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公开(公告)号：CN102544108A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210008323.6
申请日：2012-01-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法，该方法首先利用半导体缓冲层来增加源、漏电极与沟道材料的接触面积，减小源漏接触电阻，然后采用剥离工艺将连续生长的沟道层、栅介质层和栅电极层一起剥离。本发明简化了制造流程，有效减小了源漏端接触电阻，而且关键的沟道层、栅介质层和栅电极层这三层的生长过程完全没有脱离真空环境。本发明提高了器件特性，优化了效率以及成品率。
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公开(公告)号：CN102522071A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110457485.3
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/36
Abstract: 本发明是一种LCD像素选择信号产生电路、LCD控制器及其方法，该像素选择信号产生电路包括：多级电平产生电路，包括阻变器件，通过改变阻变器件的阻态，得到选通波形所需要的多级电平值；阻变器件阻态复位控制电路，根据产生的电平的级数周期产生阻变器件的复位信号，使阻变器件回复为高阻态。本发明提出了利用阻变器件实现产生像素选择信号的电路、LCD控制器及其控制方法，阻变器件不但具有原来的通过阻值状态存储数据的能力，还可以实现LCD中像素选择的功能，从而简化了电路结构，为LCD的设计和制造提供了基础。
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公开(公告)号：CN102520331A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110397005.9
申请日：2011-12-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于STI型LDMOS器件的界面陷阱测试方法，涉及高压半导体器件可靠性技术领域，该方法在STI型LDMOS器件的源极和衬底之间、漏极和衬底之间施加同一个正向偏置电压，同时施加栅极扫描电压，并测量衬底电流，由衬底电流的峰值的位置确定界面陷阱在STI型LDMOS器件中的STI区或沟道区。本发明直接利用STI型LDMOS器件为测试结构，节省了测试成本，且便于在测试中同时获取了STI区和沟道区界面陷阱的位置信息，且不对STI型LDMOS器件造成损伤。
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公开(公告)号：CN102468338A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010547529.7
申请日：2010-11-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/47 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管，属于半导体技术领域。该氧化锌基肖特基薄膜晶体管包括一栅电极，一栅绝缘介质层，一半导体导电沟道区，一源区和一漏区，所述栅电极位于玻璃或者塑料衬底之上，所述栅绝缘介质层位于玻璃和栅电极之上，所述半导体导电沟道层位于覆盖栅电极的栅介质之上，面积小于栅介质面积。所述源区和漏区在沟道区两端并与沟道区相交叠，所述源区和漏区的金属接触为肖特基金-半接触，并且源区和漏区的金属使用的材料不同，在氧化锌薄膜晶体管的源端形成高肖特基势垒，漏端形成低肖特基势垒。本发明可以有效地降低氧化锌薄膜晶体管的关态电流并提高开态电流。
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公开(公告)号：CN102403044A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010275600.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 北京大学
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G11C29/00 , G11C7/04 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0035 , G11C13/0069 , G11C29/06 , G11C29/50016 , G11C2013/0073
Abstract: 本发明公开了一种测试RRAM器件的数据保持特性的方法，包括以下步骤：a)控制样品台的温度，将RRAM器件保持为预定的温度；b)将RRAM器件设置为高阻态或低阻态；c)向RRAM器件施加预定的测试电压，使其发生电阻态失效，以测量数据保持时间；d)重复步骤a)-c)，进行多次测量；e)利用多次测量的数据保持时间，计算出RRAM器件的电阻态失效概率F(t)；以及f)对电阻态失效概率F(t)进行拟合，并利用拟合得到的参数进一步计算出预期数据保持时间tE。优选地，利用电压加速和温度加速相结合预测RRAM器件的数据保持时间。该测试方法可以准确且快速地评估RRAM器件的数据保持特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102142516A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010580793.0
申请日：2010-12-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有自选择抗串扰功能的阻变存储器，包括：上电极、下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的阻变层，其中，所述阻变层包括具有阻变特性的氧化物材料。本发明还提供了一种包括上述阻变存储器的交叉阵列存储电路。本发明采用具有阻变特性的氧化物材料作为存储介质，从而利用在阻变层和电极之间形成整流特性来实现了存储器的自选择抗串扰功能，由于不需要引入额外的选择器件，这种1R存储单元在高密度集成和功耗上都具有明显的优势，即，能够简化工艺步骤，降低电路功耗和提高阻变存储器集成密度，从而能够满足交叉阵列存储电路的需求。
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公开(公告)号：CN102073004A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910241544.6
申请日：2009-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开了一种用于测试半导体器件可靠性的方法，其中所述半导体器件具有负偏置温度不稳定性NBTI，包括以下步骤：测量第一组半导体器件的NBTI曲线；在将第一组半导体器件偏置于栅电场的条件下，测量第一组半导体器件在预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第一组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；在将第二组半导体器件偏置于所述栅电场的条件下，测量第二组半导体器件在所述预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第二组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；以及利用第一组半导体器件的NBTI曲线来评估第二组半导体器件的退化特性。该方法节省了对大量半导体器件进行可靠性测试所需的时间，并且不会对第二组半导体器件造成破坏。
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公开(公告)号：CN101984506A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010504099.0
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/311 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供了一种二次光刻实现薄膜晶体管的制备方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法具体包括：首先在玻璃或者塑料衬底上生长一层半导体沟道层；然后生长一层栅绝缘介质层；再进行第一次光刻和刻蚀定义栅绝缘介质层图形；随后生长一层导电薄膜材料，光刻和刻蚀形成栅电极、源端电极和漏端电极。本发明采用二次光刻形成薄膜晶体管的工艺技术，减少了光刻次数，简化了工艺步骤，从而提高了工作效率，降低了制造成本。为液晶显示等行业提供简便可行的薄膜晶体管制备方法。
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公开(公告)号：CN101236572B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710002980.9
申请日：2007-01-30
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种不依赖于具体的半导体器件模型的自适应参数提取方法，这种方法的输入文件中不仅包含器件测试数据和提取流程控制代码，而且将待提取的模型公式整理为C语言子函数代码，结合待提取的模型参数列表形成一个输入文件，然后按照输入文件中制定的提取流程，采用控制搜索类算法进行参数提取，同时进行进度监控，在整个提取流程结束后，输出模型参数，生成对应的器件模型文件。本发明实现了半导体器件模型自适应性参数提取，不需要对参数提取系统进行重新的组织就可以快速的应用到新的半导体器件解析模型和半解析模型中。
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公开(公告)号：CN101877279A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910082764.9
申请日：2009-04-28
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种电极，包括透明导电基底；覆盖在所述导电基底上的呈块状阵列的双层TiO2纳米颗粒薄膜；以及嵌套在所述双层TiO2纳米颗粒薄膜的块状阵列间隙的金属网格薄膜；其中，所述双层TiO2纳米颗粒薄膜由依次覆盖在基底上的第一层TiO2纳米颗粒薄膜和第二层纳米颗粒TiO2薄膜组成。本发明还涉及该电极的制备方法以及含有该电极的染料敏化太阳能电池。本发明染料敏化太阳能电池的电极有利于光线的充分吸收；并能减少暗电流的产生和透明导电薄膜内阻引起的电流损失；适于制备大面积的染料敏化太阳能电池。
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