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公开(公告)号：CN101917118A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010260343.3
申请日：2010-08-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种开关式DC-DC变换器的数字预测控制系统与方法，该系统包括：采样和A/D转换模块、预测模块、控制算法模块、DPWM模块和DC-DC主功率电路。采样和A/D转换模块从DC-DC变换器的主功率电路中采样输出电压的模拟信号并转化为数字信号作为实测值；预测模块根据该实测值产生下一个开关周期输出电压的预估值；控制算法模块利用实测值和预估值确定下一个开关周期功率管的控制占空比；DPWM模块通过该占空比生成PWM信号控制DC-DC主功率电路结构中功率管的通断。本发明能有效补偿数字控制电源系统的环路时延，提高系统的动态性能。
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公开(公告)号：CN101872785A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010198486.6
申请日：2010-06-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括N型碳化硅衬底，在N型碳化硅衬底上设N型外延层，在N型外延层内设源和P型漂移区，在P型漂移区内设有漏和N型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与P型漂移区之间的N型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在N型保护环的表面、漏的表面以及N型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在N型碳化硅衬底与N型外延层之间设P型浮置埋层，且所述P型浮置埋层位于N型碳化硅衬底与N型外延层交界面上。其制备方法是选择N型碳化硅衬底后，采用注入硼离子的方法制备P型浮置埋层，再进行其它常规操作。
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公开(公告)号：CN101488523B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200910024951.1
申请日：2009-02-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、P型掺杂半导体区和N阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在P型掺杂半导体区内设有N型反型层且N型反型层位于P型漏区和P型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使P型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的电子集聚在P型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。
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公开(公告)号：CN101783582A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010114570.5
申请日：2010-02-26
Applicant: 东南大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公布了一种死区时间可调的单输入双输出脉宽调制信号产生电路，包括主脉宽调制信号产生电路(1)、从脉宽调制信号产生电路(2)和输出使能电路(3)，其中主脉宽调制信号产生电路(1)和从脉宽调制信号产生电路(2)的输入端接单路输入的脉宽调制信号(PWM_in)，主脉宽调制信号产生电路(1)和从脉宽调制信号产生电路(2)的输出端分别接输出使能电路(3)的输入端。本发明易于实现，可靠性好，成本极低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101753000A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910263229.3
申请日：2009-12-17
Applicant: 东南大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公布了一种栅极浮置及电平转换的功率MOS管栅极驱动电路及方法，本发明所述驱动电路包括上管驱动电路和下管驱动电路，其特征在于所述上管驱动电路包括第一至第四电阻、自举电容、第二电容、第一和第二二极管、第一和第二PNP型三极管以及第一NPN型三极管，所述下管驱动电路包括第五至第九电阻、第三和第四电容、第三二极管、第三和第四PNP型三极管以及第二NPN型三极管。本发明方法实现上下功率MOS管结构的栅极驱动电平转换、下管栅极驱动及上管栅极浮置驱动。本发明不采用任何驱动芯片，仅用电阻、电容、三极管等普通分立元器件构成，成本低、可靠性、稳定性高且驱动效率高。
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公开(公告)号：CN101217162B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810019332.9
申请日：2008-01-04
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种高压N型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱上设有P型接触孔、N型源及场氧化层，在N型漂移区上设有N型漏及场氧化层，其特征在于位于P型阱上方的栅氧化层部分的厚度小于位于N型漂移区上方的栅氧化层部分并由此分别形成薄栅氧化层和厚薄栅氧化层，在P型阱内设有P型杂质注入区且该P型杂质注入区位于薄栅氧化层的下面。本发明还公开了高压N型金属氧化物半导体管的制备方法。本发明有益效果在于大幅降低了鸟嘴区域热载流子注入现象，提高了器件整体寿命；保证器件开启电压、饱和电流等基本电特性和普通结构器件保持一致；具有较好的兼容性。
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公开(公告)号：CN101078944B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710022265.1
申请日：2007-05-11
Applicant: 东南大学
IPC: G06F1/08 , H03K5/1252
Abstract: 一种时钟切换电路，尤其是涉及一种无毛刺时钟切换电路。包括有数据选择器、级联的三级同步电路、延时电路和门控电路，数据选择器切换输入的时钟信号产生有毛刺的时钟信号，三级同步电路同步于数据选择器输出的时钟信号，第一级同步电路和第三级同步电路的输出信号在门控电路中进行异或，用于屏蔽时钟信号切换后产生的毛刺，延时电路使时钟信号延时，避免时钟信号边沿与同步电路输出的电平同时翻转，从而产生新的毛刺，本发明时钟切换电路用于具有多路时钟信号的系统中，实现时钟的无毛刺切换。
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公开(公告)号：CN101514922A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910030321.5
申请日：2009-03-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种线性高动态范围红外读出电路，设有包括单元电路、列读出级和输出缓冲级、时序产生电路、行选择电路、列选择电路，其特征是：单元电路包括用于控制单元电路积分时间的积分控制单元、用于控制单元电路中积分电容复位的复位控制单元、用于选择单元电路积分电容大小的积分电容自选单元、自选积分电容控制信号产生单元及传输单元。本发明可在积分过程中对积分电容进行自动选择，在小的光电流情况下采用小的积分电容，在大的光电流情况下采用大的积分电容。一方面减小光电流为零情况下的噪声等效电荷，另一方面增加了读出电路的最大电荷存储容量，从而总体上提高了动态范围。
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公开(公告)号：CN100478824C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610161589.9
申请日：2006-12-28
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明提供了一种便于在标准CMOS工艺上实现的输出电压可调式CMOS基准电压源。包括启动电路，正温度系数电流产生电路，负温度系数电流产生电路及基准电压产生电路；启动电路的输出端接正温度系数电流产生电路的输入端，正温度系数电流产生电路的第一输出端分别与负温度系数电流产生电路的第一输入端和基准电压产生电路的第三输入端连接，正温度系数电流产生电路的第二输出端分别与负温度系数电流产生电路的第二输入端和基准电压产生电路的第四输入端连接，负温度系数电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端，基准电压产生电路具有基准电压输出端，输出基准电压。
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