公开(公告)号：CN1210768C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02800920.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也 ,  本乡俊明

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。

公开(公告)号：CN1202987C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN00801205.9

申请日：2000-06-05

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  川田幸司 ,  池田信一 ,  森本明弘 ,  皆见幸男 ,  坪田宪士 ,  本井傅晃央 ,  平井畅 ,  米华克典 ,  平尾圭志

IPC: C01B5/00

Abstract: 本发明的主要目的为，更彻底地防止水分发生用反应炉体内部中氢气着火或气体供给源一侧回火的发生以及镀铂触媒层的剥离，进一步提高水分发生用反应炉的安全性，同时减少反应炉体的内部空间的未利用空间，使反应炉体进一步小型化。为此，在本发明中，有气体供给口1a的入口侧炉体构件1和有水汽出口2a的出口侧炉体构件2对置状组装，通过将两者焊接形成反应炉体A，其内部空间V内设有反射体的同时在前述出口侧炉体构件2的内壁面形成镀铂触媒层8，从气体供给口1a供给反应炉体A的内部空间V内的氢气与氧气与镀铂保护膜8b接触使其活性化反应，从而使氢气与氧气在非燃烧状态下反应，产生水。

公开(公告)号：CN1596461A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN03801601.X

申请日：2003-09-11

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘 ,  普雷帝克有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  藤田巧 ,  皆见幸男 ,  池田信一 ,  森本明弘 ,  川田幸司

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明提供一种旋转式硅晶片清洗装置，通过使以药物和纯水进行清洗处理后的硅晶片的氢气终端进行得更为完全，可使硅晶片的稳定性得到进一步提高。为此，本申请发明作为一种箱壳内设置有硅晶片的支持·旋转驱动装置，对经过药物清洗后的硅晶片以纯水进行清洗的旋转式硅晶片清洗装置，设置有硅晶片干燥装置，该硅晶片干燥装置由，附设在箱壳中的供给由含有0.05Vol％以上的氢气的氢气与惰性气体的混合气体的气体供给板块、一端连接在上述气体供给板块的气体混合器上的混合气体供给管、对上述混合气体供给管内的混合气体进行加热的混合气体加热装置、在与经上述混合气体加热装置加热的高温混合气体接触的部位具有可形成氢自由基的白金涂覆被膜的氢自由基生成装置等构成，通过将含有由上述氢自由基生成装置生成的氢自由基的混合气体，喷射到清洗后的进行旋转的硅晶片上，对硅晶片的外表面进行干燥和氢封端处理。

公开(公告)号：CN1592957A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN01821537.8

申请日：2001-12-27

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包含以硅为衬底的多个晶体管和电容，其中，氢至少存在于所述硅衬底表面的一部分上，通过将所述表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除所述氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而在硅衬底表面上形成一种硅化合物层，该硅化合物层至少包含构成所述气体分子的一部分的元素。

公开(公告)号：CN1162895C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN01130680.7

申请日：2001-08-20

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 三森健一 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/04

CPC classification number: H01L21/67086 ,  B08B3/041 ,  B08B3/123 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供在适宜的条件下使用省液型喷嘴的湿式处理装置。包括具有向着被处理基板W开口的大致长方形的导入开口面8a及向着上述被处理物开口的大致长方形的回收开口面9a，上述导入开口面和回收开口面相互在一个面上，而且与长边方向平行地配置的喷嘴1和、基板W相对喷嘴1移动的同时，在导入开口面8a和基板W的被处理面间导入处理液，从回收开口面9a和基板W的被处理面间吸引处理液并进行回收。此时将从上述导入开口面8a经过上述基板W的被处理面流入到上述回收开口面9a的处理液的流量控制在导入开口面的长边方向每1cm为0.02～0.3L/分钟。

公开(公告)号：CN1160562C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN00809901.4

申请日：2000-06-05

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  川田幸司 ,  池田信一 ,  森本明弘 ,  皆见幸男 ,  米华克典 ,  本井傅晃央

