公开(公告)号：CN118263305A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311798820.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 佐佐木敦也 ,  野濑幸则

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供能实现小型化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：第一氮化物半导体层，具有第一面，在所述第一面形成有第一凹部；第二氮化物半导体层，设于所述第一凹部；第一绝缘膜，覆盖所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层，形成有供所述第二氮化物半导体层的至少一部分露出的第一开口部；以及布线层，从所述第一开口部通过而与所述第二氮化物半导体层欧姆接触，所述第二氮化物半导体层具有与所述布线层对置的第二面，在所述第二面形成有与所述第一开口部相连的第二凹部，所述布线层在所述第二凹部的内面与所述第二氮化物半导体层直接接触。

公开(公告)号：CN117276273A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310615980.5

申请日：2023-05-29

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 佐佐木敦也

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L23/60

Abstract: 本公开提供能抑制基板与布线之间的漏电流的电子器件。电子器件具有：基板；第一氮化硅膜，设于所述基板之上；氧化硅膜，设于所述第一氮化硅膜之上；电容器，设于所述氧化硅膜之上；以及布线，电连接于所述电容器，所述布线与所述第一氮化硅膜分离，在俯视观察时，所述氧化硅膜的外缘位于所述第一氮化硅膜的外缘的内侧。