-
公开(公告)号:CN101931037A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN201010244358.0
申请日:2010-08-03
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明实施例公开内量子效率较高的GaN基LED外延片、芯片及器件。上述外延片,包括P型区、N型区以及设置于P型区和N型区之间的有源层,该外延片基于非极性衬底;所述有源层包括多个量子阱组,所述量子阱组中包括量子阱,所述量子阱包括势垒层和势阱层,所述任一量子阱组的势阱层中铟组分含量与其他量子阱组的势阱层中铟组分含量不相同。从上述的技术方案可以看出,在本发明实施例中,基于非极性衬底可以制备出非极性GaN基材料。由于非极性GaN基材料的极化效应不强,也就不会产生强度较高的内建极化电场,从而降低了电子和空穴波函数向量子阱的两侧偏移、电子和空穴波函数交叠变少的概率,进而提高了内量子效率及发光效率。
-
公开(公告)号:CN101814565A
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN201010116073.9
申请日:2010-03-02
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管芯片结构及其制造方法,该结构包括生长衬底以及位于生长衬底上的半导体外延层,所述生长衬底或者半导体外延层或者生长衬底和半导体外延层的横截面的边缘为锯齿形或波浪形。该结构增加了芯片侧壁的面积、调整了芯片的出光角度,明显改善了芯片的亮度。本发明通过侧壁微结构技术,提高了芯片整体的出光效率,出光效率提高25%以上。
-
公开(公告)号:CN101813275A
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN201010167595.1
申请日:2010-05-06
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21S8/00 , F21V23/00 , F21V19/00 , F21V29/00 , F21V5/04 , F21V17/12 , F21W131/103 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及了一种高散热性能大功率LED路灯,它包括一个由灯壳与二次光学透镜组成闭合空腔中安装一个光源组件,该光源组件由一个接通光源的电源控制模块连接一个高散热大功率LED模块构成,提高了大功率LED路灯的性能及可靠性,有利于LED道路照明的早日普及。
-
公开(公告)号:CN101430223B
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200810200753.1
申请日:2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置,属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量,其在常规光谱分析系统装置的基础上,再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统,其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量,再乘以PWM脉冲信号的占空比,进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础,与传统测试方法不背离,不引起新的近场吸收,且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号,测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量,并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
-
公开(公告)号:CN101779618A
公开(公告)日:2010-07-21
申请号:CN200910045469.6
申请日:2009-01-16
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海孙桥农业科技股份有限公司
Abstract: 一种采用单色LED灯对害虫进行选择性诱杀的方法,属消灭有害动物或有害植物用的设备领域。其利用LED发光器件的光谱波长单一性,采用可发出特定/指定波长的LED灯对指定种类的害虫进行诱杀或驱赶;其所述的LED灯为由多个LED发光器件构成的组合/复合式光源。由于其发光源只发出某种特定/指定波长的单色光或几种特定/指定波长的组合单色光,只对某一类或某几类害虫具有“吸引”性,可以避免现有技术中对各类昆虫的“广谱”吸引性,利用不同波长的单色光或单色光组合LED灯对当前高发的害虫进行有针对性的杀灭,是一种真正的生态型诱虫灯。可广泛用于农、林业的捕捉/杀灭/驱除有害昆虫领域。
-
公开(公告)号:CN101276868A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200810037354.8
申请日:2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及了一种通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺,它包括p型金pad、n型金pad、发光有源层、衬底、透明电流扩展层、填充体,其中发光有源层通过MOCVD设备生长在衬底上,其中间有一层过渡层,填充体填充在发光有源层被刻蚀的一个孔里,透明电流扩展层通过薄膜生长技术生长在发光有源层表面,p型金pad蒸镀在透明电流扩展层上面,n型金pad在发光有源层被刻蚀掉的一个角位置上,本发明避免了发光有源层耗能不出光的缺陷,从而达到提高出二极管的出光效率。
-
公开(公告)号:CN101276832A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200810037355.2
申请日:2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L27/15 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及了一种通过氧化锌透明电极串联微间距发光二极管芯片及其制造工艺,它包括n型金pad、透明电流扩展层、填充体、基板、p型金pad、p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触,连接p电极金属导柱、隔离沟、辅助电流扩展层、n型金pad,其中p型电流扩展层、p型电极接触、发光层、n型电极接触总称发光有源层,基板上制作有一绝缘层、导电层,发光有源层通过倒装技术倒贴在基板上,填充体填充在需要做金pad正下面的发光有源层被刻蚀掉的孔里,单个尺寸芯片有四个刻蚀孔,连接p电极金属导柱内嵌在两个连接这导电层的刻蚀孔里,透明电流扩展层通过薄膜生长技术制作在n型电极接触的上表面,n型金pad以及辅助电流扩展层通过蒸镀制作在透明电流扩展层上表面。通过氧化锌在微间距内实现芯片的串联,缩小了多芯片的尺寸,而且通过氧化锌的串联,相比于金丝串联,提高了可靠性。
-
公开(公告)号:CN101078509A
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200710043173.1
申请日:2007-06-29
Applicant: 上海隆光蜃景光电科技有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Inventor: 谢金崇
IPC: F21V29/00 , F21V19/00 , F21V5/04 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及大功率Led灯头,包括灯头底座、铝基板、透镜,所述的灯头底座的上表面设有凹槽,所述的铝基板上设有数个凹孔,该数个凹孔内分别绑定有大功率Led芯片,所述的铝基板固定于凹槽内,所述的透镜固定于铝基板的上方。与现有技术相比,本发明具有结构简单、体积小巧、外形美观、防水防尘等优点,且高度集成,功率高,单个灯头的功率就能达到10瓦~40瓦;本发明采用UV胶作为导热胶,不仅导热能力强,而且牢固可靠、抗紫外线辐射能力强。
-
公开(公告)号:CN101078501A
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200710042987.3
申请日:2007-06-28
Applicant: 上海隆光蜃景光电科技有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Inventor: 谢金崇
IPC: F21V19/00 , F21V29/00 , F21V5/04 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及大功率Led节能灯,包括大功率Led灯头、底座,所述的大功率Led灯头固定于底座上。与现有技术相比,本发明具有环保、寿命长、无辐射、免维护等优点,并且散热效果好。
-
公开(公告)号:CN103501435B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201310451115.8
申请日:2013-09-27
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H04N17/00
Abstract: 一种用密闭LED光源灯箱测试摄像机动态范围的方法及装置,属测试领域。其将密闭箱式分割成两个相邻的相互独立的第一/第二测试空间;在测试空间前部设置带有摄像机测试孔的前面板;在两个测试空间中分别设置LED光源;在LED光源与前面板之间分别设置透明测试卡;沿两测试空间纵向方向设置带有移动滑块的移动滑轨;LED光源设置在移动滑块上;LED光源控制端、移动滑轨控制端以及待测摄像机镜头图像输出端,与控制计算机I/O端口连接。其提供与外界隔离的密闭测试光源环境,两光源之间完全独立,没有任何串扰,LED光源的光学参数设置以及其与被测设备之间的距离及位置调整,均采用计算机控制,使得整个测试设备操作方便,测量精度大大提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-