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公开(公告)号：CN1220312C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN02105624.2
申请日：2002-02-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/146 , H01S5/305 , H01S5/34 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/343
Abstract: 一半导体泵浦激光器模块用于辐射在暂态稳定性上具有优势的泵浦激光。此半导体泵浦激光器模块包括具有在GaAs衬底上形成的层结构的半导体激光装置，其中此层结构具有量子井结构的活性层，并由包含镓和砷的半导体材料构成，和一具有光反馈功能的部件。这两个组件是光学耦合的。此半导体激光装置的活性层中的井层是一厚度为10nm或更多的厚层。此活性层被掺入硅，在活性层下面的一n型覆盖层也被掺入硅。
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公开(公告)号：CN113424380A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013968.1
申请日：2020-02-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提高半导体激光元件中的电光转换效率。一种在p型半导体层的表面依次层叠有Ti层以及Pt层的电极，使与p型半导体层的表面的接触部分的每单位面积的热阻为1.2×104(K/W·m2)以下。使Ti层的膜厚为5nm以上且35nm以下。使Ti层的膜厚与Pt层的膜厚的合计为70nm以下。使Pt层的膜厚相对于Ti层的膜厚为0.7倍以上且1倍以下。使Au层进一步层叠于Pt层的上层。使在p型半导体层上设置有电极的半导体激光元件在结向下的状态下固定于固定件，制造带有芯片的辅助固定件。
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公开(公告)号：CN108604775A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680080941.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 激光装置具有：多个光源元件，它们分别输出激光；波长选择单元，其配置在各所述激光的光路上，选择性地使规定波段的光透射；以及部分透射反射体，其配置成被输入透射过所述波长选择单元的光，且将所述输入的光中的一部分朝向所述波长选择单元反射，使其余部分透射，所述波长选择单元选择性地使从各所述光源元件输出的各激光的一部分透射，所述部分透射反射体反射所述透射的各激光的一部分，所述波长选择单元使所述反射的各激光的一部分透射，使其返回到输出了各激光的各所述光源元件，由此，各所述光源元件以所述波长选择单元的透射波段内的波长优先进行振荡。
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公开(公告)号：CN103493315B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201280019906.7
申请日：2012-05-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/005 , G02B6/4202 , G02B6/4248 , H01S5/022 , H01S5/02252 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02484 , H01S5/02492 , H01S5/146 , H01S5/147 , H01S2301/16
Abstract: 本发明涉及一种由阈值附近的驱动电流进行驱动也能输出稳定的多模输出的激光装置。本发明提供一种激光装置，其具备半导体激光元件、在与半导体激光元件的反射面之间形成谐振器，使激光振荡并输出振荡后的激光的波长选择元件、与半导体激光元件的射出面以耦合效率η进行光学耦合，并使从射出面输出的光输入波长选择元件的光学系统；光学系统，将相对于向半导体激光元件注入的注入电流，光输出变为线性的光输出线性区域中的最小光输出相关的下式Ａ值设定为小于耦合效率η最大情况下的A值。
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公开(公告)号：CN113169514B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201980078728.7
申请日：2019-11-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/0237 , H01S5/02315 , H01S5/024
Abstract: 半导体激光芯片安装辅助基板具备：半导体激光芯片，其在长边方向上具有出射端面和后端面，从所述出射端面出射激光；和辅助基板，其安装所述半导体激光芯片，所述辅助基板与所述半导体激光芯片的出射端面侧的第1距离比所述辅助基板与所述半导体激光芯片的后端面侧的第2距离小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108604775B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680080941.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 激光装置具有：多个光源元件，它们分别输出激光；波长选择单元，其配置在各所述激光的光路上，选择性地使规定波段的光透射；以及部分透射反射体，其配置成被输入透射过所述波长选择单元的光，且将所述输入的光中的一部分朝向所述波长选择单元反射，使其余部分透射，所述波长选择单元选择性地使从各所述光源元件输出的各激光的一部分透射，所述部分透射反射体反射所述透射的各激光的一部分，所述波长选择单元使所述反射的各激光的一部分透射，使其返回到输出了各激光的各所述光源元件，由此，各所述光源元件以所述波长选择单元的透射波段内的波长优先进行振荡。
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公开(公告)号：CN103518297A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280013594.9
申请日：2012-03-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: H01S5/0421 , B82Y20/00 , H01L33/005 , H01L33/305 , H01S5/028 , H01S5/2004 , H01S5/2068 , H01S5/2072 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/343 , H01S5/34313 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体光器件，其具备第一导电型半导体衬底，在半导体衬底的上方依次沉积的第一导电型的第一熔覆层，活性层，第二导电型的第二熔覆层，接触层；活性层具有通过空位扩散而混晶化的窗部及比窗部混晶度小的非窗部；接触层具有第一区域及第二区域，所述第二区域与所述第一区域相比，其与氢的亲和性更强，且位于所述第一区域的下侧。
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公开(公告)号：CN103493315A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019906.7
申请日：2012-05-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/005 , G02B6/4202 , G02B6/4248 , H01S5/022 , H01S5/02252 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/02484 , H01S5/02492 , H01S5/146 , H01S5/147 , H01S2301/16
Abstract: 本发明涉及一种由阈值附近的驱动电流进行驱动也能输出稳定的多模输出的激光装置。本发明提供一种激光装置，其具备半导体激光元件、在与半导体激光元件的反射面之间形成谐振器，使激光振荡并输出振荡后的激光的波长选择元件、与半导体激光元件的射出面以耦合效率η进行光学耦合，并使从射出面输出的光输入波长选择元件的光学系统；光学系统，将相对于向半导体激光元件注入的注入电流，光输出变为线性的光输出线性区域中的最小光输出相关的下式Ａ值设定为小于耦合效率η最大情况下的A值。
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公开(公告)号：CN100397734C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN03810405.9
申请日：2003-05-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/146 , B82Y20/00 , H01S5/02284 , H01S5/02415 , H01S5/1039 , H01S5/1096 , H01S5/2009 , H01S5/2231 , H01S5/34306 , H01S2301/02
Abstract: 一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是-40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤1.3×10-3nm-1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。
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公开(公告)号：CN1379516A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02105624.2
申请日：2002-02-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/146 , H01S5/305 , H01S5/34 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/343
Abstract: 一半导体泵浦激光器模块用于辐射在暂态稳定性上具有优势的泵浦激光。此半导体泵浦激光器模块包括具有在GaAs衬底上形成的层结构的半导体激光装置,其中此层结构具有量子井结构的活性层,并由包含镓和砷的半导体材料构成,和一具有光反馈功能的部件。这两个组件是光学耦合的。此半导体激光装置的活性层中的井层是一厚度为10nm或更多的厚层。此活性层被掺入硅,在活性层下面的一n型覆盖层也被掺入硅。
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