IPC: G01N27/12 ,  G01N25/32

CPC classification number: G01N25/32 ,  G01N33/0013

Abstract: 本发明的主要目的是简化气体检测传感器的构造，并且在有H2O和O2存在的条件下，可高精度地检测被检测气体内的可燃性气体的浓度和含有可燃性气体的被检测气体内的氧气的浓度。为了达到上述目的，本发明的气体检测传感器是通过可燃性气体的接触反应而使传感器发热，通过该发热而发出可燃性气体的检测信号的气体检测传感器，由以下部分构成：膜片，该膜中在被检测气体所接触的接气面上具有白金镀层薄膜；第1检测传感器，该检测传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成，通过可燃性气体的接触反应而被加热；具有与被检测气体相接触的接气面的膜片；对被检测气体的温度进行检测的第2检测传感器，该传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成。

公开(公告)号：CN1516235A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200410003341.0

申请日：2000-07-21

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  皆见幸男 ,  川田幸司 ,  米华克典 ,  本井傅晃央 ,  平井畅 ,  森本明弘 ,  成相敏朗 ,  平尾圭司 ,  田口将暖 ,  中村修

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B01J3/006 ,  B01J7/00 ,  B01J12/007 ,  C01B5/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种安全的减压型水分发生供给装置，该装置减压供给水分气体，较高地保持水分发生用反应炉的内压，这样，可防止氢的自燃，本发明的另一目的是提供一种水分发生用反应炉，是通过对水分发生用反应炉高效率地进行冷却，便可在不增大反应炉尺寸的情况下使水分发生量大幅度增加的水分发生用反应炉。因此，其特征在于：由水分发生用反应炉和减压机构构成，其中水分发生用反应炉是由氢和氧通过催化剂反应而发生水分气体；减压机构设在该水分发生用反应炉的下流侧，水分气体通过该减压机构减压后供给下流侧，与此同时较高地保持反应炉内的内压。

公开(公告)号：CN1503904A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN02808689.9

申请日：2002-11-22

Applicant: 株式会社富士金 ,  东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  宇野富雄 ,  中村修 ,  池田信一 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  松本笃咨 ,  杉山一彦

IPC: G01L19/04 ,  G01L9/00 ,  G01D3/028

CPC classification number: G05D7/0635 ,  G01D3/022 ,  G01F1/50 ,  G01F15/046 ,  G01L9/025

Abstract: 开发一种压力传感器、压力控制装置及流量控制装置，可以自动地修正压力传感器的温度漂移，且即使温度变动，仍可正确地检测出压力。本发明的压力式流量控制装置的温度漂移修正装置是在压力式流量控制装置上使用的温度漂移修正装置，该压力式流量控制装置在节流装置4与控制阀22之间设有检测上游侧压力P1用的上游侧压力传感器10，在根据上游侧压力P1运算通过节流装置4的流量的同时，还通过控制阀22的开闭来控制通过节流装置4的流量，该压力式流量控制装置的温度漂移修正装置由测定流体温度的温度传感器14、存储流体温度T与上游侧压力传感器10的输出漂移的关系的存储机构64、以及温度漂移修正机构构成，其中，温度漂移修正机构是在流体温度T发生变化的情况下，根据存储机构64的数据运算上游侧压力传感器10的输出漂移量，根据该运算输出漂移量消除上游侧压力传感器10的输出漂移，从而修正温度漂移。利用该结构，可自动地修正压力传感器的温度漂移，进行正确的流量控制。

公开(公告)号：CN1494672A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN02805589.6

申请日：2002-11-22

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  宇野富雄 ,  中村修 ,  池田信一 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  松本笃咨 ,  杉山一彦 ,  乾秀二郎 ,  酒井泰治 ,  植山将宜

IPC: G05D7/06

CPC classification number: G05D7/0635 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/7761

Abstract: 本发明的解决手段在于提供一种改良型压力式流量控制装置，其以Qc＝KP2m(P1－P2)n表示非临界领域(非音速域)中压缩性流体的实验流量式，以此Qc＝KP2m(P1－P2)n(K为比例常数，m及n为常数)计算通过孔口4的流体流量，可正确且高速地将流量控制于指定流量。又提供一种改良型压力式流量控制装置，其经常将上游侧压力P1及下游侧压力P2所得压力比P2/P1＝r与临界值rc比较，在临界条件(r≤rc)下以Qc＝KP1，在非临界条件(r＞rc)下以Qc＝KP2m(P1－P2)n运算流量，可一面对应流体的所有条件，一面正确且高速地将流量控制于指定流量。

公开(公告)号：CN1484852A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN01821536.X

申请日：2001-12-27

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC: H01L21/318 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。