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公开(公告)号：CN117031884A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311021903.3
申请日：2023-08-15
Abstract: 本申请涉及一种基于飞秒激光时空同步聚焦的线光场扫描刻写装置和方法，所述装置包括：包括按光前进方向依次设置的飞秒激光光源、一维扩束系统、光栅光阀、成像系统和位移台；飞秒激光光源用于发射飞秒激光至一维扩束系统；一维扩束系统用于将飞秒激光的光斑扩束为一维线形光斑后垂直入射至光栅光阀的表面；光栅光阀用于对一维线形光斑进行调制并将得到的一级衍射光发射至成像系统；成像系统用于将一级衍射光在成像系统的物镜焦面上进行时空同步聚焦，输出线形光场对待刻写目标进行刻写。采用本装置能够结合飞秒激光和光栅光阀进行线扫描刻写，提升刻写精度，实现任意复杂结构大面积高速扫描刻写和大面积高均匀结构、连续灰度结构的快速加工。
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公开(公告)号：CN116974143A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310700233.1
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光直写光刻胶及其在制备硅纳米图案中的应用。所述飞秒激光直写光刻胶包括未经改性或经过硅烷偶联剂改性的纳米硅颗粒、光引发剂、单体、树脂、分散剂和溶剂。本发明提供了所述的飞秒激光直写光刻胶在制备硅纳米图案中的应用，具体步骤为：(1)将涂有所述飞秒激光直写光刻胶的硅片放到飞秒激光直写系统的载物台上，开启飞秒激光直写系统，启动飞秒激光进行刻写；(2)将刻写后的光刻胶进行显影，得到微结构；(3)将得到的微结构于光刻胶组分中有机物的玻璃化转化温度以上进行加热，得到硅颗粒组成的硅纳米图案。本发明提供的硅基转移方案转移难度低，转移精度高，对比深硅刻蚀的转移方法极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN116859668A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310703748.7
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种阳离子型双光子光刻胶及其图案化方法。所述阳离子型双光子光刻胶含有环氧树脂、活性稀释剂、光酸型引发剂和敏化剂；所述的环氧树脂选自下列至少一种：苯酚型酚醛环氧树脂、邻甲酚型酚醛环氧树脂、双酚A型酚醛环氧树脂、四酚基乙烷四缩水甘油醚环氧树脂；所述的敏化剂选自下列至少一种：2‑异丙基硫杂蒽酮、5‑硝基苊、7‑二乙氨基‑3‑噻吩甲酰基香豆素、苯并蒽酮、9‑苯基吖啶、苯并噻唑、N‑乙烯基咔唑和酚噻嗪。本发明提供的阳离子型光刻胶的灵敏度高，既满足了高速刻写的需求，也不需要复杂的敏化剂合成步骤；双光子刻写的速度可以达到100mm/s，线条质量均匀清晰。
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公开(公告)号：CN112859534B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202011638382.2
申请日：2020-12-31
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种基于边缘光抑制阵列的并行直写装置和方法，该装置可产生N×N强度独立可控的高质量PPI阵列，每个PPI刻写点由干涉点阵暗斑和激发光重合而成，具有高通量超分辨刻写的能力。装置主要包括两路光：一路光通过四光束干涉产生等强度等间距的光斑点阵，点阵暗斑用作涡旋抑制光；另一路光通过MLA产生N×N激发光点阵，同时通过SLM和DMD分别调控各激发光的位置和强度，实现涡旋光阵列与激发光点阵精密重合且刻写点大小独立可控。该装置与方法通过产生相同刻写点大小的PPI阵列，可进行高均匀度三维结构的高通量超分辨直写加工，控制刻写点大小使其具有特定分布，还可并行加工任意曲面结构，可应用于超分辨光刻等领域。
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公开(公告)号：CN116719208A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310701857.5
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明公开了一种激光直写高速高精度铜基光刻胶及其半导体图案化方法。所述激光直写铜基光刻胶包括铜基光刻胶单体、双光子引发剂、抑制剂和溶剂；所述的抑制剂为TEMPO、BTPOS和DMPO中的至少一种；所述激光直写铜基光刻胶中，铜基光刻胶单体的质量为溶剂质量的2‑8％，双光子引发剂的质量为铜基光刻胶单体质量的0.25％‑2.5％，抑制剂的质量为铜基光刻胶单体质量的0.25％‑2.5％。本发明提供的铜基光刻胶在780nm波长的飞秒激光下聚合，最高精度可达亚50nm，最高刻写速度可达200mm/s，热解后可获得氧化铜半导体的微纳图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116625965A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310615053.3
