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发明公开
荧光体及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118742622A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380022917.9

申请日：2023-02-22

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 吉田和真 , 稻村昌晃 , 相马健太郎 , 大桥竜太郎 , 田平泰规

IPC: C09K11/08

Abstract: 一种荧光体，其为用氧化铝覆盖的荧光体，其中，在1H‑NMR波谱中，在1H化学位移值为0.5ppm以上且11ppm以下的范围内将波谱进行峰分离，将峰顶的1H化学位移值为4.0ppm以上且5.5ppm以下的峰设为峰1、将峰顶的1H化学位移值为2.0ppm以上且2.8ppm以下的峰设为峰2、将峰顶的1H化学位移值为0.5ppm以上且1.5ppm以下的峰设为峰3时，相对于在1H化学位移值为‑2ppm以上且12ppm以下的范围内的峰1的积分值S1与峰2的积分值S2与峰3的积分值S3的合计值的、所述范围内的峰2的积分值S2之比S2/(S1+S2+S3)为0.39以下。

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