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公开(公告)号:CN115943004A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202180044418.0
申请日:2021-07-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: B22F1/06
Abstract: 本发明提供烧结温度比以往低的微细金属线状体。微细金属线状体的长度为0.5μm以上且200μm以下,粗细为30nm以上且10μm以下。将构成微细金属线状体的金属的晶体的沿着该微细金属线状体的延伸方向的长度设为X、将沿着与该方向正交的方向的长度设为Y时,在将该微细金属线状体沿着其延伸方向将长度四等分时的三处边界区域处,X相对于Y的比即X/Y的值为4以下。
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公开(公告)号:CN118647689A
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202380019822.1
申请日:2023-03-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供吸收率足够高且内量子效率高的荧光体粉末、含荧光体组合物、发光元件和发光装置。该荧光体粉末的通过激光衍射散射式粒度分布测定法测定的粒径小于2.5μm的颗粒的体积频率的总和为10%以上,并且粒径2.5μm以上且10μm以下的颗粒的体积频率的总和为10%以上且90%以下,进而体积粒度分布中的累积50%直径(D50)为10.0μm以下。
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公开(公告)号:CN117120578A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202180096022.0
申请日:2021-12-10
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C09K11/62
Abstract: 荧光体包含以MGa2S4(式中,M包含选自由Ba、Sr和Ca组成的组中的至少1种元素。)表示的晶体和成为发光中心的元素A,在通过使用CuKα射线的X射线衍射装置测定的X射线衍射图案中,在2θ=27.6°以上且28.3°以下的范围以及2θ=28.45°以上且28.75°以下的范围观察到衍射峰。另外,荧光体的制造方法将包含镓元素(Ga)、硫元素(S)、元素M(元素M包含选自由Ba、Sr和Ca组成的组中的至少1种。)以及成为发光中心的元素A的原料组合物在其一部分熔融的状态下进行焙烧。另外,本发明还提供具备包含上述荧光体的发光元件以及具备激发源的发光装置。
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公开(公告)号:CN108603111B
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN201780010951.9
申请日:2017-02-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C09K11/59 , C09D7/61 , C09D201/00 , H01L33/50 , C09D5/29
Abstract: 提供能够被宽频带的可见光激发而发出宽的荧光光谱、并且以高强度发出近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体,其特征在于,其为含有Ca、Cu及Si的氧化物,并且前述元素的含有摩尔比为:0.15≤Ca/Si
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公开(公告)号:CN107109218B
公开(公告)日:2020-03-10
申请号:CN201680004613.X
申请日:2016-02-10
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C09K11/59 , C09D5/22 , C09D201/00
Abstract: 本发明提供被宽频带的可见光激发、能够发出高强度的近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体,其特征在于,包含式(1):MCuSi2O6(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相和式(2):MCuSi4O10(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相,并且,在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中,MCuSi4O10的衍射峰强度相对于MCuSi2O6的衍射峰强度的比率β为0
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公开(公告)号:CN108603111A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201780010951.9
申请日:2017-02-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C09K11/59 , C09D7/61 , C09D201/00 , H01L33/50 , C09D5/29
Abstract: 提供能够被宽频带的可见光激发而发出宽的荧光光谱、并且以高强度发出近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体,其特征在于,其为含有Ca、Cu及Si的氧化物,并且前述元素的含有摩尔比为:0.15≤Ca/Si
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公开(公告)号:CN107109218A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201680004613.X
申请日:2016-02-10
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C09K11/59 , C09D7/12 , C09D201/00
Abstract: 本发明提供被宽频带的可见光激发、能够发出高强度的近红外光的新的荧光体。提出了一种荧光体,其特征在于,包含式(1):MCuSi2O6(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相和式(2):MCuSi4O10(式中的M包含Ba、Sr及Ca中的1种或2种以上)所示的晶相,并且,在通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD)得到的XRD图案中,MCuSi4O10的衍射峰强度相对于MCuSi2O6的衍射峰强度的比率β为0
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