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公开(公告)号：CN113382554A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110627598.7
申请日：2021-06-04
Applicant: 广东工业大学
IPC: H05K3/26
Abstract: 本发明公开了一种激光成型金属线路的清洗方法，所述方法包括如下步骤：S1.将残留有微纳尺寸金属颗粒的激光成型金属线路载板进行氧化处理，使残留金属颗粒形成金属氧化物；S2.将S1处理后的线路载板进行酸洗，清除残留金属氧化物；S3.对线路载板上残留金属颗粒进行检测，并重复步骤S1和S2，直至残留金属颗粒完全去除，完成清洗。本发明通过对残留有未烧结金属颗粒的线路载板依次进行氧化处理和酸洗，实现了彻底消除激光成形线路后的残余金属颗粒。本发明操作简单、绿色环保，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113270354A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110426987.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L33/48
Abstract: 本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统，包括以下步骤：S10.将芯片转移到垂直阵列排布的线束末端的抓头上；S20.控制线束与电场发生器的相对电压调整线束散开的弧度；S30.检测线束末端芯片是否处于同一水平面，修正局部芯片高度至芯片高度位于同一水平面；S40.检测芯片间距，当芯片间距处于合适间距时，将线束末端的芯片对准承载基板的目标焊盘；S50.使芯片脱离转移至承载基板的目标焊盘上；S60.依次完成多种类型的芯片向同一承载基板上的巨量转移。本发明通过调控静电场以调控线束的弯曲扩散，从而对芯片间距进行高精度的阵列扩张和转移，简化了芯片巨量转移的工艺流程，提高了芯片转移效率。
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公开(公告)号：CN113270341A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110425226.6
申请日：2021-04-20
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/48
Abstract: 本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种基于滚筒的基于滚筒的芯片扩张及巨量转移方法，包括以下步骤：S10.选择柔性拉伸膜，将芯片转移到临时键合胶层；S20.分别沿X方向及Y方向拉伸柔性拉伸膜，直至X方向及Y方向上芯片间距扩张至设定值；S30.激光照射临时键合胶层，芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板，完成单种类型芯片的巨量转移；S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片的巨量转移；步骤S20中，X方向、Y方向至少一个方向上，控制第一滚筒与第二滚筒之间的转速比或控制第一滚筒与第二滚筒之间的距离实现柔性拉伸膜的拉伸扩张。本发明柔性拉伸膜各处可均匀拉伸，芯片间距可均匀扩张，从而可有效提高芯片转移的准确率。
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公开(公告)号：CN113145857A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110336368.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种铜银锡三元核壳纳米材料及其制备方法和应用，利用三种不同络合稳定性常数的络合剂与金属离子发生络合反应，采用离心后的纳米颗粒与含有金属的溶液混合或者含有两种不同金属的溶液混合的方法，制得铜银锡三元核壳纳米材料，通过对制备方法的改进，制得具有三层结构的铜银锡三元核壳纳米材料，铜为核心金属，银为中层金属，锡为外层金属或者铜为核心金属，银为中层金属，锡为外层金属，材料中不仅含有多种纳米金属，而且包覆后的颗粒表面形状规则，分散性良好，包覆层致密，抗氧化性优异，具有较高机械性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110289219B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910577683.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/56 , H01L21/67 , H01L23/31 , H01L21/603 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了扇出型模块高压封装工艺、设备以及结构，其中扇出型模块高压封装工艺包括如下步骤：沿封装体堆叠方向，在基台的顶面平铺有临时键合层，在所述临时键合层顶面间隙放置多个模块，从所述模块顶部注塑以形成包围所述模块的注塑层，且使所述注塑层的底面与所述临时键合层相粘结；向底部方向，对未固化的所述注塑层顶面均匀施加高压气体或通过压板均匀加压。对未固化的注塑层顶面施加压力，如通过高压气体或通过压板均匀加压，以使得，在加压辅助下熔融注塑材料流向空隙和低应力区，以使注塑层内部整体分布均匀，以有效地避免局部结构和热膨胀系数差异导致的翘曲和内应力。
