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公开(公告)号:CN117043399A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202280022835.X
申请日:2022-02-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C30B29/22
Abstract: 层叠体(10)具备基板(11)、以及位于基板(11)上的氧化物部位(13)。构成氧化物部位(13)的氧化物包含至少两种以上的稀土元素、硅以及氧,在X射线衍射图谱中于2θ=51.9°±0.9°的位置观察到源自(004)面的衍射峰位于,并且,具有磷灰石型的晶体结构。所述氧化物的a轴方向的线膨胀系数相对于基板(11)的线膨胀系数的比为0.15以上且1.45以下。
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公开(公告)号:CN115884943B
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202180050633.1
申请日:2021-09-03
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01M4/36 , H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M4/62 , H01M4/13 , C01G53/44
Abstract: 本发明的活性物质具有由活性物质母材构成的芯部、和位于该芯部的表面的覆盖部。前述覆盖部含有A元素(A为钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)、铌(Nb)和铝(Al)中的至少一种)。在使用能量色散型X射线分析装置测定得到的前述覆盖部处的构成元素的平均强度分布图中,求出起因于A元素的峰的一阶导数时,该一阶导数具有2个以上的拐点。
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公开(公告)号:CN118742622A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202380022917.9
申请日:2023-02-22
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C09K11/08
Abstract: 一种荧光体,其为用氧化铝覆盖的荧光体,其中,在1H‑NMR波谱中,在1H化学位移值为0.5ppm以上且11ppm以下的范围内将波谱进行峰分离,将峰顶的1H化学位移值为4.0ppm以上且5.5ppm以下的峰设为峰1、将峰顶的1H化学位移值为2.0ppm以上且2.8ppm以下的峰设为峰2、将峰顶的1H化学位移值为0.5ppm以上且1.5ppm以下的峰设为峰3时,相对于在1H化学位移值为‑2ppm以上且12ppm以下的范围内的峰1的积分值S1与峰2的积分值S2与峰3的积分值S3的合计值的、所述范围内的峰2的积分值S2之比S2/(S1+S2+S3)为0.39以下。
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公开(公告)号:CN115884943A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202180050633.1
申请日:2021-09-03
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C01G53/00
Abstract: 本发明的活性物质具有由活性物质母材构成的芯部、和位于该芯部的表面的覆盖部。前述覆盖部含有A元素(A为钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)、铌(Nb)和铝(Al)中的至少一种)。在使用能量色散型X射线分析装置测定得到的前述覆盖部处的构成元素的平均强度分布图中,求出起因于A元素的峰的一阶导数时,该一阶导数具有2个以上的拐点。
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