一种基于视觉追踪的雷达自动校准装置

    公开(公告)号:CN116699543A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310744879.X

    申请日:2023-06-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于视觉追踪的雷达自动校准装置,涉及追踪雷达自动校准领域,解决了现有技术不方便对目标进行自动的定位追踪,且的现有的追踪识别方式多为对直接对人体胸部进行定位,而容易导致偏差,进而降低定位精确性的问题,现提出如下方案,其包括底座、计算机、舵机模块、支撑架、安装、定向雷达模块、控制中心单元,所述安装板的前侧面安装有视频采集模块,所述底座的下端还安装有单片机开发板,所述舵机模块、定向雷达模块、控制中心单元、定向雷达模块、单片机开发板彼此间控制电路连接。本发明提出加入视觉追踪系统,配合雷达系统,实现被监测目标发生位移时雷达指向能够追踪被检测目标,保证监测的精确性和稳定性的特点。

    一种基于光子学太赫兹跳频源的超宽带跳频通信系统

    公开(公告)号:CN116683940A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310966296.1

    申请日:2023-08-02

    Abstract: 本发明属于太赫兹通信技术领域,具体为一种基于光子学太赫兹跳频源的超宽带跳频通信系统。包括发射端和接收端,发射端包括第一光子学太赫兹跳频源和发射天线,接收端包括接收天线、太赫兹低噪声放大器、太赫兹功分器、第二光子学太赫兹跳频源、跳频同步模块、太赫兹混频器和基带信号解调模块;通过发射端的第一光子学太赫兹跳频源、接收端的第二光子学太赫兹跳频源,实现太赫兹频段的超带宽跳频通信系统,解决了传统电子学跳频方案无法满足太赫兹频段的跳频问题。

    基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法

    公开(公告)号:CN116525384A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310563149.X

    申请日:2023-05-18

    Abstract: 本发明提出了一种基于牺牲层的水平纳米空气沟道晶体管制备方法,属于半导体晶体管技术领域。本发明方法首先在绝缘衬底上依次沉积导电薄膜和牺牲层薄膜;再形成光刻胶‑牺牲层图案;然后侧向去除部分牺牲层薄膜,使光刻胶的边缘悬空;再沉积掩膜薄膜,形成水平纳米空气沟道;最后剥离多余部分,留下电极,完成水平纳米空气沟道二极管的制备。本发明方法通过控制牺牲层的侧向去除深度,可实现对水平纳米空气沟道尺寸控制精度达到纳米级;同时,具有成本低、简便易行,与半导体工艺完全兼容,且重复性、稳定性和一致性良好的优点,适用于大面积晶圆级纳米空气沟道晶体管阵列的批量生产,具备真正的实用性。

    基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管

    公开(公告)号:CN116313690A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211455190.7

    申请日:2022-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管,属于晶体管技术领域。包括绝缘衬底,设置于其正面的多层薄膜阴极、阳极,阴极和阳极之间构成纳米空气沟道;多层薄膜阴极由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成;阳极由导电材料构成,或者由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成;多层薄膜阴极和多层薄膜阳极的一侧还设置有导电侧壁,用于各导电薄膜层之间实现电连接。本发明通过多层薄膜锐利边缘结构获得较大的场增强因子,并利用多层薄膜串联发射有效增大晶体管的场发射电流,同时由于垂直刻蚀或腐蚀工艺可以较为容易地实现90度侧壁,保持多层薄膜中每层发射结构的全同性,实现多层薄膜串联下同时发射电子以保持稳定的发射电流。

    一种基于二维隐马尔可夫模型的飞行器通信频谱预测方法

    公开(公告)号:CN116132994A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310135880.2

    申请日:2023-02-20

    Abstract: 本发明属于通信技术领域,具体涉及一种基于二维隐马尔可夫模型的飞行器通信频谱预测方法。本发明使用二维隐马尔可夫模型,用于联合信道频谱的时域相关性和频域相关性,以此进行当前地点的下一时刻频谱状态预测。在此基础上引入非线性同伦方法,增加空间域信息,实现对下一地点下一时刻的频谱状态预测。本发明充分利用了时频二维信息进行准确的频谱预测,摆脱传统的定点预测,在飞行器移动通信途中缺乏历史频谱信息的情况下,依旧可以进行预测。本发明联合时域和频域相关性信息,并实现了飞行器飞行期间进行动态频谱状态预测,为频谱共享等通信手段提供了参考依据。

    一种中小功率GaN单片收发前端电路
    157.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115567073A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211057155.X

    申请日:2022-08-30

    Inventor: 杨帆 徐跃杭

    Abstract: 本发明属于半导体集成电路领域,涉及一种中小功率GaN单片收发前端电路。包括:开关A单元、功率放大器单元、低噪声放大器单元、数控衰减器单元和开关B单元,通过控制开关A单元和开关B单元的导通模式,配合低噪声放大器单元实现了GaN半导体工艺下收发前端电路的单片集成,且集成后在可靠性、效率、尺寸、稳定性以及一致性等综合性能上都得到了提升,当其应用于相控阵雷达时,能够有效提高有源相控阵雷达的性能。

    一种基于粒子入射随机性的单粒子故障注入方法

    公开(公告)号:CN109918723B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN201910090817.5

    申请日:2019-01-30

    Abstract: 本发明提出了一种基于粒子入射随机性的单粒子故障注入方法,解决了传统电路级单粒子效应仿真中故障注入模型无法模拟粒子入射的随机性导致仿真精度差的问题。该方法通过最劣情况下单粒子瞬态效应的实际脉冲电流特性曲线修正器件单粒子瞬态电流源模型,并基于中心极限定理实现具有高斯分布单粒子脉冲故障注入模型,还根据被测电路的版图信息以及器件单粒子效应敏感区域信息计算有效入射概率,进而得出符合实际的有效入射粒子数量,从而模拟粒子入射的随机性,提高了仿真精度。

    基于多参数融合的室内定位基站布设优化方法

    公开(公告)号:CN113259884B

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202110547058.8

    申请日:2021-05-19

    Abstract: 本发明公开了基于多参数融合的室内定位基站布设优化方法,包括如下步骤:(1)输入场景大小;(2)随机产生基站坐标;(3)计算基站阵型的性能;(4)判断是否达到优化目标,若是,则转步骤(5);若否,则继续搜索、更新基站坐标,返回步骤(2);(5)输出达到优化目标的基站坐标,完成基站布设优化数学模型,和针对该数学模型采用萤火虫算法等智能算法进行求解。采用本发明优化方法,经过优化后的基站布设阵型,其定位误差,PDOP等各项指标均有明显的下降,同时满足多目标联合优化框架中的优化目标,达到预期效果。

    基于马尔科夫模型的视频多行人追踪方法

    公开(公告)号:CN111242985B

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202010092644.3

    申请日:2020-02-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于马尔科夫模型的视频多行人追踪方法,其包括S1初始化运动轨迹;S2获取视频序列下一帧中的行人检测框,并计算运动相似度及外观相似度;S3所有运动相似度超过阈值?所有外观相似度超过阈值?若是任一超过则新增一条运动轨迹并返回S2,否则进入S4;S4计算每条运动轨迹与每个行人检测框的匹配相似度;S5;运动相似度超过阈值?外观相似度超过阈值?若是任一超过则运动轨迹转移到当前行人检测框的转移概率为零;否则进入S6;S6采用马尔科夫模型分别计算每条运动轨迹转移至每个行人检测框的转移概率;S7根据转移概率对多条轨迹进行跟踪,并在运动轨迹有效时更新计算匹配相似度时的权重后返回步骤S2。

Patent Agency Ranking