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公开(公告)号：CN112095099A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010955086.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 广东工业大学
IPC: C23C24/04
Abstract: 本发明涉及纳米材料喷涂技术领域，更具体地，涉及一种纳米材料冷喷装置，包括有喷管，喷管设有进气口和送料口，其中，喷管的内腔由导材料制成并通电，还包括有与待喷涂材料配合的电极或图案化挡板，电极或图案化挡板与喷管的喷口之间施加电压，喷管设有波纹状的内腔，喷管的外表面采用绝缘材料制成。本发明在纳米材料的冷喷涂工艺过程中在不改变纳米材料的特性的前提下避免颗粒团聚，喷管的内腔由导材料制成并通电，产生静电，使纳米颗粒在喷管中带电并发生分散，同时设有与待喷涂材料配合的电极或图案化挡板，电极用于吸引带电纳米颗粒射至电极上方的待喷涂材料，图案化挡板开有所需喷涂图案形状的结构，用于在待喷涂材料上形成精确的图案。
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公开(公告)号：CN111822728A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010710197.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 广东工业大学
IPC: B22F9/14 , C01G23/00 , C01B33/18 , B22F1/02 , C08J3/12 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08L27/16 , C08L79/04 , C08L25/06
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种草莓状复合材料及其制备方法。该制备方法将载有核芯颗粒的载气气源经电极进入火花烧蚀装置，两个电极在脉冲电压下发生发生火花烧蚀反应，火花放电产生的高温将两电极的表面材料烧蚀蒸发，蒸发的电极材料与载气混合，快速沉积到核芯颗粒上形成草莓状复合材料。该制备方法快捷简单、环保，可连续生产，降低生产成本，有利于实现工业化生产；制得的草莓状复合材料纯度高、粒径尺寸分布窄、分散性好，草莓状复合材料上电极纳米颗粒大小均一，尺寸可控；通过更换核芯颗粒以及电极的材料可以制造得到不同类型的草莓状复合材料，可应用于超疏水材料、自清洁涂层、太阳能电池、催化、生物医药、电子等领域。
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公开(公告)号：CN111430322A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010148148.5
申请日：2020-03-05
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L23/485 , H01L21/56 , H01L21/68 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种系统级扇出型封装结构，包括均带有凸点的芯片和分立器件、固定层、塑封层、再布线层、介电层以及焊锡球；所述芯片和所述分立器件均通过各自的凸点与所述再布线层连接；所述介电层包括第一介电层以及第二介电层，所述第一介电层设置在所述再布线层上且位于靠近所述芯片和所述分立器件的一侧，所述第二介电层设置在所述再布线层上且位于远离所述第一介电层的一侧；所述焊锡球与所述再布线层连接且位于远离所述第一介电层的一侧。本发明的系统级扇出型封装结构减少了注塑和固化过程中产生的芯片和分立器件的漂移，便于后续再布线工艺的定位及实施，提高系统级封装的良品率。
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公开(公告)号：CN109954876B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910399914.2
申请日：2019-05-14
Applicant: 广东工业大学
IPC: B22F1/02
Abstract: 本发明公开了一种抗氧化微纳铜材料的制备方法，使用由依次连通的微纳铜制备装置、原位包覆装置和收集装置组成的制备系统，步骤一，使用微纳铜制备装置制备微纳铜粉；步骤二，在原位包覆装置的真空腔放入有机包覆剂，并通过加热将真空腔中的有机包覆剂升华或汽化；步骤三，往制备系统通入惰性气体，微纳铜粉随惰性气体通入原位包覆装置的真空腔，升华或汽化的有机包覆剂接触并包覆在微纳铜粒子的表面。从而微纳铜离子表面形成一层良好的有机包覆，大大提高微纳铜颗粒的抗氧化性和分散性，降低微纳铜粒子的表面活性。
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