公开(公告)号：CN112912171A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980070118.2

申请日：2019-10-24

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 梶田浩之 ,  木下和也 ,  伊东纯一 ,  黑崎敦

IPC: B01J20/06 ,  B01J20/30 ,  C01F17/235 ,  C01F17/206 ,  C02F1/58

Abstract: 本发明提供能够使氟吸附容量、穿透时间较以往提高的吸附材料，特别是提供能够适合作为氟吸附材料来使用的吸附材料。本发明涉及一种吸附材料，其包含稀土化合物颗粒，该稀土化合物颗粒是包含稀土碳酸氧盐或之水合物而成的。

公开(公告)号：CN103597054B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201280026399.X

申请日：2012-08-07

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 篠仓明日香 ,  伊东纯一 ,  稻村昌晃 ,  熊谷彰记 ,  清水春香

IPC: C09K11/56 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/44 ,  C09K11/025 ,  C09K11/7731 ,  H01L31/055 ,  H01L33/502 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明为了提供改善了耐湿性的新的CaS:Eu系红色荧光体，提出了在通式CaS:Eu表示的红色荧光体中含有相对于CaS为0.001～1.00摩尔%的Ba而成的红色荧光体。

公开(公告)号：CN102471684A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080036249.8

申请日：2010-06-02

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 篠仓明日香 ,  伊东纯一 ,  森中泰三

IPC: C09K11/62

CPC classification number: C09K11/7731 ,  C09K11/625 ,  C09K11/7703 ,  C09K11/7718

Abstract: 本发明提供荧光体，其被青色LED或近紫外LED所激发而发出可见光，可提高内量子效率。本发明提出了一种荧光体，其为含有含Ga和S的斜方晶结晶的荧光体，该荧光体的特征在于：在上述斜方晶结晶的使用了CuKα射线的XRD图谱中，在衍射角2θ＝16.0～18.0°出现的最大峰的衍射强度相对于在衍射角2θ＝23.6～24.8°出现的最大峰的衍射强度的比例为0.4以上。

公开(公告)号：CN108603111B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201780010951.9

申请日：2017-02-14

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 小泽行弘 ,  森崇好 ,  佐藤理子 ,  伊东纯一

IPC: C09K11/59 ,  C09D7/61 ,  C09D201/00 ,  H01L33/50 ,  C09D5/29

Abstract: 提供能够被宽频带的可见光激发而发出宽的荧光光谱、并且以高强度发出近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体，其特征在于，其为含有Ca、Cu及Si的氧化物，并且前述元素的含有摩尔比为：0.15≤Ca/Si

公开(公告)号：CN107109218B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201680004613.X

申请日：2016-02-10

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 伊东纯一 ,  小泽行弘 ,  森崇好

IPC: C09K11/59 ,  C09D5/22 ,  C09D201/00

Abstract: 本发明提供被宽频带的可见光激发、能够发出高强度的近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体，其特征在于，包含式(1)：MCuSi2O6(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相和式(2)：MCuSi4O10(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相，并且，在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中，MCuSi4O10的衍射峰强度相对于MCuSi2O6的衍射峰强度的比率β为0

公开(公告)号：CN106164217B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580016812.8

申请日：2015-01-15

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 稻村昌晃 ,  清水春香 ,  森崇好 ,  佐藤正德 ,  伊东纯一

IPC: C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/64 ,  H01L31/055 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/025 ,  C09K11/7718 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7786 ,  H01L31/055 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明提供能够提高荧光体的耐水性、且有效地抑制硫系气体的不良影响、能够有效地抑制金属构件的腐蚀的荧光体。提供一种荧光体，其在母体中包含硫的含硫荧光体的表面具备包含结晶性的金属硼酸盐的颗粒或层，所述结晶性的金属硼酸盐含有IIA族元素、硼和氧。

公开(公告)号：CN108603111A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780010951.9

申请日：2017-02-14

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 小泽行弘 ,  森崇好 ,  佐藤理子 ,  伊东纯一

IPC: C09K11/59 ,  C09D7/61 ,  C09D201/00 ,  H01L33/50 ,  C09D5/29

Abstract: 提供能够被宽频带的可见光激发而发出宽的荧光光谱、并且以高强度发出近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体，其特征在于，其为含有Ca、Cu及Si的氧化物，并且前述元素的含有摩尔比为：0.15≤Ca/Si

公开(公告)号：CN107109218A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004613.X

申请日：2016-02-10

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 伊东纯一 ,  小泽行弘 ,  森崇好

IPC: C09K11/59 ,  C09D7/12 ,  C09D201/00

Abstract: 本发明提供被宽频带的可见光激发、能够发出高强度的近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体，其特征在于，包含式(1)：MCuSi2O6(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相和式(2)：MCuSi4O10(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相，并且，在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中，MCuSi4O10的衍射峰强度相对于MCuSi2O6的衍射峰强度的比率β为0

公开(公告)号：CN101437922A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016693.1

申请日：2007-05-17

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 矢野智泰 ,  篠仓明日香 ,  伊东纯一

IPC: C09K11/59 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明提供一种白色荧光体，该白色荧光体由单一材料构成，发光中心为除Mn以外的一种元素，在近紫外光激发下能够发出显色性优异的白色光。该白色荧光体的特征在于，其以式SraSbMgcZndSieOf:Eu2+(其中，e＝1时，0＜(c+d)/(a+c+d)≤0.2、1.8≤a+c+d≤2.2、0≤b/(b+f)≤0.07、3.0≤b+f≤4.4)表示，其中优选的一实例是以组成式(SrO1－αSα)x·(Mg1－βZnβO)y(SiO2)z:Eu2+(式中，4.5≤x/y≤27.5、3≤z/y≤14.5、0≤α≤0.3、0≤β≤0.7)表示的白色荧光体。