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公开(公告)号：CN103608924B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280018536.5
申请日：2012-04-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/24 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。
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公开(公告)号：CN103582953B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280006660.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , C01G19/00
CPC classification number: C01G19/00 , C01G19/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
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公开(公告)号：CN103582953A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280006660.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , C01G19/00
CPC classification number: C01G19/00 , C01G19/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113169134A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077735.5
申请日：2019-08-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供属于对重布线层的形成有用的片形式、并且可以高效地进行之后形成的重布线层的电检查的层叠片。该层叠片具备：带剥离功能的载体、在带剥离功能的载体上设置的第1导电膜、在第1导电膜上设置的绝缘膜、和在绝缘膜上设置的第2导电膜，第2导电膜用于重布线层的形成，并且，第1导电膜、绝缘膜以及第2导电膜作为用于进行重布线层的电检查的电容器发挥作用。
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公开(公告)号：CN112969581A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980073928.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种层叠体，其即使在低温和高温的任一温度条件下进行热处理也能够抑制剥离层所具有的剥离功能降低。该层叠体具备：载体；密合层，其设置于载体上，包含具有负标准电极电位的金属M1；剥离辅助层，其设置于密合层的与载体相反的面侧，包含金属M2(M2为除碱金属和碱土金属以外的金属)；剥离层，其设置于剥离辅助层的与密合层相反的面侧；以及金属层，其设置于剥离层的与剥离辅助层相反的面侧，其中，剥离辅助层的厚度T2相对于密合层的厚度T1的比即T2/T1大于1且为20以下。
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公开(公告)号：CN112969580A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980073906.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种带载体的金属箔，其载体的剥离性及金属层的选择蚀刻性优异，使用其制造的半导体封装体(例如毫米波天线基板)能够实现传输损耗及电阻的降低。该带载体的金属箔具备：(a)载体；(b)剥离功能层，其设置在载体上；以及(c)复合金属层，其设置在剥离功能层上，所述(b)剥离功能层包含：(b1)密合层，其在靠近载体的一侧，厚度大于10nm且小于200nm；以及(b2)剥离辅助层，其在远离载体的一侧，厚度为50nm以上且500nm以下，所述(c)复合金属层包含：(c1)碳层，其在靠近剥离辅助层的一侧；以及(c2)第1金属层，其在远离剥离辅助层一侧，主要由Au或Pt构成。
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公开(公告)号：CN111511544A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201980006743.0
申请日：2019-03-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 石井林太郎
Abstract: 提供确保铜层整面中的电导通、并且即使小型化铜层在切断部位也不易剥离、容易形成期望的电路图案、而且能够理想地实现细间距的电路安装基板的带玻璃载体的铜箔。该带玻璃载体的铜箔具备：玻璃载体、设置于玻璃载体上的剥离层、和设置于剥离层上的铜层。剥离层具有能够使玻璃载体与铜层彼此剥离的功能，带玻璃载体的铜箔具有：存在剥离层的多个可剥离区域、和不存在剥离层的不能剥离区域，不能剥离区域被设置成划分多个可剥离区域的图案状。
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公开(公告)号：CN103608924A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280018536.5
申请日：2012-04-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/24 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。
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