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公开(公告)号：CN119689225A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510206485.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路测试技术领域，公开了一种基于神经网络的TSV测试分组方法，通过自设计神经网络和损失函数结合的方法，将测试约束写入损失函数，利用梯度下降方法不断优化权重以求解固定测试分组数下的具体测试分组方案；并利用改进二分法求解最小测试分组数，提高了分组算法的鲁棒性。通过实验分析证明本发明所提方法，在不规则TSV布局下分组的精确度、运行效率都表现优异。
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公开(公告)号：CN119688064A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510220977.2
申请日：2025-02-27
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种热阻调控氧化镓日盲紫外微纳谐振传感器及制备检测方法，属于光传感器技术领域，通过在SiO2氧化层在横向上刻蚀有预定义沟槽，所述带状β‑Ga2O3薄膜横向固定在SiO2氧化层上，带状β‑Ga2O3薄膜位于预定义沟槽的上方，且所述带状β‑Ga2O3薄膜位于预定义沟槽的正上方的纵向两侧与SiO2氧化层存在间隙，使得带状β‑Ga2O3薄膜悬空在预定义沟槽上。本发明能够实现日盲紫外光检测。
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公开(公告)号：CN119252402B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411797714.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多晶材料的弹性粘塑性多尺度本构模型的构建方法及系统，在多晶材料的代表性体积元模型RVE基础上建立单晶尺度本构模型，得到单个晶粒的应力率与应变率之间的关系，然后得到RVE尺度的应力率与应变率之间的关系，建立仿射应变率、应力局部张量、应变局部张量之间的关系；设置初始的单个晶粒应变增量为整体应变增量，通过有限元分析迭代计算，得到RVE尺度的应力增量。本发明适用于解决复杂边界条件下的变形问题，使用算法切线算子及仿射应变增量两个量来定义应变增量与应力增量间的关系，增加了计算的准确性。
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公开(公告)号：CN119252402A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411797714.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多晶材料的弹性粘塑性多尺度本构模型的构建方法及系统，在多晶材料的代表性体积元模型RVE基础上建立单晶尺度本构模型，得到单个晶粒的应力率与应变率之间的关系，然后得到RVE尺度的应力率与应变率之间的关系，建立仿射应变率、应力局部张量、应变局部张量之间的关系；设置初始的单个晶粒应变增量为整体应变增量，通过有限元分析迭代计算，得到RVE尺度的应力增量。本发明适用于解决复杂边界条件下的变形问题，使用算法切线算子及仿射应变增量两个量来定义应变增量与应力增量间的关系，增加了计算的准确性。
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公开(公告)号：CN118678703A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410729873.X
申请日：2024-06-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有浮空场板的垂直结构共聚物有机半导体器件，包括衬底、漏极金属电极、有机半导体层、栅介质层、浮空金属场板、栅极金属电极和源极金属电极；有机半导体层顶部中心设有凹槽，凹槽内沉积有栅介质层；栅介质层顶部中心设有同轴凹槽，凹槽内嵌设有栅极金属电极；环状漏极金属电极和环状源极金属电极同轴布设在衬底表面和有机半导体层表面；位于栅极金属电极和漏极金属电极之间的有机半导体层形成为纵向漂移区；栅介质层内部嵌设有浮空金属场板，浮空金属场板的纵向长度可根据耐压要求进行选择。本发明能拓展耗尽层宽度，削弱电场峰值，对漂移区内击穿电场进行调控，从而提高器件整体的耐压性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118364728A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410788979.7
申请日：2024-06-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F18/24 , G06N20/00 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习和跨尺度迭代耦合的器件电热应力提取方法，包括1、确定参数范围；2、提供参数数值给器件级电学计算工具与封装‑系统级热学计算工具；3、器件级电学计算；4、器件电热应力输出与判断；5、功率损耗计算；6、封装‑系统级热学计算；7、器件‑封装‑系统级电热耦合计算；8、机器学习模型选取与训练；9、器件电热应力预测。本发明提供的跨尺度迭代耦合技术模拟半导体器件实际工作状态下的动态电热耦合效应，显著提高器件电热应力计算精确度。同时通过机器学习辅助计算，实现从半导体器件‑封装‑系统级结构参数、电激励参数、工作时间及环境温度到器件电热应力的预测过程，具有准确性高、计算速度快等优点。
