公开(公告)号：CN104619673A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047313.6

申请日：2013-09-10

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 田尾幸树 ,  金丸守贺 ,  南部旭 ,  畠英雄

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/3322 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85％以上，对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时，Zn2SnO4相和InGaZnO4相以规定的比例包含。

公开(公告)号：CN103298767B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280005106.X

申请日：2012-02-09

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 金丸守贺 ,  岩崎祐纪 ,  松井实 ,  后藤裕史 ,  南部旭

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086

Abstract: 提供一种氧化物烧结体，其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造，并兼备高的导电性和相对密度，具有高的载流子迁移率，且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)[A/(A+B+C+D)]×100≥70···(1)。

公开(公告)号：CN103415488A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280011369.1

申请日：2012-03-01

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  岩崎祐纪

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，其兼具较高的导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法制造也能长时间稳定地进行放电。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和从由A1、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，将利用高斯分布来模拟面内方向及深度方向的电阻率时，所述电阻率的分散系数σ为0.02以下。

公开(公告)号：CN103380099A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201280007841.4

申请日：2012-02-09

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 岩崎祐纪 ,  后藤裕史 ,  金丸守贺

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体以及溅射标靶，适用于显示装置用氧化物半导体膜的制造的氧化物烧结体兼备高的导电性和相对密度，能够成膜具有高的载流子迁移率的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，当对所述氧化物烧结体进行基于EPMA的面内组成映射时，在测定面积中所占的、Sn浓度为10～50质量％的区域的比率是70面积％以上。

公开(公告)号：CN102041479B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201010522145.X

申请日：2010-10-22

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 松本克史 ,  岩崎祐纪 ,  高木敏晃 ,  长尾护 ,  莳野秀忠 ,  小林宣裕 ,  奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00

Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al-(Ni、Co)-(La、Nd)系合金或Al-(Ni、Co)-(La、Nd)-(Cu、Ge)系合金作为溅射靶时，能够降低飞溅、特别是初期飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种，和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种，测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时，平均晶粒直径为500μm以下，并且最大晶粒直径为1500μm以下。

公开(公告)号：CN102300720B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201080005807.4

申请日：2010-01-29

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 高冈启吾 ,  吉川一男 ,  古保里隆

IPC: B41N1/24 ,  H05K3/12

CPC classification number: B41N1/247

Abstract: 本发明提供一种能够消除由于容易卡住刮浆板而成为难以均匀地涂抹糊剂的原因的刮浆板接触面上的凹凸部，具有作为网状部件所需的均匀的强度，且具有高精细印刷所需的网眼数的网板印刷用网状部件。本发明的网板印刷用网状部件中，通过在轧制金属箔上开设多个孔而制作多个开口部及线部，且构成所述线部的至少单方的面平坦，厚度为5μm以上且25μm以下，并且进行拉伸试验时的断裂载荷(N)换算成拉伸试验片的单位宽度1cm后的拉伸强度为20N/cm以上，网眼数为250(个/英寸)以上。

公开(公告)号：CN103173718A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210562375.8

申请日：2012-12-21

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 前田刚彰 ,  奥野博行

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种作为氧化铝的代替膜有用、且与氧化铝相比，成膜速度高、生产率优异的新技术。本发明的氧化铝薄膜的特征在于，含有Ta。上述氧化铝薄膜优选通过溅射法进行成膜。

公开(公告)号：CN102812580A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201080065551.6

申请日：2010-07-23

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 井户秀和 ,  西内万聪 ,  安藤芽久美 ,  松原智行

IPC: H01M4/134 ,  H01G9/058 ,  H01M4/46 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0566

CPC classification number: H01G11/26 ,  H01M4/134 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/40 ,  H01M4/46 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0566 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7011 ,  Y02T10/7022

Abstract: 本发明提供可以确保大的能量密度(大容量)并且可以延长循环使用寿命的负极活性物质、使用了它的二次电池及电容器、以及蓄电设备。本发明的第一发明的一个方式的负极活性物质(12)由含有锂的铝合金制箔体制作。该箔体由分别设于表面及背面的表层部(12a)和母体部(12b)构成。所述设于表面及背面的表层部(12a)具有三维网眼状骨架并且具有多个细孔。所述设于表面及背面的表层部(12a)的表面开口率为10～80％。

公开(公告)号：CN102762386A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180010074.8

申请日：2011-02-25

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 高冈启吾 ,  吉川一男 ,  古保里隆

IPC: B41N1/24

CPC classification number: B41N1/247

Abstract: 提供一种即便在使用了高粘度的膏剂的情况下，也能够进行没有印刷模糊、高低差少的印刷，且能得到高印刷位置精度的网版印刷用网状构件。本发明涉及一种网版印刷用网状构件，用于通过感光性乳剂来形成印刷图案，其中，所述网版印刷用网状构件由轧制金属箔构成，在与印刷对象物的印刷区域相当的轧制金属箔的部分上具有朝向印刷对象物变宽的多个孔，通过与所述印刷区域相当的轧制金属箔的部分的印刷对象物侧的线部最大宽度A和所述孔与孔的间隔B之比A/B所规定的最大线宽系数小于0.40。

公开(公告)号：CN1823179B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200480020394.1

申请日：2004-07-14

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木胜寿 ,  中井淳一 ,  田内裕基 ,  松崎均 ,  藤井秀夫

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/06

CPC classification number: C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种Ag系溅射靶(6)，在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1，当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时，该结晶粒径的3维偏差为18％以下。A1＝(Dmax-Dave)/Dave×100(％)，B1＝(Dave-Dmin)/Dave×100(％)，Dmax：全部选择位置的结晶粒径D的最大值，Dmin：全部选择位置的结晶粒径D的最小值，Dave：全部选择位置的结晶粒径D的平均值。