的漏极端子和源极端子，在晶体管Q2的控制端子和接地之间，连接晶体管Q3的漏极端子与源极端子。
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公开(公告)号：CN101147324A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009011.X
申请日：2006-03-22
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K17/56 , H02M7/5387
CPC classification number: H03K19/018507 , H02M7/538 , H03K17/063
Abstract: 本发明提供一种电平移位电路以及电源装置。在具有由连接到浮动电源的电极间的Pch型晶体管和Nch型晶体管的串联电路构成的反相电路、以及在反相电路的输入端子与接地之间连接了漏极端子和源极端子的晶体管Q1的电平移位电路中，在浮动电源的一方的端子与所述晶体管Q1的漏极之间，连接晶体管Q2的漏极端子和源极端子，在晶体管Q2的控制端子和接地之间，连接晶体管Q3的漏极端子与源极端子。
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公开(公告)号：CN100350256C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200510055596.6
申请日：2005-03-22
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: G01R19/165 , B60K6/20
CPC classification number: G01R31/3658 , H01L2924/0002 , H01M6/42 , H01M10/42 , H01M10/4264 , H01L2924/00
Abstract: 一种电压测量装置包括，连接到电池组(1)的电压测量单元(2)、连接到电压测量单元(2)的电压转换单元(3)、和控制器(4)，所述控制器(4)根据电压转换单元(3)的输出而控制电压测量单元(2)的操作。所述电压测量单元(2)包括构成连接到电池组(1)中电压源Vcn两端的第一开关组的Pch-MOSFET元件P1和P2、连接在元件P1和P2之间的电容器Cn、和构成第二开关组的Nch-MOSFET元件N3和N4，所述第二开关组连接到电容器Cn的两端和电压输出端的两端。第二开关组的Nch-MOSFET元件N3的源极和背栅极彼此互连。
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公开(公告)号：CN1677114A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510055596.6
申请日：2005-03-22
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: G01R19/165 , B60K6/02
CPC classification number: G01R31/3658 , H01L2924/0002 , H01M6/42 , H01M10/42 , H01M10/4264 , H01L2924/00
Abstract: 一种电压测量装置包括，连接到电池组(1)的电压测量单元(2)、连接到电压测量单元(2)的电压转换单元(3)、和控制器(4)，所述控制器(4)根据电压转换单元(3)的输出而控制电压测量单元(2)的操作。所述电压测量单元(2)包括构成连接到电池组(1)中电压源Vcn两端的第一开关组的Pch－MOSFET元件P1和P2、连接在元件P1和P2之间的电容器Cn、和构成第二开关组的Nch－MOSFET元件N3和N4，所述第二开关组连接到电容器Cn的两端和电压输出端的两端。第二开关组的Nch－MOSFET元件N3的源极和背栅极彼此互连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104427719B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410409540.5
申请日：2014-08-19
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供LED驱动电路，其为使用宽禁带半导体作为开关元件并进行了高频化的降压斩波电路，在该降压斩波电路中，即使存在输入电压变动也能够维持恒流特性。作为解决手段，提供通过直流输出以恒流点亮LED的LED驱动电路(10a)，所述直流输出是利用基于常通型的第1开关元件(Q1)的接通断开动作的电抗器(L)的充放电而生成的，LED驱动电路(10a)具有对流过电抗器(L)的电抗器电流的平均值进行检测的平均值检测电路(跨导放大器OTA、和与跨导放大器OTA的输出端子连接的电容器Ccomp)，并根据由平均值检测电路检测到的电抗器电流的平均值控制使第1开关元件(Q1)断开的时机。
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公开(公告)号：CN104427721B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410411953.7
申请日：2014-08-20
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明提供LED驱动电路，其能够在不点亮LED的待机时供给微型计算机用的电源。LED驱动电路具有：恒流控制信号输出电路(电流检测电阻Rs)，其输出与流过电抗器(L)的电抗器电流对应的恒流控制信号；恒压控制信号输出电路(CV)，其输出与输出电压(Vout)对应的恒压控制信号；以及控制电路(Ta)，其在未被输入待机信号的通常动作时，通过恒流控制信号对LED电流进行恒流控制，在被输入了待机信号的待机动作时，通过恒压控制信号恒压控制成比LED阵列(LD)的点亮电压低的输出电压(Vout)。
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公开(公告)号：CN104427721A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410411953.7
申请日：2014-08-20
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明提供LED驱动电路，其能够在不点亮LED的待机时供给微型计算机用的电源。LED驱动电路具有：恒流控制信号输出电路(电流检测电阻Rs)，其输出与流过电抗器(L)的电抗器电流对应的恒流控制信号；恒压控制信号输出电路(CV)，其输出与输出电压(Vout)对应的恒压控制信号；以及控制电路(Ta)，其在未被输入待机信号的通常动作时，通过恒流控制信号对LED电流进行恒流控制，在被输入了待机信号的待机动作时，通过恒压控制信号恒压控制成比LED阵列(LD)的点亮电压低的输出电压(Vout)。
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公开(公告)号：CN100468929C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200580023252.5
申请日：2005-09-20
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M7/5387
CPC classification number: H03K19/018557 , H02M1/08 , H02M7/538 , H03K17/162 , H03K17/6871
Abstract: 驱动装置的电位状态检测电路(29)根据第一电阻(13)与第三电阻(15)的连接点(17)、第三电阻(15)与第一控制用MOSFET(8)的连接点(18)、第二电阻(14)与第四电阻(16)的连接点(19)以及第四电阻(16)与第二控制用MOSFET(9)的连接点(20)的电位差，将信号给予驱动电路(30)，驱动电路(30)基于第一串联电路(11)与第二串联电路(12)的电位，给第一MOSFET(1)的控制端以驱动信号，给负载(4)供电。此时，当适当地设定第一电阻(13)、第二电阻(14)、第三电阻(15)、第四电阻(16)的电阻值，即使产生因急剧电位上升带来的异常信号或噪声，电位状态检测电路(29)也可检测各连接点(17-20)的电位，并可靠地产生输出来防止驱动电路(30)的误操作。
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公开(公告)号：CN100461401C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510054424.7
申请日：2005-03-10
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 岩渕昭夫
IPC: H01L25/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，包括：由导电性材料形成的第一支持板(11)，在第一支持板(11)上粘贴其一个主表面的第一半导体开关元件(1)，由导电性材料形成、并且粘贴在第一半导体开关元件(1)的另一个主表面上的第二支持板(12)，在第二支持板(12)上粘贴其一个主表面的第二半导体开关元件(2)，由导电性材料形成且粘贴在上述第二半导体开关元件(2)的另一个主表面上的第三支持板(13)，以及粘贴在该第三支持板(13)上的控制元件(5)。第一支持板(11)和第二支持板(12)分别具有与控制元件(5)电连接的引线端子(21a、21b、21c、22a、22b)，上述控制元件(5)交替地对上述第一半导体开关元件(1)和第二半导体开关元件(2)进行导通·截止控制。
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