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公开(公告)号：CN1834284A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610065320.0
申请日：2006-03-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 尾野直纪
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明的溅射靶制造方法的特征为，在接合靶材与支撑板，制造溅射靶时，使用含有In和Ga的底涂料及/或结合剂。本发明的溅射靶的特征为具有含In和Ga的结合剂层。本发明的溅射靶制造方法，因使用了含有In及Ga的底涂料及/或结合剂，确保了结合剂对接合面的熔析性，能够在接合面上，直接或者通过底涂料的介入，短时间内均匀涂布结合剂。进而，本发明省略了对于成本及生产效率不利的金属喷镀处理，提高了溅射靶的生产效率。
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公开(公告)号：CN1990422A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610142572.9
申请日：2006-10-30
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B38/00 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，当其用作溅射靶时，可得到从使用初期至末期的稳定溅射放电，另外，可以得到在有机EL及高精细LCD等中使用的Ra及Ry小的透明导电膜，本发明还提供该氧化物烧结体的制造方法以及溅射靶及透明导电膜。含有氧化铟与根据需要的氧化锡并一同含有氧化硅的氧化物烧结体，其相对密度为102％以上。
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公开(公告)号：CN1382828A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02105095.3
申请日：2002-02-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供改进靶的加工方法、防止发生由应力产生的裂纹等的喷溅靶及其制造方法。在具有a边和b边、形状比是a∶b的矩形靶中,是a
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公开(公告)号：CN100590213C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610083291.0
申请日：2006-05-31
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的焊接合金是在制造溅射靶时，用于接合靶材与Cu制或Cu合金制支撑板的焊接合金。其特征为，Zn含量是3～9重量%，剩余部分是Sn及无法清除的杂物。通过本发明的合金可形成高温时也具有高接合强度的接合材料层，因此在过激的溅射条件下也防止靶材从支撑板上剥落，且显著降低接合期间支撑板的Cu被腐蚀量，能够防止该支撑板反复被使用时的强度低劣化。另，本发明的焊接合金具有不需要内粘膜程度的优良靶材熔析性，因此可省略制作内粘膜的装置与工序，大幅提高制造溅射靶的生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1842613A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580001008.9
申请日：2005-05-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 尾野直纪
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , H01J37/3435
Abstract: 本发明是通过溅射制造薄膜时所使用的溅射靶及其制造方法，由靶板、底板、将它们贴合在一起的粘合材料层构成，粘合材料层中不存在有衬垫，粘合材料层的厚度在0.25～2mm的范围内，并且，靶板的贴合面与底板的贴合面二者实质上保持平行。
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公开(公告)号：CN100551871C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610142572.9
申请日：2006-10-30
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C04B35/453 , C04B38/00 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，当其用作溅射靶时，可得到从使用初期至末期的稳定溅射放电，另外，可以得到在有机EL及高精细LCD等中使用的Ra及Ry小的透明导电膜，本发明还提供该氧化物烧结体的制造方法以及溅射靶及透明导电膜。含有氧化铟与根据需要的氧化锡并一同含有氧化硅的氧化物烧结体，其相对密度为102%以上。
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公开(公告)号：CN1984855A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023674.2
申请日：2005-09-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , F27B9/2407 , F27B9/36
Abstract: 本发明公开一种靶材的制造方法，是利用粉末冶金法制造溅射靶的靶材的方法，其包括：对于每一个成型后的被烧结体，从该被烧结体的一端开始进行烧结的加热工序；该加热工序优选为，对每一个所述被烧结体，使该被烧结体同时跨过两个以上的设为不同温度的相邻区域、一边搬送一边加热的工序。根据本发明，在加热工序中，对于每一个被烧结体，升温时通过在其两端设定温度差，可以从一端开始顺序加热，从而进行烧结，即，在制造长尺寸以及大型的靶材时，也可以使烧结工序从被烧结体的一端开始顺序进行，使该烧结体的由烧结引起的收缩也顺序产生，因此，可以提高最终获得的靶材的密度，改善密度不均的同时还可以防止发生弯曲变形以及裂纹。
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公开(公告)号：CN1880492A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610083291.0
申请日：2006-05-31
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的焊接合金是在制造溅射靶时，用于接合靶材与Cu制或Cu合金制支撑板的焊接合金。其特征为，Zn含量是3～9重量％，剩余部分是Sn及无法清除的杂物。通过本发明的合金可形成高温时也具有高接合强度的接合材料层，因此在过激的溅射条件下也防止靶材从支撑板上剥落，且显著降低接合期间支撑板的Cu被腐蚀量，能够防止该支撑板反复被使用时的强度低劣化。另，本发明的焊接合金具有不需要内粘膜程度的优良靶材熔析性，因此可省略制作内粘膜的装置与工序，大幅提高制造溅射靶的生产效率。
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公开(公告)号：CN1984855B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580023674.2
申请日：2005-09-29
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , F27B9/2407 , F27B9/36
Abstract: 本发明公开一种靶材的制造方法，是利用粉末冶金法制造溅射靶的靶材的方法，其包括：对于每一个成型后的被烧结体，从该被烧结体的一端开始进行烧结的加热工序；该加热工序优选为，对每一个所述被烧结体，使该被烧结体同时跨过两个以上的设为不同温度的相邻区域、一边搬送一边加热的工序。根据本发明，在加热工序中，对于每一个被烧结体，升温时通过在其两端设定温度差，可以从一端开始顺序加热，从而进行烧结，即，在制造长尺寸以及大型的靶材时，也可以使烧结工序从被烧结体的一端开始顺序进行，使该烧结体的由烧结引起的收缩也顺序产生，因此，可以提高最终获得的靶材的密度，改善密度不均的同时还可以防止发生弯曲变形以及裂纹。
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