公开(公告)号：CN104409556A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410738690.0

申请日：2014-12-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  荣新 ,  沈波 ,  陈广 ,  郑显通 ,  王平 ,  许福军 ,  张国义

IPC: H01L31/111 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/111 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1856

Abstract: 本发明公开了一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器的多量子阱为包含多个周期的复合势垒和势阱，其中，复合势垒为包括平带势垒和尖峰势垒的双层结构；通过极化调制的方法形成平带势垒，平带势垒以上的能级相互耦合形成准连续态，进而形成光电流的通路；通过增加平带势垒的厚度，可以在光电流信号强度基本不变的情况下，抑制暗电流的背景噪声，进而提高信噪比。本发明利用低温精细外延设备控制有源区界面以及各层厚度，可以获得高质量的外延晶片；多量子阱采用III族氮化物材料，可以实现全红外光谱窗口的光子探测；本发明的探测器在液氦温区成功探测到光电流信号，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN104347356A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410455805.5

申请日：2014-09-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨志坚 ,  秦志新 ,  于彤军 ,  吴洁君 ,  胡晓东 ,  康香宁 ,  王新强 ,  许福军 ,  沈波 ,  张国义

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02634 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外延生长，该方法能够获得比较完美的GaN外延层，可有效降低位错密度，该外延层位错密度可以达到106/cm2以下；可有效降低GaN基LED的压电极化效应，增加内量子复合效率及外量子发射效率，综合出光效率可达到普通LED的1.5倍以上；可有效降低器件发热量，增加器件使用寿命。

公开(公告)号：CN103762262A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410010267.9

申请日：2014-01-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  陈广 ,  沈波 ,  荣新 ,  许福军 ,  张国义

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/101 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明公开了一种氮化物宽势垒多量子阱红外探测器及其制备方法。本发明宽势垒多量子阱红外探测器，多量子阱中的每个量子阱为宽势垒，以阻挡暗电流通过；并且多量子阱的总宽度能够让光电流通过；多量子阱的势垒或者势阱中为重掺杂。本发明通过增厚势垒宽度，有效地降低了探测器的暗电流并实现了光电流的探测，增大了光谱探测范围；采用III族氮化物材料，可以实现全红外光谱窗口的光子探测；利用插入层调节有源区的应力分布，消除样品开裂现象，尽可能地降低应力组态对光电探测的影响；采用宽势垒，子带的数量增多，增加了光电流的通路。本发明的探测器在2.5K～80K的温度范围内均可测到光电流信号，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN119481957A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411557555.6

申请日：2024-11-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  李鸿渐 ,  马文结 ,  袁泽兴 ,  郭昱成 ,  刘放

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01S5/12

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基边发射激光器腔面的制备方法。本发明采用干法刻蚀制备出脊，然后干法刻蚀制备出端面，脊的两端分别长出端面的两端，脊的两个侧壁与脊覆盖下的端面的两个侧壁处于同一个平面；室温湿法刻蚀暴露出端面和脊的m面；并且室温湿法刻蚀更容易精准控制湿法刻蚀速率，更容易控制宽度大的端面的m面变得光滑，与端面的m面处于同一平面的脊的侧壁也会随着端面的m面光滑而变得光滑，作为出光面，从而在室温下以及不使用高精度的精密光刻机的情况下，无需通过高风险的高温刻蚀过程和复杂的工艺步骤，得到垂直、光滑和无损伤的谐振腔面；本发明工艺设计简单，大大提高了生产效率，同时还降低了安全风险。

公开(公告)号：CN118773742A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410734646.6

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  叶昊天 ,  王新强 ,  王睿 ,  冯冉 ,  徐熙帆 ,  王锦林 ,  王涛 ,  盛博文 ,  刘放

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体晶格极性的调控方法。本发明通过在III族氮化物的制备过程中引入反型层，利用反型层重塑晶格驱动III族氮化物晶格极性的反转，使得III族氮化物能够在制备过程中完成可控的晶格极性反转，实现了对目标III族氮化物金属极性和氮极性可选择性的生长，其最终极性与氮化物初始极性无关；本发明极大拓展了III族氮化物外延生长的衬底选择范围，特别是对于制备难度和成本更高的氮极性III族氮化物，使之能在更低廉的金属极性上完成制备，制备流程简单、可控且成本低，对于进一步实现低本高效氮极性III族氮化物生长及其功率射频器件意义重大。

公开(公告)号：CN118639317A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410723692.6

申请日：2024-06-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  陈加昊 ,  吴洁君 ,  杨浩 ,  陈加旻 ,  王泽人 ,  杨楚昊 ,  刘云琪 ,  魏海龙 ,  都毓恒 ,  王新强 ,  沈波

