公开(公告)号：CN1820374A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200580000611.5

申请日：2005-02-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 岩渊昭夫 ,  相泽和也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095

Abstract: 一种半导体器件，包括：P－型半导体衬底(15)；在P－型半导体衬底(15)上形成的N型半导体区(21)；在N型半导体区(21)的表面区域形成、且与接地电极(1)电连接的上侧P型半导体区(13)；在上侧P型半导体区(13)之下形成的下侧P型半导体区(14)；与漏电极(2)电连接的第1 N+型半导体区(22)；起沟道形成区作用的P型半导体区(19)；与背栅电极(5)电连接的P+型半导体区(12)；与源电极(4)电连接的第2 N+型半导体区(23)；以及P型半导体区(19)上的栅电极(3)和栅绝缘膜(31)；下侧P型半导体区(14)延伸到第1 N+型半导体区(22)侧。

公开(公告)号：CN100350256C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200510055596.6

申请日：2005-03-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 岩渕昭夫 ,  相泽和也

IPC: G01R19/165 ,  B60K6/20

CPC classification number: G01R31/3658 ,  H01L2924/0002 ,  H01M6/42 ,  H01M10/42 ,  H01M10/4264 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电压测量装置包括，连接到电池组(1)的电压测量单元(2)、连接到电压测量单元(2)的电压转换单元(3)、和控制器(4)，所述控制器(4)根据电压转换单元(3)的输出而控制电压测量单元(2)的操作。所述电压测量单元(2)包括构成连接到电池组(1)中电压源Vcn两端的第一开关组的Pch-MOSFET元件P1和P2、连接在元件P1和P2之间的电容器Cn、和构成第二开关组的Nch-MOSFET元件N3和N4，所述第二开关组连接到电容器Cn的两端和电压输出端的两端。第二开关组的Nch-MOSFET元件N3的源极和背栅极彼此互连。

公开(公告)号：CN1677114A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510055596.6

申请日：2005-03-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 岩渕昭夫 ,  相泽和也

IPC: G01R19/165 ,  B60K6/02

CPC classification number: G01R31/3658 ,  H01L2924/0002 ,  H01M6/42 ,  H01M10/42 ,  H01M10/4264 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电压测量装置包括，连接到电池组(1)的电压测量单元(2)、连接到电压测量单元(2)的电压转换单元(3)、和控制器(4)，所述控制器(4)根据电压转换单元(3)的输出而控制电压测量单元(2)的操作。所述电压测量单元(2)包括构成连接到电池组(1)中电压源Vcn两端的第一开关组的Pch－MOSFET元件P1和P2、连接在元件P1和P2之间的电容器Cn、和构成第二开关组的Nch－MOSFET元件N3和N4，所述第二开关组连接到电容器Cn的两端和电压输出端的两端。第二开关组的Nch－MOSFET元件N3的源极和背栅极彼此互连。