公开(公告)号：CN112997285B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202080006098.5

申请日：2020-06-08

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 河野壮人

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60

Abstract: 制造电子部件的方法具有：准备安装基板的工序，该安装基板设置有用于安装电子部件的第1区域和导电性的第2区域；用树脂将所述第2区域包覆的工序；在所述第1区域对金属膏进行涂敷的工序；通过所述金属膏在所述第1区域对所述电子部件进行安装的工序；以及将包覆所述第2区域的所述树脂去除的工序。所述进行安装的工序包含加热工序，即，在涂敷于所述第1区域的所述金属膏上载置所述电子部件的状态下，对所述安装基板进行加热而使所述金属膏硬化。在所述去除的工序中，将通过所述加热工序从所述第2区域剥离的状态的所述树脂去除。

公开(公告)号：CN110544630B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN201910445078.7

申请日：2019-05-27

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 中野拓真 ,  丸山智己

IPC: H01L21/335 ,  H01L23/64 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上形成场板，场板经由绝缘膜电耦合到晶体管的栅极，并且晶体管位于基板上；形成覆盖绝缘膜和场板的氮化硅保护膜；在氮化硅保护膜上形成氧化硅基膜；以及在氧化硅基膜上形成MIM电容器，该MIM电容器包括按顺序堆叠的第一电极、介电膜和第二电极。形成MIM电容器包括：在形成介电膜之后，对场板上的氧化硅基膜执行湿法蚀刻。

公开(公告)号：CN112599417B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202011327407.7

申请日：2019-05-27

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 中野拓真 ,  丸山智己

IPC: H01L21/335 ,  H01L23/64 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上的场板，所述晶体管位于基板上；覆盖所述绝缘膜和所述场板的氮化硅保护膜；在所述氮化硅保护膜上的氧化硅基膜；以及在所述氧化硅基膜上的MIM电容器，所述MIM电容器包括依次堆叠的第一电极、介电膜和第二电极，其中，所述晶体管形成在所述基板上的第一区域中，并且所述MIM电容器和所述氧化硅基膜形成在所述基板上的与所述第一区域不同的第二区域中。

公开(公告)号：CN109904226B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201811493907.0

申请日：2018-12-07

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 水江千帆子 ,  吉田智洋

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了具有场板的一种场效应晶体管(FET)类型的晶体管。所述场效应晶体管提供有源区和将有源区夹在其间的两个非有源区，其中各电极设置在所述有源区中。所述FET还包括漏极指、漏极总线和源极指、源极总线。漏极指、源极指与漏极总线和源极总线重叠；而漏极总线、源极总线设置在相应的非有源区中。所述场板包括场板指和场板互连件。所述场板指在面向所述漏极的一侧平行于所述栅极延伸。在各个非有源区中的与存在漏极总线的非有源区相对的一个非有源区中，所述场板互连件将所述场板指和所述源极互连件连接。

公开(公告)号：CN118263305A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311798820.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 佐佐木敦也 ,  野濑幸则

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供能实现小型化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：第一氮化物半导体层，具有第一面，在所述第一面形成有第一凹部；第二氮化物半导体层，设于所述第一凹部；第一绝缘膜，覆盖所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层，形成有供所述第二氮化物半导体层的至少一部分露出的第一开口部；以及布线层，从所述第一开口部通过而与所述第二氮化物半导体层欧姆接触，所述第二氮化物半导体层具有与所述布线层对置的第二面，在所述第二面形成有与所述第一开口部相连的第二凹部，所述布线层在所述第二凹部的内面与所述第二氮化物半导体层直接接触。

公开(公告)号：CN110896099B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201910813404.5

申请日：2019-08-30

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 秋山千帆子

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括衬底；有源区和围绕有源区的无源区；有源区上的栅电极、漏电极和源电极；包括漏极指和漏极条的漏极互连；以及包括源极指和源极条的源极互连。源极条在第一方向上隔着有源区位于漏极条的相反侧。源电极包括在第一方向上面向漏极条的第一侧和在第一侧的中间的第一凹部。第一方向上的第一凹部的第一深度等于或大于第一方向上的漏极条和第一侧之间的第一间隔。

公开(公告)号：CN108461408B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201810150056.3

申请日：2018-02-13

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 江森正臣

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明披露了一种形成半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：将含有Ni的第一金属层沉积在基板的背面，镀敷基板的背面，从而使刻线部分中的第一金属层露出，将第三金属层沉积在基板的整个背面，并且选择性地去除刻线部分中的第三金属层，从而将第一金属层留在刻线中。

公开(公告)号：CN110176492B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910122162.5

申请日：2019-02-19

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 菅原健太 ,  野濑幸则

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明披露了一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法。高电子迁移率晶体管(HEMT)类型的半导体器件具有位于半导体层上的双层SiN膜，其中第一SiN膜通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术形成，而第二SiN膜通过等离子体辅助CVD(p‑CVD)技术形成。另外，栅极具有双金属布置方式，其中一种金属包含镍(Ni)作为肖特基金属，另一种金属不含Ni且覆盖前一种金属。本发明的特征在于：所述第一金属与半导体层接触，但与第二SiN膜分离。

公开(公告)号：CN117461133A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280041264.4

申请日：2022-06-09

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 川崎贤人 ,  森拓磨

IPC: H01L27/04 ,  H01L25/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/12 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

Abstract: 无源元件具备：半导体基板、第一绝缘膜、第一金属焊盘、第一导电体以及第一导电膜。半导体基板具有p型或n型的导电型，具有主面和背面。第一绝缘膜设于半导体基板的主面中的第一区域上。第一金属焊盘设于第一绝缘膜上。第一导电体从第一金属焊盘起在第一方向上延伸。第一导电膜设于半导体基板的主面中与第一区域在第一方向上邻接的第二区域上。第一导电膜与半导体基板的主面欧姆连接，具有比半导体基板的电阻率小的电阻率。

公开(公告)号：CN117276273A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310615980.5

申请日：2023-05-29

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 佐佐木敦也

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L23/60

Abstract: 本公开提供能抑制基板与布线之间的漏电流的电子器件。电子器件具有：基板；第一氮化硅膜，设于所述基板之上；氧化硅膜，设于所述第一氮化硅膜之上；电容器，设于所述氧化硅膜之上；以及布线，电连接于所述电容器，所述布线与所述第一氮化硅膜分离，在俯视观察时，所述氧化硅膜的外缘位于所述第一氮化硅膜的外缘的内侧。