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公开(公告)号:CN111793467A
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN202010190298.2
申请日:2020-03-18
Applicant: 山口精研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种将氮化铝基板以高研磨速度精加工成良好的表面平滑性的氮化铝基板用研磨剂组合物。氮化铝基板用研磨剂组合物含有氧化铝粒子、脂肪族胺化合物、酸和/或其盐、以及水。另外,pH值(25℃)为7.5以上且小于11.5。
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公开(公告)号:CN1985306A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200580023525.6
申请日:2005-07-12
Applicant: 昭和电工株式会社 , 山口精研工业株式会社
CPC classification number: G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种高加工速度的组合物,所述组合物能够在减小铝制磁盘的基底层、玻璃制磁盘表面的纹理加工后的平均表面粗糙度(Ra),并且形成微细的纹理条痕的同时,除去存在于基底层、表面上的起因于基片研磨工序的“研磨痕”或“研磨刮痕”。本发明的组合物是用于对铝制磁盘的基底层或玻璃制磁盘的表面进行纹理加工的、纹理加工用组合物,含有(A)比表面积为150m2/g以上的纳米金刚石粒子、(B)碳数为10-22的脂肪酸或脂肪酸金属盐、(C)有机胺化合物。
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公开(公告)号:CN111793467B
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202010190298.2
申请日:2020-03-18
Applicant: 山口精研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种将氮化铝基板以高研磨速度精加工成良好的表面平滑性的氮化铝基板用研磨剂组合物。氮化铝基板用研磨剂组合物含有氧化铝粒子、脂肪族胺化合物、酸和/或其盐、以及水。另外,pH值(25℃)为7.5以上且小于11.5。
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公开(公告)号:CN113444454A
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN202110303520.X
申请日:2021-03-22
Applicant: 山口精研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种研磨剂组合物,其中,在氧化物单晶材料基板的研磨中,抑制研磨时的载体鸣音并且能够实现研磨后的研磨表面的平坦性的提高和研磨速度的提高。一种研磨剂组合物,其用于对钽酸锂单晶材料或铌酸锂单晶材料进行研磨加工,上述研磨剂组合物含有二氧化硅颗粒、水溶性高分子化合物和水,二氧化硅颗粒包含平均粒径为10~60nm的小粒径二氧化硅颗粒和平均粒径为70~200nm的大粒径二氧化硅颗粒,小粒径二氧化硅颗粒的质量相对于小粒径二氧化硅颗粒和大粒径二氧化硅颗粒的总计质量的比例为50~95质量%,水溶性高分子化合物由多糖类构成。
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公开(公告)号:CN1209436C
公开(公告)日:2005-07-06
申请号:CN01800919.0
申请日:2001-07-04
Applicant: 昭和电工株式会社 , 山口精研工业株式会社
Abstract: 一种抛光组合物,其至少包含水、氧化铝及衍生于铝盐的溶胶产物。用该抛光组合物抛光后的磁记录盘基片抑制了其外周边部分形成的转出量,其具有几乎无凹点、结节及刮痕的高质量镜面抛光的表面,并能使它与磁头间的距离小,而由此能达到记录密度。
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