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公开(公告)号：CN118843366A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410813192.1
申请日：2024-06-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于毛细效应驱动量子点自组装制备高分辨量子点发光二极管的方法，属于发光二极管等发光器件技术领域。按照基板‑空穴注入层‑空穴传输层‑发光层‑电子传输层‑金属电极的顺序制备高分辨率量子点发光二极管，其中发光层的制备方法为：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将量子点通过溶液法沉积到聚合物沟槽中，在毛细效应驱动下，量子点会向聚合物沟槽内壁移动并堆积成量子点条纹，将沉积有量子点阵列的聚合物衬底转印至基板后，将基板浸入热溶剂中以将聚合物去除，留下发光量子点阵列。本发明方法操作简易，产率高，适用于高分辨率量子点发光二极管的大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN118647247A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410773674.9
申请日：2024-06-17
Applicant: 福州大学
IPC: H10K71/18 , H10K50/115 , H10K50/86 , H10K50/18 , H10K59/35
Abstract: 本发明提供一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其全彩发光层通过以下方法进行制备：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将不发光的材料通过溶液法沉积到聚合物沟槽中形成条纹；然后通过溶液法沉积第一量子点至所述条纹之间的空隙中，接着将成型后的量子点纵向转印到基板上，之后将基板浸入热溶剂中将聚合物洗去，以留下被不发光条纹裹夹的第一量子点条纹；再用同样的方法横向转印制备第二量子点条纹；最后将第三量子点通过溶液法沉积到第一、第二量子点的交叉条纹的空白位置中，形成被不发光条纹阻隔的全彩量子点阵列。
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公开(公告)号：CN117937247A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410114050.6
申请日：2024-01-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种周期性排列光学材料耦合制备量子点激光光源的方法。通过调制光子晶体微腔与量子点发光波长之间的共振耦合，实现连续光谱激光器光源。所述光子晶体微腔的制备方法为：预先制备具有特殊周期性排列形状的PDMS印章，在底发射量子点器件出光电极一侧旋涂HPC材料，将预先制备好的PDMS印章在压印出周期性排列图样，然后在上面旋涂沉积光学材料，旋涂完毕后用溶剂将HPC材料洗去，得到具有一定周期性空气孔的光子晶体微腔，此光子晶体微腔光学性质的调制可通过调节PDMS印章模板实现。该方法可在底发射量子点器件的出光侧构建一个具有特定能带结构的的光子晶体微腔，从而获得高亮度，高品质的激光光源。
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公开(公告)号：CN117928646A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410109114.3
申请日：2024-01-26
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于QLED光电突触结构实现声音和压力感知的方法，应用于声音信号检测和皮肤压力传感的方法。该方法提供一种QLED光电突触器件结构将声音感知和压力感知结合的器件结构。本发明公开了基于QLED光电突触器件结构对声音和压力感知可应用于声音信号检测和皮肤压力传感的方法。通过输入压力信号转化为压电薄膜传感层的形变程度和通过传感层的转化形成的电信号改变QLED光电前突触器件结构中的载流子的移动，使得前突触器件结构发射出带有形变信息的光信号到QLED光电后突触器件结构中，可以经过滤波器和信号放大器结构实现对声音的播放和建立对压力的感知。本发明利用了QLED光电器件的光响应特性来实现对声音的传输和压力的感知。
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公开(公告)号：CN117915679A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410111420.0
申请日：2024-01-26
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/80 , H10K71/00 , H10K50/805 , H10K71/60
Abstract: 本发明涉及一种利用巨磁电阻结构实现高分辨率量子点发光显示器件的结构及制备方法。所述制备方法包括：首先，在器件的阳极上，即，透明导电的ITO上，依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和金属阴极。而后，再在金属阴极上沉积包含两层磁性材料和夹着的一层非磁性材料的巨磁电阻。最终，得到我们想要的器件。在一个外加磁头的控制下，我们可以控制巨磁电阻的电阻状态，以此来实现器件的导通或者关闭状态，进而可以实现高分辨显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937244B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111005348.6
申请日：2021-08-30
Abstract: 本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN115996586A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211580440.X
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于球型核壳CdS/Cu2S/CdS量子阱发光层的QLED制备方法，其是由硫化镉为核、硫化亚铜为中间层、再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，通过热注入法、一锅法、旋涂镀膜、退火结晶、热蒸镀等工艺，制备出含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件。本发明所得核壳量子阱结构新颖，具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，且所得器件结构稳定高效，具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN114649491A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210261628.1
申请日：2022-03-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于光刻工艺的倒置结构钙钛矿QLED器件，包括透明导电衬底ITO以及在透明导电衬底ITO层上依次沉积的电子传输层、图案化量子点薄膜、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极。本发明不仅克服了钙钛矿量子点与传统光刻工艺不兼容的缺点，还溶剂对功能层的影响，可以实现钙钛矿量子点的图案化和QLED器件制备。
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公开(公告)号：CN112428646B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011430716.7
申请日：2020-12-09
IPC: B32B27/28 , B32B33/00 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B17/00 , B32B37/24 , B32B38/14 , B41M3/14
Abstract: 本发明涉及一种基于光学凸起面的可双层识别量子点防伪标签及制备方法。包括基板层，在基板层上设置的光学凸起面层和量子点发光层，以及在最上面的盖板层。通过在随机分布且密度可控的光学凸起上采用打印或是印刷工艺制备量子点发光层，通过盖板层进行封装后，利用光学颗粒的匀光能力和光学凸起面带来的空间落差，可以对同一个平面区域的不同高度采集到不同的不可复制的图案。本发明提出的可双层识别量子点防伪标签，其工艺过程简单、成本低，化学性质稳定，可适配柔性可拉伸应用，结合量子点的丰富色彩可实现多种颜色的双层递进式防伪，通过建立两套智能标签学习库，即可实现图像的识别。该量子点防伪标签的双层识别设计兼顾易检测性和防伪能力。
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公开(公告)号：CN113937243A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984776.1
申请日：2021-08-26
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法。先将基板浸入H2SO4:H2O2为3:1(v:v)的溶液中，从而使基板表面获得羟基，增加亲水性。接着利用含有阵列的PDMS模板将溶于己烷的十八烷基三氯硅烷(OTS)转移至基板上，形成具有亲疏水性图形化的基板，最后利用LB技术将量子点在基板上自组装形成高PPI量子点阵列。该方法具有方法简单，扩展性强，可在同层制备不同材料的优势。
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