公开(公告)号：CN204999607U

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201520510415.3

申请日：2015-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  徐文俊 ,  李思敏 ,  李琦 ,  首照宇 ,  高喜 ,  肖功利

IPC: B81B7/04

Abstract: 本实用新型公开一种周期性碗状结构模板，包括基底1和位于基底1上方的二氧化硅2，二氧化硅2上部形成多个碗状的金属孔3，且这些金属孔3在二氧化硅2上部呈周期性排布。上述金属孔3呈十字排布、六方排布及其他周期性排布，其周期范围为10纳米～10微米。本实用新型制备的周期性碗状模板面积大，结构均匀完整，在制备图形衬底、光子晶体、表面粗化、表面制绒和微纳米器件等方面有很好的应用前景，能广泛应用于LED、太阳能电池、光子晶体、量子器件等方面，或作为基底材料的刻蚀掩膜层，用于其它微纳米结构的制造。

公开(公告)号：CN204102902U

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201420611626.1

申请日：2014-10-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  李琦 ,  翟江辉 ,  唐宁 ,  蒋行国 ,  李跃

IPC: H01L27/12

Abstract: 本实用新型公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本实用新型不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。

公开(公告)号：CN203941904U

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201420386839.9

申请日：2014-07-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  李海鸥 ,  左园 ,  翟江辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。本实用新型通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。