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公开(公告)号：CN103094476B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310018505.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种相变合金材料的无损刻蚀方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在该半导体衬底上形成相变合金材料层；在所述相变合金材料层的上表面形成刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层，以使预设部分的相变合金材料层的表面暴露出来；使暴露出来的相变合金材料层的表面浸没于含有溴化氢与氦气的刻蚀气体中；将所述刻蚀气体激发成等离子体以刻蚀暴露出来的相变合金材料层至所述半导体衬底上。本发明的优点在于，采用了溴化氢的刻蚀气体，可以减少刻蚀过程中的侧向腐蚀，氦气作为惰性气体，可以避免引入氧气或氮气而导致的材料表面性能改变，从而获得清洁、平整、陡直且无侧壁损伤的相变合金材料图形。
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公开(公告)号：CN105047816A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510391019.8
申请日：2015-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的组分通式为CrxGe2Sb2Te5，其中，x为Cr元素的原子比，且满足0.5
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公开(公告)号：CN103500795B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310461919.6
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器电极结构的制备方法，首先在硅衬底上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，然后刻蚀形成贯通第一绝缘层和第二绝缘层的圆孔状凹槽Ⅰ；在凹槽Ⅰ内沉积钨材料；再通过干法回蚀刻蚀填充于凹槽Ⅰ内的钨材料至其上表面与第一绝缘层的上表面齐平，形成圆孔状凹槽Ⅱ，沟槽Ⅱ底部的钨材料作为下电极；然后在凹槽Ⅱ的内表面及第二绝缘层的上表面上沉积导电薄膜层，继而在沟槽Ⅱ内填充第三绝缘层材料，然后化学机械抛光去除第二绝缘层上表面上多余的第三绝缘层材料和导电薄膜层，剩余导电薄膜层作为上电极；本方法具有大大提高器件的良率，并提高硅片内环形电极高度的均匀性，使得相变过程中的电阻分布变窄，提高器件的稳定性的特点。
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公开(公告)号：CN104779349A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510177956.3
申请日：2015-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元包括：镶嵌于衬底中的至少一个下电极；连接于所述下电极上方的刀片状加热电极；连接于所述刀片状加热电极上方的刀片状相变材料结构；连接于所述相变材料结构上方的上电极。本发明的相变存储单元中采用刀片状加热电极及刀片状相变材料结构，所述刀片状加热电极及刀片状相变材料结构相互交叉接触。由于刀片状加热电极和刀片状相变材料结构的厚度尺寸非常小且容易控制，二者交叉接触可实现接触面最小化，达到进一步缩小相变存储单元的相变区域的目的，从而大大降低器件功耗。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102779941B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210300829.4
申请日：2012-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种低功耗的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括上下两个电极，该上下两个电极中至少一个为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。本发明还提供了制作低功耗相变存储器的方法，本发明所制作的相变存储器有效地将焦耳热抑制在相变材料区域，提高了加热效率，降低了器件功耗。
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公开(公告)号：CN101661992B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200810042218.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；4.整个相变存储单元的相变材料除电极外被高密度的SiO2等介质材料包覆。优势在于：减小相变存储单元的热扩散，提高加热效率，降低操作电流，减小功耗；防止原子扩散，保证相变材料成分稳定；提高可逆相变区域材料的成核生长速率，提高存储速度，提高其与小电极接触的有效性与可重复性；解决相变材料与顶层金属粘附性差的问题；简化工艺步骤，提高工艺的可集成性。
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公开(公告)号：CN103559909A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310534339.5
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一设有字线的衬底，在所述字线上制备若干导电通孔下电极；在所述导电通孔下电极层上制备选择开关器件；继续制备与选择开关器件接触的导电互连通孔电极；接着制备与其接触的半导体激光器；在所述半导体激光器层上制备与其接触的导电透明电极；继续制备与其接触的相变材料层；继续在所述相变材料层上制备导电反射层；接着在所述导电反射层上制备导电通孔上电极并形成位线。该相变存储器单元的特点是利用激光信号实现信息的写入和擦除，利用电信号实现信息的读出，从而充分利用了激光写入的高速特性和电信号读出的高信噪比特性，实现高速的相变存储器。
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公开(公告)号：CN102361063B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110306843.0
申请日：2011-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料是一种由铜、锑、碲三种元素组成的材料，其通式为CuxSbyTez，其中0＜x≤40，15≤y≤85，15≤y≤85。这种材料可以通过调节材料中三种元素的含量得到不同结晶温度、熔点和结晶速率，适当调节Cu-Sb-Te中元素比例，进而可以得到比传统的Ge2Sb2Te5(GST)具有更高的结晶温度、更好的热稳定性、更低的熔点和更快的结晶速度。另外，铜互联是目前超大规模集成电路中的主流互联技术，该技术的广泛应用使得Cu元素的加工工艺趋向成熟，因而本发明的Cu-Sb-Te相变材料易于加工，与COMS兼容性好。
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