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公开(公告)号：CN101359682A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810222241.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/737 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域一种自对准抬升外基区双极或异质结双极晶体管及其制备方法。首先在基区上面淀积多层介质层，接着通过刻蚀形成发射区窗口，然后在窗口内形成介质内侧墙。接下来在淀积或生长并刻蚀形成发射极材料的基础上，对上述多层介质层进行选择性腐蚀，并在选择性腐蚀介质牺牲层后腾出的位置内利用选择性外延的方法形成抬升外基区，且通过发射区窗口介质内侧墙的隔离作用实现抬升外基区与发射区位置的自对准，从而有效地减少了器件的基极电阻，进而可改善器件的速度、频率以及噪声性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872784B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010191020.3
申请日：2010-06-03
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，包括具有三面硅化栅极金属硅化物结构的低栅极电阻金属氧化物半导体场效应晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制备，利用多晶硅栅极刻蚀后保留的栅介质层的掩蔽作用，在多晶硅栅极的上表面和与多晶硅栅极相向的源端侧面及漏端侧面形成三面硅化栅极金属硅化物的结构，在重掺杂源区表面形成源区金属硅化物和在重掺杂漏区表面形成漏区金属硅化物；能够在栅极的多个表面生成硅化物，相当于增加了栅极电流的有效截面，为器件特征尺寸的持续缩小提供基础，因此能够在不牺牲器件击穿电压的前提下获得更低的栅极电阻和更好的器件性能。
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公开(公告)号：CN101359682B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810222241.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/737 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域一种自对准抬升外基区双极晶体管及其制备方法。首先在基区上面淀积多层介质层，接着通过刻蚀形成发射区窗口，然后在窗口内形成介质内侧墙。接下来在淀积或生长并刻蚀形成发射极材料的基础上，对上述多层介质层进行选择性腐蚀，并在选择性腐蚀介质牺牲层后腾出的位置内利用选择性外延的方法形成抬升外基区，且通过发射区窗口介质内侧墙的隔离作用实现抬升外基区与发射区位置的自对准，从而有效地减少了器件的基极电阻，进而可改善器件的速度、频率以及噪声性能。
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公开(公告)号：CN101552200A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200810241108.4
申请日：2008-12-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/331
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散较快的第一导电类型的杂质离子，在重掺杂第一导电类型的集电区衬底或重掺杂第一导电类型的集电区埋层中形成掺杂浓度更高的第一导电类型的附加局部集电区隐埋层，并以此为扩散源，在随后生长低掺杂集电区外延层或热处理过程中向器件发射区窗口扩散、延伸形成杂质浓度呈倒梯度分布的局部选择性隐埋集电区结构，从而同时提高器件的fT和fmax，本发明在常规设备及工艺条件下，无需高能离子注入设备即可实现。
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公开(公告)号：CN101552200B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810241108.4
申请日：2008-12-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/331
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散较快的第一导电类型的杂质离子，在重掺杂第一导电类型的集电区衬底或重掺杂第一导电类型的集电区埋层中形成掺杂浓度更高的第一导电类型的附加局部集电区隐埋层，并以此为扩散源，在随后生长低掺杂集电区外延层或热处理过程中向器件发射区窗口扩散、延伸形成杂质浓度呈倒梯度分布的局部选择性隐埋集电区结构，从而同时提高器件的fT和fmax，本发明在常规设备及工艺条件下，无需高能离子注入设备即可实现。
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公开(公告)号：CN101872784A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010191020.3
申请日：2010-06-03
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，包括具有三面硅化栅极金属硅化物结构的低栅极电阻金属氧化物半导体场效应晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制备，利用多晶硅栅极刻蚀后保留的栅介质层的掩蔽作用，在多晶硅栅极的上表面和与多晶硅栅极相向的源端侧面及漏端侧面形成三面硅化栅极金属硅化物的结构，在重掺杂源区表面形成源区金属硅化物和在重掺杂漏区表面形成漏区金属硅化物；能够在栅极的多个表面生成硅化物，相当于增加了栅极电流的有效截面，为器件特征尺寸的持续缩小提供基础，因此能够在不牺牲器件击穿电压的前提下获得更低的栅极电阻和更好的器件性能。
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