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公开(公告)号：CN117686555B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410153167.5
申请日：2024-02-04
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01N27/00 , G06F18/15 , G06F18/2131 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06N3/086
Abstract: 本发明公开一种基于机器学习的LC湿度传感器漂移补偿方法，包括：对LC湿度传感器进行温度测试实验，获取原始数据，原始数据包括多组数据，每组数据包括湿度及温度条件下的响应数据；预处理响应数据，提取响应带宽BW、实部阻抗最大值Re(#imgabs0#)Max，及其最大值对应的谐振频率Freq，利用小波分析对其降噪，将降噪后的数据进行归一化处理作为特征建立数据集；初始化BP神经网络，采用遗传算法优化BP神经网络模型，得到GA‑BP模型；用训练集训练GA‑BP模型，将训练好的模型用于漂移数据测试集的补偿。本发明通过神经网络模型对LC湿度传感器漂移进行补偿，经过对漂移数据集的学习，模型#imgabs1#系数达到0.966，模型能解释96.6%的不确定性，取得了良好的补偿效果。
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公开(公告)号：CN117766588A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410196269.5
申请日：2024-02-22
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种具有延伸漏结构的超结双SOI‑LDMOS器件及制造方法，该器件包括：位于第二埋氧层上的第二SOI层，包括半导体区和半导体延伸漏接触区；位于第一埋氧层上的第一SOI层，包括体接触区、源区、漏区以及漂移区；漏极金属，其中漏极金属的第一部分平行于器件纵向的一侧面与第一埋氧层接触，其下表面与半导体延伸漏接触区的上表面；漏极金属的第二部分与半导体漏区的上表面接触。本发明在器件导通时利用第二SOI层中交替排列的第一半导体区和第二半导体区和延伸漏结构，使得第一SOI层漂移区表面感应出多数载流子，降低了比导通电阻；也在器件关断时改善了漂移区的势场分布从而提高了击穿电压。
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公开(公告)号：CN117713511A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410079715.4
申请日：2024-01-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/042 , H03K17/082 , H03K17/12 , H03K17/687 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及一种单电源可调驱动电阻SiC MOSFET驱动电路，包括电源电路、可变栅极电阻驱动电路、以及用于测试目标SiC MOSFET Q5开关特性的双脉冲测试电路，通过在目标SiC MOSFET Q5开通/关断过程的不同阶段切换不同的驱动电阻，提高了目标SiC MOSFET Q5的开通/关断速度，其中在器件开通/关断的漏源电流变化的时期，采用一个电阻对目标SiC MOSFET Q5栅极进行充电和放电，减小器件开通/关断延时，提高电压和电流的上升速率。在器件开通/关断的其余时期增大驱动电阻抑制目标SiC MOSFET Q5开关过程中的电压和电流尖峰和振荡，相比于传统驱动电路，能够在有效抑制电压、电流超调和振荡的同时保持较低的开关损耗，提高目标SiC MOSFET Q5的栅极驱动性能，并且电路结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN117614432A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311428545.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出了一种提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法，该系统包括体硅LDMOS，包括栅极金属及背栅金属；动态背栅控制电路，其包括依次电连接的波形产生器、三电平逆变器、负电压转换器及电平转换器；负电压转换器包括负电压输出端和零电压输出端；负电压输出端连接电平转换器的第一输入端，零电压输出端连接电平转换器的第二输入端并接地；电平转换器的第一输出端连接栅极金属，其第二输出端连接背栅金属。本发明具有独立的背栅电极，通过在衍生的背栅电极上施加偏置，诱导界面电荷，调制外延层的电场分布，增加体内漏电端的电场，使其提高击穿电压，又因其漂移区采用重掺杂而具有低的比导通电阻，改进了两者之间的折中关系。
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