-
公开(公告)号：CN103178115B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201210560994.3
申请日：2012-12-21
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor： 桥谷雅幸
IPC: H01L29/78 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/0696 , H01L29/0847 , H01L29/41766 , H01L29/41775 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66666
Abstract: 半导体装置及其制造方法。本发明提供小型的具备沟槽构造的纵型MOS晶体管。在以固定间隔连续的沟槽间的衬底以及随后设置源高浓度扩散层的硅表面区域内生成STI的氧化膜，在形成沟槽之后去除，并形成比周围表面低的区域，由此能够使填埋在具有侧间隔体的具备沟槽构造的纵型MOS晶体管的沟槽的栅电极上的硅化物与设置于衬底以及源高浓度扩散层上的硅化物分离，由此可进行用于面积缩小的沟槽的尺寸缩小以及半导体装置的高驱动性能化。
-
公开(公告)号：CN107193317A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710154125.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 精工半导体有限公司
IPC: G05F1/573
Abstract: 课题在于提供谋求抑制极限电流的偏差的稳压器。解决方案为具备：比较基于输出电压的电压和基准电压而输出第1电压的第1差动放大电路；比较第1电压和第2电压而输出第3电压的第2差动放大电路；栅极接受第3电压并在漏极生成输出电压的第1晶体管；栅极与第1晶体管共同连接并对于第1晶体管具有既定尺寸比的第2晶体管；以及一端与第2晶体管的漏极连接并在该一端生成第2电压的电压生成部。
-
公开(公告)号：CN107192969A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710154164.3
申请日：2017-03-15
Applicant: 精工半导体有限公司
CPC classification number: H01L43/065 , G01R33/0052 , G01R33/07 , H01L43/14 , G01R33/072 , G01R3/00
Abstract: 提供磁传感器及其制造方法。磁传感器具备：在表面具备霍尔元件的半导体衬底；设在半导体衬底的背面上的导电层；以及设在导电层上的磁会聚板。磁会聚板通过在半导体衬底的背面上形成基底导电层，并在基底导电层上形成具有磁会聚板形成用的开口的抗蚀剂，利用电解镀在抗蚀剂的开口内形成磁会聚板，再除去抗蚀剂，以磁会聚板为掩模蚀刻除去基底导电层的一部分而形成在半导体衬底的背面上。
-
公开(公告)号：CN103972949B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410028226.2
申请日：2014-01-21
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor： 小池智幸
CPC classification number: H02J7/0031 , G01R31/362 , H02J7/0021 , H02J2007/0037 , H02J2007/0039 , H02J2007/004
Abstract: 充放电控制电路以及电池装置。在电平转换电路中无论采用哪种MOS晶体管，在充电器连接时都不会被破坏并能缩小布局面积。在该充放电控制电路中，对监视二次电池的电压的控制电路输出的充电控制信号的电压进行电平转换的电平转换电路具备：第一导电型的第一晶体管，栅极与电平转换电路的输入端子连接，源极与第一电源端子连接；第一电阻，一个端子与电平转换电路的输入端子连接；第二导电型的第二晶体管，栅极与第一电阻的另一端子连接，漏极与第一晶体管的漏极连接，源极与被输入待电平转换的电压的端子连接；第二导电型的第三晶体管，栅极及漏极与第一电阻的另一端子连接，源极与被输入待电平转换的电压的端子连接。电池装置具备该充放电控制电路。
-
公开(公告)号：CN107171533A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710129866.6
申请日：2017-03-07
Applicant: 精工半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及开关调节器，构成为具备比较电路(20)、开关电路(21～23)以及开关控制电路(28)，并利用开关控制电路(28)的控制信号(S1～S3)来切换开关电路(21～23)，利用一个比较电路(20)来实现多个异常检测功能。由此，以低耗电来执行开关调节器的多个异常检测功能，并且减小半导体装置的占用面积。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107168433A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710131047.5
申请日：2017-03-07
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor： 高田幸辅
IPC: G05F1/56
Abstract: 课题为提供能够高速进行切换动作的输出电路。解决方案为具备：生成控制电压的控制电压生成电路；栅极接受控制电压的第1导电型的第1MOS晶体管；栅极被输入第1输入信号的第1导电型的第2MOS晶体管；栅极被输入第2输入信号的第2导电型的第3MOS晶体管；以及第1导电型的第4MOS晶体管，其栅极与第1MOS晶体管的源极连接，漏极与输出端子连接，第1导电型的第4MOS晶体管被第1输入信号及第2输入信号驱动而向输出端子输出输出信号，控制电压生成电路吸收因第1输入信号和第2输入信号发生变化而产生的控制电压的变动，将控制电压保持在既定电压。
-
-
公开(公告)号：CN107039368A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710057325.7
申请日：2017-01-26
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor： 田口康祐
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/28 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/495 , H01L23/49503 , H01L23/49517 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/3677
Abstract: 本发明提供一种树脂密封型半导体装置，其散热特性优异，且提高了相对于基板的安装强度。使散热用外部引脚从密封树脂露出到外部以提高散热特性，其中，所述散热用外部引脚和连接于芯片安装盘的四角的内部引脚连接，散热用外部引脚末端在引线框的冲裁加工时被切断，在本发明的树脂密封型半导体装置的外装镀层加工时，使外装镀层附着于散热用外部引脚的包含末端在内的整个面上，从而在基板安装时容易形成焊脚，能够提高相对于基板的安装强度。
-
公开(公告)号：CN107026624A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611205248.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 精工半导体有限公司
Inventor： 矶部祯久
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F1/0211 , H03F1/0222 , H03F3/3035 , H03F3/304 , H03F3/45 , H03F3/45179 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F3/72 , H03F2203/30087 , H03F2203/30099
Abstract: 提供差动放大电路，该差动放大电路的消耗电流低且电路面积小。差动放大电路构成为具有两级放大电路和串联连接的两级输出晶体管，通过第1级放大电路的输出来控制2个输出晶体管中的一个输出晶体管，并将另一个输出晶体管设为通过第2级放大电路的输出而被控制的漏极接地电路(源极跟随器电路)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
283
records
(took 0.087 seconds)
