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公开(公告)号：CN102471684A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036249.8
申请日：2010-06-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C09K11/62
CPC classification number: C09K11/7731 , C09K11/625 , C09K11/7703 , C09K11/7718
Abstract: 本发明提供荧光体，其被青色LED或近紫外LED所激发而发出可见光，可提高内量子效率。本发明提出了一种荧光体，其为含有含Ga和S的斜方晶结晶的荧光体，该荧光体的特征在于：在上述斜方晶结晶的使用了CuKα射线的XRD图谱中，在衍射角2θ＝16.0～18.0°出现的最大峰的衍射强度相对于在衍射角2θ＝23.6～24.8°出现的最大峰的衍射强度的比例为0.4以上。
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公开(公告)号：CN101568665A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001201.6
申请日：2008-11-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 森中泰三
IPC: C23C14/34 , C04B35/457
CPC classification number: C04B35/457 , C04B35/62655 , C04B2235/3251 , C04B2235/3294 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种使溅射膜的膜应力的绝对值减小、并且从溅射阴极的周边结构物上的膜剥离少的SnO2系烧结体靶。该烧结体靶由烧结体制成，所述烧结体含有高于10ppm且低于1质量％的Sb2O3、总质量为20质量％以下的Ta2O5和/或Nb2O5，余量为SnO2和不可避免的杂质。
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公开(公告)号：CN100551871C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610142572.9
申请日：2006-10-30
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B38/00 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，当其用作溅射靶时，可得到从使用初期至末期的稳定溅射放电，另外，可以得到在有机EL及高精细LCD等中使用的Ra及Ry小的透明导电膜，本发明还提供该氧化物烧结体的制造方法以及溅射靶及透明导电膜。含有氧化铟与根据需要的氧化锡并一同含有氧化硅的氧化物烧结体，其相对密度为102%以上。
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公开(公告)号：CN1880492A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610083291.0
申请日：2006-05-31
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的焊接合金是在制造溅射靶时，用于接合靶材与Cu制或Cu合金制支撑板的焊接合金。其特征为，Zn含量是3～9重量％，剩余部分是Sn及无法清除的杂物。通过本发明的合金可形成高温时也具有高接合强度的接合材料层，因此在过激的溅射条件下也防止靶材从支撑板上剥落，且显著降低接合期间支撑板的Cu被腐蚀量，能够防止该支撑板反复被使用时的强度低劣化。另，本发明的焊接合金具有不需要内粘膜程度的优良靶材熔析性，因此可省略制作内粘膜的装置与工序，大幅提高制造溅射靶的生产效率。
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公开(公告)号：CN112106230A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031373.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01B1/06 , H01B1/10
Abstract: 一种固体电解质，其以质量基准计含有100ppm～1000ppm的铝，具有锂离子传导性。铝适宜来源于铝氧化物。固体电解质还适宜为含有锂元素、磷元素及硫元素的硫化物固体电解质。固体电解质还适宜为具有硫银锗矿型晶体结构的物质。固体电解质还适宜锂离子传导率为4.0mS/cm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102471684B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080036249.8
申请日：2010-06-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C09K11/62
CPC classification number: C09K11/7731 , C09K11/625 , C09K11/7703 , C09K11/7718
Abstract: 本发明提供荧光体，其被青色LED或近紫外LED所激发而发出可见光，可提高内量子效率。本发明提出了一种荧光体，其为含有含Ga和S的斜方晶结晶的荧光体，该荧光体的特征在于：在上述斜方晶结晶的使用了CuKα射线的XRD图谱中，在衍射角2θ＝16.0～18.0°出现的最大峰的衍射强度相对于在衍射角2θ＝23.6～24.8°出现的最大峰的衍射强度的比例为0.4以上。
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公开(公告)号：CN101542009A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000093.0
申请日：2008-03-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 森中泰三
IPC: C23C14/34 , C04B35/457 , C23C14/08 , H01B5/14
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B2235/3251 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C23C14/086
Abstract: 本发明公开了抗折强度优异、且基本上没有凝聚相的SnO2系溅射靶，该SnO2系溅射靶可得到减少溅射中的异常放电、同时无需加热处理即可具有低的膜比电阻、且之后的由加热处理引起的比电阻变化小、耐热性优异的溅射膜。本发明的SnO2系溅射靶包含含有1.5－3.5质量％Ta2O5、0.25－2质量％Nb2O5、余量的SnO2以及不可避免的杂质的烧结体。
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公开(公告)号：CN113557616A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080019849.7
申请日：2020-03-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01M4/62 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01B1/06 , H01B1/10 , H01B13/00 , C01B17/22
Abstract: 硫化物固体电解质包含锂(Li)元素、磷(P)元素和硫(S)元素。硫化物固体电解质的通过1H‑NMR测定而得到的波谱中在化学位移为3.4ppm以上且4.8ppm以下的范围内观察到至少一个峰。硫化物固体电解质优选具有硫银锗矿型晶体结构。硫化物固体电解质优选含有羧酸与醇的酯化合物。
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公开(公告)号：CN101542009B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200880000093.0
申请日：2008-03-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 森中泰三
IPC: C23C14/34 , C04B35/457 , C23C14/08 , H01B5/14
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B2235/3251 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C23C14/086
Abstract: 本发明公开了抗折强度优异、且基本上没有凝聚相的SnO2系溅射靶，该SnO2系溅射靶可得到减少溅射中的异常放电、同时无需加热处理即可具有低的膜比电阻、且之后的由加热处理引起的比电阻变化小、耐热性优异的溅射膜。本发明的SnO2系溅射靶包含含有1.5-3.5质量％Ta2O5、0.25-2质量％Nb2O5、余量的SnO2以及不可避免的杂质的烧结体。
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公开(公告)号：CN100590213C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610083291.0
申请日：2006-05-31
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的焊接合金是在制造溅射靶时，用于接合靶材与Cu制或Cu合金制支撑板的焊接合金。其特征为，Zn含量是3～9重量%，剩余部分是Sn及无法清除的杂物。通过本发明的合金可形成高温时也具有高接合强度的接合材料层，因此在过激的溅射条件下也防止靶材从支撑板上剥落，且显著降低接合期间支撑板的Cu被腐蚀量，能够防止该支撑板反复被使用时的强度低劣化。另，本发明的焊接合金具有不需要内粘膜程度的优良靶材熔析性，因此可省略制作内粘膜的装置与工序，大幅提高制造溅射靶的生产效率。
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