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公开(公告)号：CN101552200B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810241108.4
申请日：2008-12-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/331
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散较快的第一导电类型的杂质离子，在重掺杂第一导电类型的集电区衬底或重掺杂第一导电类型的集电区埋层中形成掺杂浓度更高的第一导电类型的附加局部集电区隐埋层，并以此为扩散源，在随后生长低掺杂集电区外延层或热处理过程中向器件发射区窗口扩散、延伸形成杂质浓度呈倒梯度分布的局部选择性隐埋集电区结构，从而同时提高器件的fT和fmax，本发明在常规设备及工艺条件下，无需高能离子注入设备即可实现。
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公开(公告)号：CN101333419B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200810117832.6
申请日：2008-08-05
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种集成电路铜布线的无磨粒化学机械抛光液，包括去离子水、氧化剂和络合剂，其中，络合剂为2～40毫摩尔每升，氧化剂所占的质量百分比为1～20％，其余为去离子水。本发明中抛光液不含有抛光磨粒，从而避免了抛光液中磨粒对抛光表面造成的损伤，因此本发明抛光损伤小，且易清洗；抛光液呈碱性，pH≥8.5，对设备腐蚀小；根据铜抛光液的使用阶段，铜的抛光去除率可控制在100～4000nm/min之间，且可控；氧化剂同时起到络合剂的作用，可起到铜快速氧化去除的目的，另外，还具有工艺简化，价格便宜，成本低，速度可控。
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公开(公告)号：CN101392374B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810225705.8
申请日：2008-11-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/306 , C23F1/12
Abstract: 一种双控温氢氟酸气相刻蚀装置，一种对反应体和硅片衬底的温度分别可控的刻蚀装置。本发明提出的氢氟酸气相刻蚀装置主体包括一个具有温度调节及工作气体均匀性控制的反应腔体、样品台和一个利用控温液及相应传输通道对样品进行温度控制的控温液体腔室。通过加热反应腔体控制氢氟酸的挥发速度，从而实现对工作物质浓度和压力的控制。控温液体腔室通过传输通道和样品台连接，从而实现对样品台的直接温度控制。本发明由于可以对反应腔题和控温液体腔室分别加热，能同时控制反应气体参数和样品上本地工作温度，从而有效和灵活地控制和选择氢氟酸气相刻蚀速度和刻蚀质量，满足特殊结构的微米纳米加工要求。
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公开(公告)号：CN101214656A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810055898.7
申请日：2008-01-11
Applicant: 清华大学
CPC classification number: B25J15/0009
Abstract: 齿条欠驱动模块化拟人机器人多指手装置，属于拟人机器人技术领域，包括拇指、食指、中指、无名指、小指、手掌；中指、无名指、小指与食指结构相同，各采用1个电机驱动3个关节转动；手掌采用1个电机驱动拇指根部的侧摆转动，拇指采用1个电机驱动2个关节转动。该装置具有5个独立控制的手指、15个关节自由度，包括6个主动关节和9个欠驱动关节；各欠驱动关节均采用齿轮齿条及簧件驱动的一种模块化结构，电机、传动机构藏入手内，结构简单、重量轻、控制容易、集成度高；整个装置外观、尺寸和动作模仿人手，具有对不同形状、尺寸的物体自动包络抓取的功能，适合安装在拟人机器人上使用。
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公开(公告)号：CN100390132C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410091353.3
申请日：2004-11-23
Applicant: 中国石化集团南京化学工业有限公司磷肥厂 , 清华大学
IPC: C07C211/46 , C07C209/36
