公开(公告)号：CN113424339A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080013976.6

申请日：2020-02-13

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 光本徹也 ,  井手仁彦 ,  甲斐拓也

IPC: H01M4/38 ,  C01B33/02 ,  C01B33/06 ,  H01M4/134 ,  H01M4/58 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562

Abstract: 提供一种能够提高循环特性、能够降低或消除放电曲线中的平台区域、进而还能够提高高倍率特性的新的活性物质。该活性物质为含有硅和化学式MxSiy(其中，x和y满足0.1≤x/y≤7.0，M为Si以外的准金属元素和金属元素中的1种或2种以上)所示的化合物的活性物质，其中，Si元素的含量大于50wt％，所述M的含量小于38wt％，氧(O)元素的含量小于30wt％，由激光衍射散射式粒度分布测定法测定的D50小于4.0μm、Dmax小于25μm，在使用CuKα1射线的X射线衍射图中，在2θ＝28.42°±1.25°处出现的峰A的半高宽为0.25°以上，并且，所述峰A的峰强度IA相对于归属于所述化学式MxSiy所示的化合物的峰B的峰强度IB的比(IA/IB)小于1。

公开(公告)号：CN115884943A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180050633.1

申请日：2021-09-03

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 甲斐拓也 ,  前田知志 ,  相马健太郎

IPC: C01G53/00

Abstract: 本发明的活性物质具有由活性物质母材构成的芯部、和位于该芯部的表面的覆盖部。前述覆盖部含有A元素(A为钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)、铌(Nb)和铝(Al)中的至少一种)。在使用能量色散型X射线分析装置测定得到的前述覆盖部处的构成元素的平均强度分布图中，求出起因于A元素的峰的一阶导数时，该一阶导数具有2个以上的拐点。

公开(公告)号：CN115884943B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202180050633.1

申请日：2021-09-03

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 甲斐拓也 ,  前田知志 ,  相马健太郎

IPC: H01M4/36 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M4/62 ,  H01M4/13 ,  C01G53/44

Abstract: 本发明的活性物质具有由活性物质母材构成的芯部、和位于该芯部的表面的覆盖部。前述覆盖部含有A元素(A为钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)、铌(Nb)和铝(Al)中的至少一种)。在使用能量色散型X射线分析装置测定得到的前述覆盖部处的构成元素的平均强度分布图中，求出起因于A元素的峰的一阶导数时，该一阶导数具有2个以上的拐点。