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公开(公告)号：CN102437230B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110382683.8
申请日：2011-11-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/111
Abstract: 基于SOI快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，包括p型半导体衬底，设有衬底接触电极，衬底上设有n型重掺杂源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层层、阻挡氧化层和控制栅。工作在电信号增大模式下时，首先对器件进行擦除，使电荷存储层中存有大量空穴，工作时，将栅极和衬底短接并浮空，源极接地，漏极加正电压，测试漏端电流；对器件进行擦除操作，使电荷存储层中存有大量空穴，工作时，将栅极和衬底短接并浮空，源极接地，漏极加正电压，电压大小为0.01V至3V，测试漏端电流。
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公开(公告)号：CN103227184A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310126156.X
申请日：2013-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本发明提出了一种基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列及其曝光操作方法，像素单元采用复合介质栅结构的光敏探测器，每个像素单元的源区和漏区是对称的，通过注入形成的P型衬底（1），相邻像素单元之间为N型注入区形成像素共用的漏极（2）或源极（7），若干数目的像素单元通过N型注入区相互串联构成一列，在一列（BL）的两端分别为两个选择开关晶体管，晶体管栅极控制端口漏极方向为SD，源极方向为SS，通过控制选择晶体管的开关来控制每一列信号的传输，用于控制一列的选择开启；其中每一条列中的每一行不同像素通过字线（WL）将栅极（3）连接，一条WL同时控制一行像素的栅极。
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公开(公告)号：CN102938409A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210442007.X
申请日：2012-11-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/374
Abstract: 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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公开(公告)号：CN102509559A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110376309.7
申请日：2011-11-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 提高非挥发性快闪存储器高密度多值存储特性的操作方法，1)首先将局部俘获型非挥发性快闪存储单元的初始状态调整到阈值电压-2V～-1V：采用双边的带-带遂穿热空穴注入(BBHH)的擦除方法进行调整到所述阈值电压；然后再进行瞬态的FN操作，促使沟道中电荷分布均匀；2)通过反复进行几次进行步骤1)，双边BBHH与FN操作步骤将初始状态调整到阈值电压为-2V～-1V，并且最终实现沟道区的阈值电压分布处处相同；3)以上述阈值为多值存储的初始状态，对NOR型局部俘获存储单元进行多值单元的编程操作；4)在达到编程状态后进行次短时间的-FN过程；本发明可达到提高存储器件的保持特性与耐受特性。
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公开(公告)号：CN101533845B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910030729.2
申请日：2009-04-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/113 , H01L29/788 , H01L29/423 , H01L31/18 , H01L21/336
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 双控制栅MOSFET探测器，探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区，分别构成MOSFET的源区(2)和漏区(3)，源、漏区的外部设有重掺杂的P型半导体区(4)包围，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层，所述光电子存储层是多晶硅；控制栅极是多晶硅、金属或透明导电电极；所述控制栅为分裂栅，设计为一个小控制栅和一个大控制栅；探测器单元的层次从上往下依次是控制栅、第二层绝缘介质层、浮置栅、第一层绝缘介质层和P型半导体衬底(1)；从控制栅往下到基底层设为对探测器探测光波透明的或半透明的窗口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101635782A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910184394.X
申请日：2009-08-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种基于动态时间延迟积分的图像获取方法及器件，由CCD/CMOS感光元件和TDI-CCD组成图像获取器件，通过对CCD/CMOS感光元件所读图像的分析控制TDI-CCD的积分时间，在图像未Blooming之前读出，最后进行图像处理得出景物图像。本发明根据景物图像的实际情况控制TDI-CCD的积分时间，使图像在未Blooming之前读出而不造成图像质量损失，最大限度保证TDI-CCD的积分时间，较好的保留了TDI-CCD的积分时间长的优势，并且得出的图像与景物光强成正比，因此本发明既能防止图像产生Blooming现象，保证图像不失真，又可以提高图像的信噪比。
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公开(公告)号：CN114841847B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202210316354.1
申请日：2022-03-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅结构的感存算一体器件，包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅光敏探测器和复合介质栅晶体管。其中，复合介质栅光敏探测器在衬底上方依次设有第一底层绝缘介质层、第一浮栅、第一顶层绝缘介质层和第一控制栅；复合介质栅晶体管用于完成其存储的权重和感光的光电子的调和平均数的运算，其在衬底上方依次设有第二底层绝缘介质层、第二浮栅、第二顶层绝缘介质层和第二控制栅；复合介质栅光敏探测器和复合介质栅晶体管分别在衬底内设有源极和漏极。本发明的器件能在信号读取的过程中完成调和平均数的运算，可以用来匹配后续图像处理单元的复杂运算，降低后续图像处理的算力需求和功耗。
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公开(公告)号：CN118507503B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410956977.4
申请日：2024-07-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 本发明公开了一种有效降低读出噪声的复合介质栅光敏探测器及其工作方法，属于成像探测器件技术领域。本发明通过在衬底中增加N型掺杂区，复位后将其排空作为光电子收集区，此时光敏探测器结构将存在两个光电子存储节点，分别是复合介质栅MOS电容衬底表面和衬底内部的N型掺杂区。在读取过程中，通过转移栅完成对光电子从衬底内部N型掺杂区到衬底表面的转移，在极短的时间内完成转移前后两次读出采样，实现相关双采样，极大程度上抑制了复合介质双栅MOSFET的读出噪声。同时通过漏端加高压，使得漏端耗尽区与衬底内部的N型掺杂区相连，此时接近雪崩状态，电流指数级上升，可在极短时间内完成复位过程，提升光敏探测器阵列工作帧率。
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公开(公告)号：CN116314223B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310130225.8
申请日：2023-02-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种有效降低随机电报噪声的复合介质栅光敏探测器。该探测器包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，二者通过衬底中设置的浅沟槽隔离区实现功能区的分离；复合介质栅MOSFET部分包括复合介质栅结构、形成于衬底上方的鳍状结构以及埋层介质层，鳍状结构位于复合介质栅结构和埋层介质层之间；鳍状结构包括垂直于衬底的源极和漏极，其中，漏极与衬底相邻，源极位于漏极上方，源极和漏极中间为鳍状衬底。本发明有效提高了晶体管的沟道宽度，进而降低了光敏探测器的时域噪声，解决了当前由于光敏探测器尺寸减小所带来的噪声增加的问题。
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公开(公告)号：CN118574028A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411028491.0
申请日：2024-07-30
Applicant: 南京大学
IPC: H04N25/70
Abstract: 本发明公开了一种复合介质栅光敏探测器的读出方法，属于集成电路领域。所述方法在复合介质栅光敏探测器的读出晶体管的源端连接一个电流源，通过对光敏探测器读取晶体管的栅端和漏端所加电压的控制使复合介质栅光敏探测器的读出晶体管在读取时工作在饱和区，实现源跟随器的功能，相比于典型的扫斜坡读出方法，该方法可以在数个时钟周期内完成从曝光到读取状态的转变，且不同于扫斜坡需要数百个时钟周期读取信号，该方法读取过程仅需要数个时钟周期，可以提供更快的读出速度，从而使得在读出过程中的双采样的时间间隔更小，有利于消除噪声；整个阵列的读出时间更短，有利于提高帧率。
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