申请日：2023-05-29
Abstract: 利用二次扰动激光的飞秒泵浦–探测微区测量系统及方法，包括飞秒激光器、分束镜、声光调制器、全反镜、超连续谱产生套件、连续激光器、电控位移台、二向色镜、反射式物镜、凸透镜、单色仪、光电倍增管、锁相放大器、滤光片、光纤光谱仪和计算机等部件。在探测部分利用反射式物镜替换凸透镜汇聚激发光和收集信号光，提高飞秒泵浦–探测技术空间分辨精度。本发明是利用二次扰动激光的飞秒泵浦–探测系统，用于分析连续激光对样品激发态弛豫过程的影响，提供对复杂超快光物理行为的进一步理解，进而优化材料设计方案。
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公开(公告)号：CN113985707B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111241114.1
申请日：2021-10-25
Applicant: 之江实验室
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种可控脉冲展宽与延时的超分辨激光直写装置及方法，该装置包括飞秒激光光源、二分之一波片、偏振分光棱镜、脉冲展宽器、能量调制器、相位板、直角棱镜、反射镜等部件。本发明将飞秒光源出射的飞秒光束分成两束光，对其中一束进行脉冲展宽与光强分布的调制，然后将两束光合束后入射到刻写系统，实现同波长的基于边缘光抑制的激光刻写。利用本发明的装置可以得到一束强度分布为高斯的飞秒光束和一束可调脉冲宽度、可调光强分布的光束，并且可以通过调控光程来精细调控分束后的两个光束达到刻写样品上的时间，精度可达皮秒量级，可用于高精度激光直写光刻系统。
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公开(公告)号：CN116430687A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310698595.1
申请日：2023-06-14
Abstract: 本发明涉及一种超分辨激光纳米直写光刻技术，具体涉及一种基于双光束的高通量超分辨三维刻写方法与系统，该方法为，合束光平行入射数字微镜器件并经数字微镜器件反射后入射微透镜阵列，于微透镜阵列焦平面处形成聚焦点阵，使该聚焦点阵成像于双光束光刻胶表面形成激发光束与抑制光束重合的刻写点阵，对双光束光刻胶进行曝光；合束光由激发光束与抑制光束合束得到；通过调节数字微镜器件区域微镜的开关状态，调控刻写点阵中各点处的能量；通过调节抑制光束的能量，使刻写点阵中各点于中心区域形成光刻胶聚合促进，于外围区域形成光刻胶聚合抑制。与现有技术相比，本发明实现了高通量、超分辨、三维纳米结构的刻写，大幅提升刻写精度与效率。
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公开(公告)号：CN115841423B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211589185.5
申请日：2022-12-12
IPC: G06T3/40 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/0475
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的宽场照明荧光超分辨显微成像方法，包括训练集原始图像获取，训练数据集制作，网络训练、损失函数构建，超分辨图像重建等步骤，本发明仅通过一张宽场图片即可实现超分辨SIM重构，成像速度快，降低了光毒性，提升了时间分辨率；训练集需要使用SIM系统采集，一旦训练完成之后即可基于普通的宽场显微镜系统完成超分辨成像，光路简单，样品要求低，普适性强。
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公开(公告)号：CN115185160B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211099107.7
申请日：2022-09-09
Abstract: 本发明公开了一种基于纤维素衍生物的激光直写光刻胶组合物及图案化方法，其特征在于，按质量百分比计，由4‑8wt%纤维素衍生物，4‑8wt%活性单体，0.1‑0.5wt%光敏剂及85‑90wt%溶剂构成。由纤维素衍生物作为飞秒激光直写光刻胶的固态成膜树脂，可以在光刻胶涂膜后将光刻胶固态化，并通过空气物镜的方式进行飞秒激光直写加工，而无需使用折射率匹配油，以方便进行大面积激光直写，并节省光刻胶的用量。同时，纤维素衍生物来源广泛，价格便宜，具有优异的生物可降解性，采用的活性单体和光敏剂也均具有生物相容性，最终光刻胶组合物几乎无毒，使用完毕后可快速的生物降解，不会对环境造成污染。
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