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置，属于AlN晶体生长技术领域。本发明采用温梯调控结构，利用热流阻隔部件和热流疏导部件互相配合，能够大幅减小坩埚内部尤其是籽晶和生长的晶体上的径向温梯，减少晶体生长和降温过程中的应力，同时，采用凹坑结构的烧结粉体，增加了粉体的表面积，提高粉块升华的效率和到达籽晶表面的气体源的均匀性，此外，本发明采用的AlN同质材料制成的籽晶托，能够大幅度减少生长后的降温过程中晶体与籽晶托之间由于热膨胀系数的差异所引入的应力。

公开(公告)号：CN118374878B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410832059.0

申请日：2024-06-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  王睿 ,  王新强 ,  叶昊天 ,  李元石 ,  冯冉 ,  王涛 ,  盛博文 ,  刘放

IPC: C30B25/18 ,  C30B33/04 ,  C30B29/38 ,  C23C14/04 ,  C23C14/48 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种可控多畴结构氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用自组装掩膜、离子注入工艺和外延生长方式，得到高质量可控多畴结构的氮化物铁电薄膜，具有更小的翻转能垒，能够大幅降低工作电压；同时具有更加可控的部分电畴翻转能力，有利于实现多态存储；利用离子注入得到非晶高电阻，大幅降低了漏电；在不引入额外漏电的情况下实现可控的多畴结构，降低新型氮化物基铁电器件的漏电和工作电压，大幅提高氮化物铁电材料的寿命和可靠性，降低相关器件能耗，并提升器件的多态调制能力，使得氮化物铁电材料能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等，并且应用于神经形态计算和人工智能等新兴领域。

公开(公告)号：CN115430447B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202211005630.9

申请日：2022-08-22

Applicant: 上海交通大学 ,  北京大学

Inventor： 周宝文 ,  王新强 ,  李东珂 ,  盛博文

IPC: B01J27/24 ,  B01J37/08 ,  C01B3/40

Abstract: 本发明涉及甲烷蒸汽重整技术领域，尤其涉及一种Rh纳米颗粒修饰III族氮化物Si催化剂的制备方法及其应用，制备方法包括：以硅晶片为衬底，通过分子束外延法生长，制得III族氮化物/Si半导体复合结构；通过光沉积法在III族氮化物/Si半导体复合结构表面负载Rh纳米颗粒，制得Rh纳米颗粒修饰的III族氮化物/Si集成光催化剂体系。本发明利用分子束外延法，通过调控生长参数，制得不同的III族金属氮化物/Si半导体复合结构，为甲烷和水分子的活化提供大量的活性位点和独特的催化特性。制备的Rh纳米颗粒/III族氮化物/Si集成光催化剂体系应用于甲烷蒸汽重整，可以直接利用太阳光高效稳定地生产合成气，具有条件温和、反应物原子利用率高、碳排放低、可循环使用的优点。

公开(公告)号：CN118405940A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410497656.2

申请日：2024-04-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴洁君 ,  杨浩 ,  于彤军 ,  陈加昊 ,  王泽人 ,  张皇澍 ,  刘云琪 ,  都毓恒 ,  魏海龙 ,  杨楚昊 ,  王新强 ,  沈波

IPC: C04B41/87 ,  C30B23/00 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开一种用于大尺寸AlN晶体生长的TaC/C复合坩埚的制备方法。该制备方法首先采用机械加工或压力成型等技术制备内衬为Ta箔的Ta箔/石墨坩埚复合体，并使石墨与Ta箔界面形成紧密配合，然后将紧密配合的Ta箔/石墨坩埚复合体施加一定压力，升到一定温度，保温一定的时间，使界面两边固体原子互相扩散，得到TaC/C复合坩埚。采用本发明可以提高TaC/C复合坩埚的使用性能，极大降低其制备成本。

公开(公告)号：CN115430450B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211045142.0

申请日：2022-08-30

Applicant: 上海交通大学 ,  北京大学

Inventor： 周宝文 ,  王新强 ,  李景林 ,  盛博文

IPC: B01J27/24 ,  B01J37/08 ,  C01B32/40

Abstract: 本发明涉及热催化剂技术领域，尤其涉及一种Rh纳米颗粒修饰III族氮氧化物Si催化剂的制备方法及其应用，通过分子束外延法（MBE）与高温退火相结合，制得III族氮氧化物NWs/Si载体，利用光沉积法在载体表面锚定Rh纳米颗粒（Rh NPs）制得所需热催化剂，通过降低关键基元反应的活化能改变决速步骤，从而获得了较低的反应启动温度。本发明的制备方法具有操作简单，高度可控，制造成本低的优点。将制得的热催化剂应用在CO2热催化氢化至CO的反应中，避免了高温高压等严苛的实验条件，且大大提高了CO2氢化产CO的速率。Rh NPs具有高度的分散性，确保了高效、长效催化CO2氢化反应的发生。与现有的商业催化体系相比，CO2氢化活性高出4个数量级，具有很大的应用前景。