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公开(公告)号：CN102411391A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110122679.8
申请日：2011-05-11
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种CMOS分段高阶温度补偿的亚阈值基准电压源，包括启动电路、基准核心电路、数字式温度检测电路和分段高阶温度补偿电路，利用亚阈值NMOS栅源电压VGS偏置产生的CTAT电流与亚阈PMOS栅源电压差产生的PTAT补偿电流叠加得到电流模基准电压，并将该电压通过分段高阶温度补偿电路耦合到最终的输出基准电压之中，从而得到高阶温度补偿的基准电压。本发明具有较低的温度系数和较高的电源电压抑制比，采用SMIC 65nm标准工艺库仿真得到温度系数为5.2ppm/℃。
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公开(公告)号：CN102394643A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110361832.2
申请日：2011-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于数字延迟锁相环的数字脉宽调制器，包括分频电路、DLL振荡环电路、清零信号产生电路和PWM输出逻辑电路，DLL振荡环利用输入高频时钟信号fs触发振荡环震荡输出2(m-n)路信号送入清零信号产生电路，清零信号产生电路结合输入的fs和mbits的占空比命令信号产生脉冲信号PWM_clr，在后级的PWM输出逻辑电路作用下产生PWM信号作为系统的输出。其中DLL振荡环电路利用可编程延迟单元对输入信号进行实时的追踪，达到在不同工艺角、不同工作环境下都能输出非常好的脉宽调制波形的效果，本发明在很大程度上减少了芯片所需的面积，节省了芯片开发的成本。
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公开(公告)号：CN102339866A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110311731.4
申请日：2011-10-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种具有超结结构的纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第一二氧化硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第二二氧化硅区域。
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公开(公告)号：CN102315274A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110311815.8
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。
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公开(公告)号：CN102130153A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010600170.5
申请日：2010-12-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331 , H01L21/265
Abstract: 一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法，包括P型绝缘体上硅硅片，第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂移区内设N型缓冲层和P型阳极接触区，而P型沟道区内设N型阴极接触区和P型体接触区，N型漂移区上方设有第一场氧化层和栅氧化层，并且栅氧化层向右延伸至P型沟道区的上方，栅氧化层上方设有多晶硅，作为栅极，在制造中先在第一P型外延层右区注入形成P型埋层，然后在第二P型外延层右区注入形成P型高能离子注入层并且二者连通，浓度由下至上变大形成导电通路，能有效抑制闩锁效应的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101777581B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910263299.9
申请日：2009-12-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。
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公开(公告)号：CN101488524B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910024952.6
申请日：2009-02-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/316 , H01L21/762
Abstract: 一种高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底的上面设置有绝缘埋氧层、N型掺杂半导体区和P阱区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的表面，其特征在于：在埋氧化层上设有阻断氧化层，所述的阻断氧化层位于栅氧化层的下方，并且在阻断氧化层与栅氧化层之间形成沟道区，在N型掺杂半导体区内设有P型反型层且P型反型层位于N型漏区和N型源区之间的场氧化层的下表面。这种结构能使N型掺杂半导体区与埋氧层相接的界面处感应出的空穴集聚在N型掺杂半导体区底部，大大增加了界面处的电荷密度，从而能在较薄的埋氧层上承担较高的纵向耐压。
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公开(公告)号：CN101577851B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910033125.3
申请日：2009-06-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提出一种提高立体声分离度的方法，该方法通过在立体声解码电路中增加一个相位补偿模块，从而降低导频信号和接收到的立体声信号之间的相位误差，提高了立体声的分离度。这里的相位补偿模块是由一个内部结构对称的相位误差计算电路组成的，该电路计算出要补偿相位误差所需要的补偿因子，然后利用该补偿因子来补偿解码后的立体声信号，使得立体声的分离度达到最优。
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公开(公告)号：CN101582978B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200910033324.4
申请日：2009-06-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种红外读出电路的背景抑制方法及其电路，设有负电荷包产生器、探测器、注入电路、采样保持电路及缓冲器，负电荷包产生器的输出端与注入电路的一个输入端连接；探测器的输出端与注入电路的另一个输入端连接，注入电路的输出端与采样保持电路的输入端连接，采样保持电路的输出端与缓冲器的输入端连接，缓冲器的输出端接后续信号处理电路。本发明采用负电荷包产生器分阶段提供多个负电荷包来减去背景电流在积分电容上累积的电荷，不需要现有技术的背景电流存储器产生背景减去电流来实现背景抑制，具有极低的背景抑制非均匀性，并且不引入额外的噪声和功耗。
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公开(公告)号：CN101917118A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010260343.3
申请日：2010-08-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种开关式DC-DC变换器的数字预测控制系统与方法，该系统包括：采样和A/D转换模块、预测模块、控制算法模块、DPWM模块和DC-DC主功率电路。采样和A/D转换模块从DC-DC变换器的主功率电路中采样输出电压的模拟信号并转化为数字信号作为实测值；预测模块根据该实测值产生下一个开关周期输出电压的预估值；控制算法模块利用实测值和预估值确定下一个开关周期功率管的控制占空比；DPWM模块通过该占空比生成PWM信号控制DC-DC主功率电路结构中功率管的通断。本发明能有效补偿数字控制电源系统的环路时延，提高系统的动态性能。
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