公开(公告)号：CN116323842A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180059750.4

申请日：2021-07-09

Applicant: 山口精研工业株式会社

Inventor： 后藤优治 ,  堀本真树 ,  原口哲朗 ,  巢河慧

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明提供一种研磨剂组合物，其能够实现研磨速度等镜面研磨加工的迅速化，并且提升镜面研磨后的半导体晶片的晶片表面的平滑性和平坦性，能够进行高加工精度的镜面精加工，并且保存稳定性优异。研磨剂组合物是对包含III‑V族化合物作为构成成分的研磨对象物进行研磨加工的组合物，其具备胶体二氧化硅(colloidal silica)、氧化剂、氧化促进剂，用于促进利用氧化剂的研磨对象物的表面的氧化反应；稳定剂，其用于控制利用氧化促进剂的研磨对象物的表面的氧化反应的促进作用；和水。

公开(公告)号：CN111793467B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202010190298.2

申请日：2020-03-18

Applicant: 山口精研工业株式会社

Inventor： 后藤优治 ,  巢河慧

IPC: C09K3/14 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供一种将氮化铝基板以高研磨速度精加工成良好的表面平滑性的氮化铝基板用研磨剂组合物。氮化铝基板用研磨剂组合物含有氧化铝粒子、脂肪族胺化合物、酸和/或其盐、以及水。另外，pH值(25℃)为7.5以上且小于11.5。

公开(公告)号：CN111793467A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010190298.2

申请日：2020-03-18

Applicant: 山口精研工业株式会社

Inventor： 后藤优治 ,  巢河慧

IPC: C09K3/14 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供一种将氮化铝基板以高研磨速度精加工成良好的表面平滑性的氮化铝基板用研磨剂组合物。氮化铝基板用研磨剂组合物含有氧化铝粒子、脂肪族胺化合物、酸和/或其盐、以及水。另外，pH值(25℃)为7.5以上且小于11.5。