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公开(公告)号：CN119238374A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411500670.X
申请日：2024-10-25
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 万琨
Abstract: 本发明涉及一种研磨布渣回收网装置，所属研磨抛光液回收设备技术领域，包括抛光机箱，所述的抛光机箱内设有磨盘，所述的磨盘外圆上设有与磨盘相嵌套的抛光布，所述的抛光机箱下端设有与抛光机箱相连通的回收管，所述的回收管内或上端设有回收过滤组件。所述的回收过滤组件包括滤网片，所述的滤网片与回收管间设有隔网塞。具有结构简单、效果好和运行稳定性高的优点。解决了研磨布渣堵塞回收管道的问题。提高回收液的质量，减少更换研磨液频次。减少堵塞引起的频繁报警维修。
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公开(公告)号：CN119198729A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411227191.5
申请日：2024-09-03
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 包亚平
Abstract: 本发明涉及一种双层晶圆目检倾斜台及其控制方法，所属晶圆检测设备技术领域，包括操作台，所述的操作台上设有目检倾斜台，所述的目检倾斜台上部设有良品包装盒，所述的目检倾斜台下部设有待检包装盒，所述的目检倾斜台一侧设有磁吸笔，所述的磁吸笔与操作台间设有与磁吸笔相滑动式插接的笔架筒。所述的目检倾斜台包括主板，所述的主板后端设有与主板呈“人”字形结构的斜撑板，所述的主板前端上部设有上检板，所述的主板前端下部设有下检板。具有结构紧凑、操作便捷和运行稳定性好的优点。解决颗粒异常提高晶圆的品质，同时提升人工检查工作效率，工作的便利性。
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公开(公告)号：CN119175599A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411143345.2
申请日：2024-08-20
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 高威
Abstract: 本发明涉及一种硅片椭圆边缘轮廓矫正加工方法，所属硅片加工技术领域，包括先对椭圆形硅片进行多角度直径测量，根据多根直径数据计算出圆心所在的位置，然后重新设定倒角加工承载台的圆心的坐标，增加圆心坐标则定位缺口位置加工量增加，降低圆心坐标定位缺口位置加工量减小。根据定位缺口深度计算出偏心加工量，设置各项直径补偿进给量，然后硅片将按不同直径方向进给量进入倒角砂轮沟槽加工，最终形成纯圆形貌。具有操作便捷和加工稳定性好优点。解决了硅片辊磨过程出现椭圆的问题。通过在硅片倒角加工前增加外型测量，并根据定位缺口位置直径数据与短边直径数据对比计算，然后根据目标值修正长边直径去除量，从而达到硅片整圆过程。
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公开(公告)号：CN119008380A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411071078.2
申请日：2024-08-06
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 缪燃
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种硅片背面光泽度、粗糙度调控的高平坦度工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片在HF、HNO3、HAc的混合溶液中进行酸腐蚀。第二步：采用SC1药液及纯水对硅片表面进行预清洗。第三步：通过碱腐蚀对硅片进行表面处理，碱腐蚀药液为KOH或NaOH。第四步：对碱腐蚀过的硅片进行清洗。第五步：对硅片背面进行背面抛光和正面抛光。通过背抛工艺对腐蚀面的光泽度和粗糙度进行一个调控，同时由于背面抛光只进行了中抛，所以背面仍然保持着腐蚀面的状态。采用腐蚀与背抛的组合，通过背抛对背面腐蚀面进行一个平坦度的改善得到一个高平坦度的产品硅片。
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公开(公告)号：CN118888470A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410907201.3
申请日：2024-07-08
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 朱墨涵
Abstract: 本发明公开了一种提升最终洗净后表面颗粒的设备和清洗工艺，本发明涉及硅片清洗技术领域。该提升最终洗净后表面颗粒的设备和清洗工艺，包括清洗池、连通在清洗池上的液位仪，所述清洗池的侧壁上通过安装板固定有电动推杆，所述电动推杆的顶部固定有支撑柱，所述支撑柱的底部设置有盛放网，所述盛放网的内部侧壁上固定有固定夹，所述支撑柱上设置有用于连接盛放网的连接组件以及驱动盛放网转动的动力组件，所述连接组件中包括：活动轴，固定在支撑柱的底部用于给连接组件中的其他零件提供支撑；使DHF清洗液与硅片之间充分接触，将硅片表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，有效地去除氧化物，并保持硅片表面的平整度和光洁度，提高产品的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118883196A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410902953.0
申请日：2024-07-05
