公开(公告)号：CN109923649A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780068645.0

申请日：2017-09-04

Applicant: 株式会社V技术 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 后藤哲也 ,  水村通伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体装置的制造方法。在具有氧化物半导体的活性层的氧化物半导体装置的制造工序中，实现工序的简化并实现生产率的提高。本发明是具有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体层的活性层的氧化物半导体装置的制造方法，对活性层(13A)的形成区域照射激光，以实施对活性层(13A)赋予抗蚀刻性的激光退火处理。

公开(公告)号：CN108701591A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082314.8

申请日：2016-12-27

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/352 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种对被覆于基板(6)上的非晶硅膜照射激光而使其结晶化的激光退火方法，对所述基板(6)上的多个第一及第二TFT形成部(23、24)照射不同的照射光量的激光，从而将所述多个第一及第二TFT形成部(23、24)的所述非晶硅膜结晶化为不同的结晶状态的多晶硅膜。

公开(公告)号：CN104206016B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201380016813.3

申请日：2013-03-25

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 工藤修二 ,  水村通伸 ,  梶山康一 ,  哈尼·马赫·阿齐兹 ,  梶山佳敬

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/04 ,  C23C14/14 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01M4/00 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/0016

Abstract: 本发明是薄膜图案形成方法，在基板(1)的表面形成具有规定形状的薄膜图案(14)，基板(1)在薄膜图案形成区域预先形成有电极，上述薄膜图案形成方法构成为包含：使透射可见光的树脂制成的膜(2)紧贴在上述基板(1)上的步骤；对上述基板(1)上的薄膜图案形成区域(11)照射激光(L)，在上述膜(2)中形成与薄膜图案(14)相同形状的开口图案(21)的步骤；通过上述膜(2)的开口图案(21)，在上述基板(1)上的上述薄膜图案形成区域(11)形成薄膜图案(14)的步骤；以及剥离上述膜(2)的步骤。由此，能在电极预先形成于薄膜图案形成区域的基板的表面容易形成高精细的薄膜图案。

公开(公告)号：CN104955977B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201380071351.5

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04 ,  B23K26/362 ,  B23K26/402 ,  B23K26/064 ,  B23K26/08 ,  C23C16/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: B05D3/06 ,  B05D1/02 ,  B23K26/066 ,  B23K26/08 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K37/0235 ,  B23K37/0408 ,  B23K2101/40 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明涉及成膜掩模的制造方法以及激光加工装置，该成膜掩模的制造方法包括：形成使设置有贯通孔的磁性金属部件与薄膜的一面紧密接触的构造的掩模用部件的第1阶段；向多个贯通孔内的预先决定的标准位置照射激光来贯通加工薄膜，从而形成多个预备开口图案的第2阶段；以及在多个预备开口图案上激光加工开口图案的第3阶段。

公开(公告)号：CN105051243B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201480014059.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 斋藤雄二 ,  工藤修二 ,  小菅崇之 ,  水村通伸

IPC: C23C14/04

CPC classification number: B32B38/10 ,  B32B15/00 ,  B32B2310/0843 ,  C23C14/042

Abstract: 本发明是将形成了多个开口图案的金属掩模片(4)张紧而固定于框状的金属框架7上的结构的成膜掩模的制造方法，进行如下步骤：第1步骤，在被施加一定张力的合成纤维的网(1)上粘接金属掩模片(4)的周缘部；第2步骤，将与金属掩模片(4)的内含多个开口图案的大小的成膜有效区域对应的网(1)的部分切除；第3步骤，在金属掩模片(4)的周缘部从与网(1)相反的一侧接合、固定框架(7)；以及第4步骤，将网(1)从金属掩模片(4)除去。

公开(公告)号：CN106488995A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580036959.3

申请日：2015-06-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  工藤修二 ,  梶山康一

IPC: C23C14/04 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明具备：掩模层(1)，其与在显示面板与该透明电极的形状尺寸相同的开口图案(4)；以及支撑层(2)，其具有横穿开口图案(4)而设置于掩模层(1)的一个面(1a)的多个支撑线(2a)，支撑层(2)的支撑线(2a)的排列间距设为可抑制由作为成膜的膜厚不匀而转印到透明电极上的支撑线(2a)的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的尺寸。(5)的显示面上成膜形成的透明电极对应而具有

公开(公告)号：CN105940138A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201580006343.1

申请日：2015-01-07

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04 ,  B23K26/38

CPC classification number: B23K26/382 ,  C23C14/042

Abstract: 本发明提供成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。成膜掩膜的制造方法制造将设有预先决定的规定形状的开口图案(4)的树脂制的薄膜层(1)和设有能够包含上述开口图案(4)的大小的缝隙(7)的磁性金属材料层(2)相层叠的构造的成膜掩膜，上述开口图案(4)通过向薄膜层(1)的与上述缝隙(7)对应的部分从两面侧照射激光使上述薄膜层(2)贯通而形成。

公开(公告)号：CN103842305B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280049102.1

申请日：2012-09-25

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C03B33/09

CPC classification number: B23K26/0734 ,  B23K26/0648 ,  C03B33/091

Abstract: 本发明的玻璃基板的激光加工装置通过设成环状的柱面透镜使从激光光源射出的激光与玻璃基板的预定切断线相对应地聚光。激光相对于柱面透镜的照射位置通过驱动装置而沿第1方向移动。激光是在与其光轴正交的面内与第1方向垂直的第2方向上的宽度（W5）比柱面透镜的宽度（W7）大。并且在通过驱动装置使激光的照射位置沿第1方向移动的过程中，从激光光源多次射出激光，形成与切断预定线相对应的加工痕。这样一来，能够容易地在玻璃基板上形成环形的封闭形状的加工痕，缩短用于玻璃基板的分割的处理时间。

公开(公告)号：CN103718066B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201280037832.X

申请日：2012-07-23

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  畑中诚

IPC: G02B3/00 ,  G02B7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/7015 ,  G02B3/00 ,  G02B3/0056 ,  G02B3/0062 ,  G02B3/0075 ,  G02B7/00 ,  G02B27/0961 ,  G03F7/70275

Abstract: 微透镜阵列在玻璃板的上表面及下表面分别层叠有单位微透镜阵列，由上板及下板保持各单位微透镜阵列。在各单位微透镜阵列和玻璃板形成有对位用的标记，单位微透镜阵列和玻璃板利用这些标记来进行对位并互相层叠。由此，在使用多片微透镜阵列的扫描曝光中，能够防止曝光不匀。

公开(公告)号：CN103261955B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201080070722.4

申请日：2010-12-15

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G03F9/7069 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/133788

Abstract: 本发明使用如下所述的多个光掩模（2），向各光掩模（2）的第1及第2开口（1A、1B）分别射入偏振方向和对于基板的入射角中的至少一方不同的两束偏振光，使通过第1及第2开口（1A、1B）的两束偏振光向在光掩模（2）下侧被输送的基板（9）上的取向膜照射，相邻地形成第1及第2取向区域，上述多个光掩模在与基板（9）的输送方向交叉的方向上相互交错地排列配置，使得上述第1及第2开口（1A、1B）在该方向上以一定的排列间距排列，上述第1及第2开口（1A、1B）的与基板输送方向交叉的方向上的宽度被设定成，取向状态不同的第1及第2取向区域的相邻的端部区域重叠与对准装置（7）的跟随精度大致相等的尺寸，如此形成上述第1及第2开口（1A、1B）。由此，能够使在多个光掩模的接缝发生的取向混乱不显著。