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公开(公告)号：CN101286363A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810036618.8
申请日：2008-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器驱动电路，其特征在于采用两级电流镜结构，第一级为由NMOS管形成的电流镜电路，第二级为由PMOS管形成的电流镜电路，第一级与第二级电流镜电路相互连接，并且第二级的输出信号最终耦合至位线。在第一级与第二级电流镜电路之间加入控制开关，控制读、写、擦除操作电流的脉冲时序。所述的电流镜结构第二级电流镜电路采用共源共栅或其改进电流结构，可抑制驱动电路中电流镜的沟道长度调制效应的影响，从而使相变存储器的驱动电路镜像电流的误差减小或消除，并且后级负载对前级电路的影响减弱，达到电流一致性。所提供的驱动电路是为驱动相变存储单元发生可逆相变，实现信息存储的一种电流脉冲电路。
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公开(公告)号：CN101284903A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710047742.X
申请日：2007-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种对硝基化合物有传感功能的荧光共轭聚合物及其应用，其特征在于在芴单元的碳－9位置引入含末端醇和醚以及末端氨基或仲氨的碳链取代基，然后与含有增溶基团的功能性单体共聚而成；所述的荧光共轭聚合物的结构通式中，R1：CnH2nOH、CnH2nOCmH2m+1、－(CH2CH2O)m－、CnH2nNH2或CnH2nNH－CmH2m+1，n和m均为从0到20的正整数；n、m可为相同正整数，也可为不同正整数，但不能同时为零；R2等于R1，或不等于R1，为离子型、非离子型长链取代基，或含离子型、非离子型长链的其它取代基；Ar：为芳基，K为聚合物的重复单元数。所述的聚合物对TNT、硝铵和太安的检测，且当羟基的芴单元的含量由57％减少为50％时，聚合物对TNT的传感灵敏度下降。
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公开(公告)号：CN101267017A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810034940.7
申请日：2008-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种管状相变存储器单元结构及制作方法，所述的相变存储器单元结构包括上电极、下电极以及存储部分。单元结构的基本特征是：相变材料分布在孔的侧壁，利用孔中相变材料的截面积小电阻大，在读写操作中通过自身发热完成相变，同时在环形相变材料的两端通过加相变材料保温层作为封盖形成管状，以提高读写操作中热量的利用效率，存储部分为一个上下用相变材料封盖的管状结构，里面填充金属、绝缘绝热材料或者高阻材料。本发明的存储器结构可以降低写操作电流、功耗小、热量利用率高、数据保持性能好，可以提高在芯片中器件的阻值一致性。
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公开(公告)号：CN101267016A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810033601.7
申请日：2008-02-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器单元器件结构的改进，其特征在于在圆形的下电极上方，通过一定厚度同心圆柱的介质层，实现加热相变材料的热能向下输运的有效控制，一方面很好地保护了构成PCRAM芯片下面的CMOS电路不受较大热能与载流子的冲击，另一方面在减小相变材料与底电极直接接触面积的同时也获得了很好的保温效果，同时，介质层与很小的相变区域可以把下电极封盖住，很容易实现reset过程，同时上电极与相变材料的界面也可用相同同形圆柱的设计方法，这样一来，上下结构与电极对称，使电场均匀，导致的热场均匀，有利于低电压、低功耗与高速存储的实现，且考虑与CMOS工艺的集成。
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公开(公告)号：CN101226989A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810032862.7