Abstract: 本发明公开了属于化工设备及化工原料制备技术范围的一种苯胺合成流化床中的气体分布器及苯胺合成方法。该气体分布器由输送气体的主管、分管及与相连的分配气体的环形管道，以及设置在环形管道上的向下喷射气体的喷嘴和向上喷射气体的喷嘴构成。本发明还公开了一种利用上述装置由硝基苯气相加氢制备苯胺的方法，主要包括控制向下喷射气体的喷嘴与向上喷射气体的喷嘴的数量，来调节气体分布器区的温度，从而来调控苯胺的质量。本发明具有可降低气体分布器区的最高及平均温度，减少催化剂上的结焦，延长催化剂寿命，提高苯胺纯度等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100357393C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510124127.5
申请日：2005-11-25
Applicant: 清华大学
IPC: C09K19/00
Abstract: 本发明公开了一种提纯液晶的方法。本发明所提供的提纯液晶的方法，是将活性炭纤维或者活性炭纤维与活性氧化铝的混合物加入液晶材料形成混合材料，将混合材料在有机溶剂中混合、搅拌，去除固体杂质和溶剂后，得到高纯度和高电阻率的液晶材料。本发明利用活性炭纤维或者活性炭纤维和氧化铝的混合物用于提纯单体液晶材料和混合液晶材料，所得到的液晶材料具有高纯度和高电阻率的特点，可广泛应用于TN、STN和TFT等液晶显示领域。
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公开(公告)号：CN1739923A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510086475.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进过程中，固定在外套筒一端的档头被外延生长反应腔真空阀门第一次挡住后，磁传动轴继续向前位移，使机械手夹臂张开实现放片功能；而在磁传动轴前进过程中，档头被阀门第二次挡住时，磁传动轴继续向前位移，却使机械手夹臂闭合实现取片功能，并依次循环往复。本发明具有硅片的存取准确可靠，重复稳定性好的优点，大大提高了单片三腔红外加热超高真空化学气相淀积外延系统的生产效率。
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公开(公告)号：CN1730452A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510088782.X
申请日：2005-08-01
Applicant: 清华大学
IPC: C07C43/247 , C07C41/30 , C09K19/18
Abstract: 本发明公开了二苯乙炔衍生物及其制备方法与应用。本发明所提供的二苯乙炔衍生物，结构如式I，见上式(a)，R为烷基；m为0或1。本发明二苯乙炔衍生物在分子的侧向引入一个甲氧基，由于该类基团空间体积较小，电偶距不大，因此能够增大液晶分子的宽度，在保持液晶分子向列相性能的同时降低熔点，增加溶解性；同时，可以保持该液晶分子的大光学双折射性能，并降低分子的熔点和清亮点。本发明化合物制备方法简单，性能优良，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1587785A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410068973.5
申请日：2004-07-15
Applicant: 清华大学
IPC: F17D5/00
Abstract: 一种管道腐蚀缺陷类型识别方法，该方法将管道漏磁检测器检测到的磁信号数据按管道轴向排列成行，管道周向排列成列组成一个数据矩阵；用一个检测阈值对数据矩阵进行过滤，超过阈值的矩阵元素置1，低于阈值的矩阵元素置0，形成了一个二值化的新矩阵，并将新矩阵中包含矩阵元素为1的最小连通域构成新的子矩阵；每个子矩阵中包含一个管道腐蚀缺陷信息，其数据分布代表缺陷类型特征；然后再对得到的子矩阵分别处理，以确定其缺陷类型。本发明利用检测到的漏磁场分布特征，根据简单的算法和国际标准可实现对大量漏磁检测数据快速分类处理，最终给出管道的完整性评价，方法简单，效率高，具有较广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1074064C
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN99126285.9
申请日：1999-12-24
Applicant: 清华大学 , 北京殷华激光快速成形与模具技术有限公司
IPC: D01D4/00
CPC classification number: B22C7/02 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , Y02P10/295
Abstract: 本发明涉及一种基于溶液的凝固堆积成形方法及装置，首先形成一个温度均匀的成形环境，然后使液体成型材料在一定压力下，沿所需成形的物理原型的轨迹从喷头喷出，与已成形部分粘结，逐层有序堆积，得到本发明的物理原型。本发明的成形装置，由扫描机构、成形环境、供液系统和工作平台组成。本发明提出成形方法和装置，克服了已有技术的缺点，降低成型费用，提高成型精度，并适应现代社会对产品个性化、小批量的要求。
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