硫化锂的制造方法

    公开(公告)号:CN115734942A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202180044404.9

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明的目的在于,提供可制造高纯度的硫化锂的方法。本发明的硫化锂的制造方法具备:使用包含碳(C)元素的还原剂将包含锂(Li)元素和硫(S)元素的原料还原,从而得到中间产物的第1工序;和,使用还原性气体将所述中间产物还原,从而得到硫化锂的第2工序。优选在非活性气体气氛下进行第1工序。也优选在700℃以上且850℃以下的温度条件下进行第1工序。也优选在830℃以上且930℃以下的温度条件下进行第2工序。

    废气净化用催化剂
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111867724A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201880091310.5

    申请日:2018-08-23

    Abstract: 一种具有第1催化剂层(12)的废气净化用催化剂,其中,第1催化剂层(12)沿废气的流动方向具有第一分区(14)和第二分区(15),第一分区(14)与第二分区(15)相比位于废气的流动方向的上游侧,第一分区(14)和第二分区(15)均具有包含特定元素的催化活性成分,所述特定元素的浓度为第一分区(14)高于第二分区(15),第一分区(14)中的催化剂层(12)的厚度方向上的所述特定元素的浓度梯度相对于第二分区(14)的该厚度方向上的所述特定元素的浓度梯度是平缓的。

    硫化锂的制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115734942B

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202180044404.9

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明的目的在于,提供可制造高纯度的硫化锂的方法。本发明的硫化锂的制造方法具备:使用包含碳(C)元素的还原剂将包含锂(Li)元素和硫(S)元素的原料还原,从而得到中间产物的第1工序;和,使用还原性气体将所述中间产物还原,从而得到硫化锂的第2工序。优选在非活性气体气氛下进行第1工序。也优选在700℃以上且850℃以下的温度条件下进行第1工序。也优选在830℃以上且930℃以下的温度条件下进行第2工序。

    荧光体及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118742622A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202380022917.9

    申请日:2023-02-22

    Abstract: 一种荧光体,其为用氧化铝覆盖的荧光体,其中,在1H‑NMR波谱中,在1H化学位移值为0.5ppm以上且11ppm以下的范围内将波谱进行峰分离,将峰顶的1H化学位移值为4.0ppm以上且5.5ppm以下的峰设为峰1、将峰顶的1H化学位移值为2.0ppm以上且2.8ppm以下的峰设为峰2、将峰顶的1H化学位移值为0.5ppm以上且1.5ppm以下的峰设为峰3时,相对于在1H化学位移值为‑2ppm以上且12ppm以下的范围内的峰1的积分值S1与峰2的积分值S2与峰3的积分值S3的合计值的、所述范围内的峰2的积分值S2之比S2/(S1+S2+S3)为0.39以下。

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