申请日：2008-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层位于相变材料和电极材料之间；过渡层材料的电阻率在10－6欧姆米和1016欧姆米之间，过渡层材料的热导率在0.01W/m·k到30W/m·k之间。过渡层的厚度＜10nm，且与相变材料或电极材料间具有黏附力。所述的单层或多层结构的过渡层可有效阻地挡相变材料和电极间的相互扩散，提升电极的加热效率，同时减少了向电极和氧化物的扩散的热量，使更多的热量被用在相变材料加热上。不仅提高了热量的利用率，降低了功耗，而且增加了相变存储器高、低阻间的差异；将相变材料中的最高温度区域向加热电极移动，有效将相变材料的熔化控制在电极周围，提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN100397676C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410053567.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及制备相变存储器(PRAM)所用的相变材料电性能表征的方法，其特征为：通过探针与W/SiO2/Si衬底上相变材料构成存储单元，相变区域首先发生在针尖与相变材料的接触部位，可逆相变区域(纵向与横向尺度)大小与针尖面积、施加在针尖上的电能有关，针尖面积规定了存储器的器件尺度，相变材料非晶到多晶的转变可通过探针接口上的I-V测试系统来实现，一定的电压、电流范围，多次操作，相变区域可由小变大，直致最大饱和尺度。多晶向非晶的转变，可通过PRAM测试系统来实现，转变区域可通过电压脉冲信号脉高、脉宽来控制。该系统可实现对材料可逆相变操作，实现存储单元读、写、擦与疲劳特性的研究。
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公开(公告)号：CN100397561C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410053564.8
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种简单易行的纳电子相变存储器器件单元制备方法。本发明通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出构成器件的各层薄膜，采用纳米加工技术制备出小孔，然后在孔内填充电极材料或相变材料，最后把两个电极引出后即可制备出相变存储器的器件单元，器件单元中发生相变区域的尺寸在2-1000nm范围。只制备一个孔时可得到一个器件单元；制备阵列孔时可得到阵列器件单元；阵列器件单元与CMOS管集成后可得到相变存储器器件。本发明的相变存储器器件单元的制备方法只涉及薄膜制备工艺和纳米加工技术，器件结构简单，器件制备方法容易实施，可以很容易制备出纳米尺寸的相变存储器器件或器件单元，实现存储器由微电子向纳电子器件的转变。
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公开(公告)号：CN101170486A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200610117606.9
申请日：2006-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出一种无线传感器网络三层体系构架，底层为随机布设末梢感知微传感器网络，能快速自动组成分簇、网状、树型等灵活的网络拓扑，完成信息感知、单节点多传感器数据融合、多节点协同处理与融合等功能；中层为中程无线MESH传感器网络，由固定和移动节点组成，可与底层通信，完成层间协同处理与融合、高速数据传输等功能；顶层为光纤等其它接入网络，提供更大的冗余机制和通信负载平衡能力。可缓解四大受限，用于军事侦察、环境监控、公共安全等领域。
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公开(公告)号：CN100383994C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510110783.X
申请日：2005-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器单元的方法，具体包括硫系化合物纳米材料的制备方法及其用于制备相变存储器器件单元的方法。通过采用在一维绝缘的纳米材料表面覆盖一层硫系化合物薄膜，制备出硫系化合物纳米材料，进而再采用纳米加工技术，把硫系化合物纳米材料与相变存储器器件单元的电极集成在一起，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于纳米结构材料的制备工艺比较成熟且尺寸可以很小，很容易制备出小尺寸的硫系化合物纳米材料。把硫系化合物纳米材料应用到相变存储器器件单元，利用硫系化合物纳米材料截面积可以很小的特征，大大增加电流密度，提高硫系化合物有效相变区域的热效率，降低操作电流，减小功耗。
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公开(公告)号：CN101101961A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710043924.X
申请日：2007-07-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及相变存储器器件单元的结构及其制备方法，其主要特征在于采用与加热电极和上电极相连的环形相变材料作为存储信息的载体。通过采用合适的薄膜制备技术和纳米加工技术，制备出环形相变材料，通过上下电极引出，并与开关和外围电路集成，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于环形相变材料的壁厚可以控制在很小的纳米尺度范围，相变材料的截面积可以很小，大大增加电流密度，提高相变材料有效相变区域的热效率，降低相变存储器器件单元的操作电流，减小功耗。
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