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公开(公告)号：CN1985306A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023525.6
申请日：2005-07-12
Applicant: 昭和电工株式会社 , 山口精研工业株式会社
CPC classification number: G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种高加工速度的组合物，所述组合物能够在减小铝制磁盘的基底层、玻璃制磁盘表面的纹理加工后的平均表面粗糙度(Ra)，并且形成微细的纹理条痕的同时，除去存在于基底层、表面上的起因于基片研磨工序的“研磨痕”或“研磨刮痕”。本发明的组合物是用于对铝制磁盘的基底层或玻璃制磁盘的表面进行纹理加工的、纹理加工用组合物，含有(A)比表面积为150m2/g以上的纳米金刚石粒子、(B)碳数为10－22的脂肪酸或脂肪酸金属盐、(C)有机胺化合物。
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公开(公告)号：CN1529681A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02807487.4
申请日：2002-03-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 山田二郎
CPC classification number: C09G1/02 , C03C15/00 , C03C19/00 , C03C2204/08 , C09K3/1463 , C09K3/1472
Abstract: 本发明涉及一种用于将磁盘玻璃基材压花的组合物，它包含磨料粒、溶剂和氟化物。磁盘玻璃基材使用这样的方法生产，该方法包括将磁盘玻璃基材的表面压在物体表面上以便在0.98－196N的压力下进行滑动接触；将所述组合物加到该物体表面和磁盘玻璃基材表面中的至少一个上；使磁盘玻璃基材旋转，同时该物体保持受压，从而在磁盘玻璃基材的表面上进行压花。
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公开(公告)号：CN113286770B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202180001763.6
申请日：2021-01-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C04B35/5831 , C04B35/622 , C04B35/645 , B24D3/14 , B24D3/34 , B24D18/00
Abstract: 提供一种具有优异的耐磨损性和耐缺损性，并且表面与陶瓷被覆膜的密合性也优异的立方晶氮化硼烧结体及其制造方法以及工具。本发明的立方晶氮化硼烧结体包含60.0～90.0体积％的立方晶氮化硼，余量为黏结相，所述黏结相含有：Al的氮化物、硼化物和氧化物中的至少一者、Ti的碳化物、氮化物、碳氮化物和硼化物中的至少一者、以及由下式(1)表示的化合物。W2NixCo(1‑x)B2(0.40≤x
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公开(公告)号：CN1248982C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02807487.4
申请日：2002-03-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 山田二郎
CPC classification number: C09G1/02 , C03C15/00 , C03C19/00 , C03C2204/08 , C09K3/1463 , C09K3/1472
Abstract: 本发明涉及一种用于将磁盘玻璃基材压花的组合物，它包含磨料粒、溶剂和氟化物。磁盘玻璃基材使用这样的方法生产，该方法包括将磁盘玻璃基材的表面压在物体表面上以便在0.98-196N的压力下进行滑动接触；将所述组合物加到该物体表面和磁盘玻璃基材表面中的至少一个上；使磁盘玻璃基材旋转，同时该物体保持受压，从而在磁盘玻璃基材的表面上进行压花。
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公开(公告)号：CN113286770A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202180001763.6
申请日：2021-01-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C04B35/5831 , C04B35/622 , C04B35/645 , B24D3/14 , B24D3/34 , B24D18/00
Abstract: 提供一种具有优异的耐磨损性和耐缺损性，并且表面与陶瓷被覆膜的密合性也优异的立方晶氮化硼烧结体及其制造方法以及工具。本发明的立方晶氮化硼烧结体包含60.0～90.0体积％的立方晶氮化硼，余量为黏结相，所述黏结相含有：Al的氮化物、硼化物和氧化物中的至少一者、Ti的碳化物、氮化物、碳氮化物和硼化物中的至少一者、以及由下式(1)表示的化合物。W2NixCo(1‑x)B2(0.40≤x
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