公开(公告)号：CN103608924A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280018536.5

申请日：2012-04-06

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 德地成纪 ,  石井林太郎 ,  附田龙马 ,  久保田高史 ,  高桥广己

IPC: H01L29/786 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/24 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6586 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。