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种检测硅片体内Ni含量的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：准备要配比溶液的超纯水、HF溶液和H2O2。第二步：用移液枪移取4ml 3％HF+2％H2O2混合溶液清洗待测硅片表面2遍，除去硅片表面的自然氧化膜和污物。第三步：将待测硅片置于电热板上加热，加热板温度设置为300摄氏度，加热时间为2小时，加热板温度应均匀，避免硅片局部温差过大。第四步：停止加热，待硅片表面温度冷却至室温后用2ml2％HF+2％H2O2进行萃取。第五步：使用ICP‑MS测试空白样品，确认仪器状态正常；第六步：使用ICP‑MS测试样品溶液，检测硅片体内Ni含量。除去表面的金属杂质和氧化膜，避免了不必要的金属污染，更真实准确的测定硅片样品体内的Ni含量，促进良率的提高。
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公开(公告)号：CN115609480B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202211229492.2
申请日：2022-10-08
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: B24B53/017
Abstract: 本发明涉及一种双面抛光的修布工艺，所属硅片加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：测试初始的抛光布厚N。第二步：接着使用金刚砂轮A进行修布压合，接着采用修布程序进行修布。修布程序：第一阶段，砂轮转速:上盘转速=0.5～2:1，砂轮转速：下盘转速=2～10:‑1(负值表示行进方向相反)；第二阶段，砂轮转速：上盘转速=2～10:‑1，砂轮转速：下盘转速=0.5～2:1。第三步：测试修布后的抛光布厚M，通过N‑M得出去除量。第四步：当厚度去除量不足20～120μm，使用金刚砂轮A再次压合修布。第五步：当厚度去除量达到20～120μm，改用砂轮压合修布，修布去除量达到10‑30μm后修布完成。具有确保抛光稳定和平坦度稳定的特点。解决了金刚砂轮易磨损的问题。
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公开(公告)号：CN115424919B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202211070830.2
申请日：2022-09-01
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种改善抛光硅片化学氧化膜厚及Haze均一性的单片清洗工艺，所属半导体用硅抛光片和硅外延片的清洗技术领域，在单片清洗机采用硅片高速旋转结合固定位置的喷嘴喷射O3DIW和HF的方式对硅片进行清洗；采用两步法生长SiOx氧化膜：第一步，O3DIW从硅片边缘匀速移动至硅片中心，在此过程中喷射O3DIW；O3DIW在不同半径处与硅片接触瞬间的O3浓度是相同的，O3DIW接触硅片后，在高速Spin作用下，会向硅片边缘流动；第二步，第一步结束时，氧化膜的厚度(h1(r))会呈现边缘高、中心低的趋势；O3DIW Nozzle停留在硅片中心数秒，并喷射O3DIW，新增的氧化膜厚度(h2(r))将会呈现中心高、边缘低的特点。具有操作简单、运行稳定性好和效果显著的特点。使得硅片表面的Haze均一性得到显著改善。
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公开(公告)号：CN113889430B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202111083524.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 金太薰
IPC: H01L21/687 , G01D11/00
Abstract: 本发明公开了一种新型DSP卡盘装置及其装配、检测方法，包括底座，所述底座的上端设置有卡盘，所述底座的内腔设置有齿盘，所述齿盘的外侧通过传动机构设置有导向块，所述导向块的上端传动连接有滑动板，所述滑动板的上端设置有夹持块，所述底座的底端设置有连接件，所述滑动板的内部设置有夹持机构；本发明涉及卡盘技术领域。该一种新型DSP卡盘装置及其装配、检测方法，通过设置的夹持机构，使得夹持板对芯片进行更加精确的夹持定位处理，同时第一弹簧与第二弹簧对运动过程中的夹持板进行缓冲减震处理，防止夹持板夹持力度过大，导致芯片出现碎裂而损坏芯片；通过设置的连接轴、夹持板与螺钉，便于更换不同规格的夹持板，增强装置的实用性。
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公开(公告)号：CN118809432A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411030096.6
申请日：2024-07-30
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 姜翠兰
Abstract: 本发明涉及一种在集成电路铜膜化学机械抛光中使用抛布和抛液的方法，所属硅片抛光工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将由PH调节剂、磨料、氧化剂、表面活性剂和润滑剂组成的抛光液进行混合制备。第二步：抛液中的碱、有机物与集成电路反应，生成硬度较单晶硅更低的结合产物。第三步：采用溶胶凝胶法制备出的高活性硅溶胶作为磨料成分。第四步：通过抛光布将抛液中的磨料在抛布与集成电路的相对运动中机械去除反应层。采用晶片与抛布接触面减小，降低晶片与抛布之间分子间作用力，减少抛布吸片的发生。实现使用无沟槽抛布，提升产品NT。通过晶片、抛布、抛液之间流动型增强，利于控制晶片去除形貌，产品平坦度更佳。
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