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公开(公告)号：CN102201661B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110143100.6
申请日：2011-05-30
Applicant: 东南大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 一种绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，保护电路包括电压探测电路，电流探测电路，软关断保护电路，降栅压保护电路，其中，电压探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接受到反馈信号后，采取两步关断的方式保护绝缘栅双极型器件，电压探测电路反馈信号与一路电流探测电路反馈信号采用一对背靠背二极管隔离后接至降栅压电路，避免了相互干扰，另一路电流探测信号直接反馈至软关断电路，本发明只需要简单的电阻、电容、场效应管、二极管、齐纳管就能实现，使的短路保护结构非常简单，且响应及时、可靠，大大降低了成本，便于集成。
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公开(公告)号：CN103779404A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410035881.0
申请日：2014-01-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0603 , H01L29/66325
Abstract: P沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一N型体区和P型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了电子的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一N型体区与P型外延层耗尽决定，因此P型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。
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公开(公告)号：CN103762230A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410036513.8
申请日：2014-01-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0603 , H01L29/66325
Abstract: N沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一P型体区和N型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了空穴的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一P型体区与N型外延层耗尽决定，因此N型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。
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公开(公告)号：CN103618455A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310666465.6
申请日：2013-12-10
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 一种减小单电感双输出变换器输出电压稳态误差的方法，当主环误差放大器采用无大电容补偿时，在主环中增设一个电流采样保持电路，其输出的直流电平Vdc与斜坡电压Vramp1叠加求和后产生新的斜坡电压Vramp2再与采样的电感电流信号叠加求和后作为比较器同相输入端的输入电压Vsense，同时将误差放大器的输出Vc叠加上一个直流电平Vdc0得到比较器的反相端输入信号Ve，Ve也是电流采样保持电路的另一个输入信号，此时比较器输出的主级开关控制信号，能够给变换器电感足够的充电时间，从而减小变换器输出电压的稳态误差。
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公开(公告)号：CN103618001A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310496732.X
申请日：2013-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0684 , H01L29/365
Abstract: 一种N型绝缘栅双极型晶体管，包括：兼做集电区的P型掺杂硅衬底，在P型掺杂硅衬底下方设有集电极金属，在P型掺杂硅衬底上方依次设有N型掺杂硅缓冲层和N型轻掺杂硅外延层，在N型轻掺杂硅外延层内设有和P型柱，在P型掺杂半导体区中设有N型和P型重掺杂半导体区，在P型柱中设有P型重掺杂半导体区，在P型柱和N型轻掺杂硅外延层之间设有介质层，在N型轻掺杂硅外延层上方依次设有栅氧化层和多晶硅栅，且多晶硅栅始于介质层的上方并止于与介质层相邻的N型重掺杂半导体区的上方，在多晶硅栅上方依次设有氧化层和发射极金属，且N型和P型重掺杂半导体区均与发射极金属电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103607110A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310535825.9
申请日：2013-11-01
Applicant: 东南大学
IPC: H02M1/36
Abstract: 一种辅助绕组供电的快速开启开关电源，PWM控制电路采用5810芯片并增设补偿电路，补偿电路包括电阻R9与电容C6串联，开关采样电路包NPMOS管Q1、电阻R2、R4和R8，NMOS管Q1的漏极作为开关采样电路的输入端连接变压器主级，Q1的栅极分别连接电阻R2及R4的一端，电阻R2的另一端连接5810芯片的驱动端口，电阻R4的另一端分别连接Q1的源极、电阻R8的一端以及5810芯片的电流采样端口，电阻R8的另一端连接5810芯片的地端口；辅助充电电路包括电阻R6、R7、R10，二极管D3、D4、D5、电容C5及两个与变压器主级同侧的辅助绕组NA1、NA2。
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公开(公告)号：CN103312298A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310283456.9
申请日：2013-07-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种提高频率-控制电流线性度的张弛振荡器，包括充放电电路、控制电路以及设于充放电电路与控制电路之间的浮动充放电电容，充放电电路根据控制电路的输出信号交替地给浮动充放电电容的两端进行充电和放电，控制电路检测浮动充放电电容的电压，并输出控制信号，振荡器的输出信号仅由浮动充放电电容的充电过程决定，从而减小了振荡器整个周期的延时，提高了振荡器频率-控制电流的线性度。浮动充放电电容由完全相同的电容C1、C2并联，且电容C1、C2的两极板交叉互连，使得浮动充放电电容的两端对称，减小了电容两端的微小寄生电容对振荡器输出的影响。
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公开(公告)号：CN103236437A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310148959.5
申请日：2013-04-25
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/762
Abstract: 一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型阱，在N型阱的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳极区，在P型体区中设有N型阴极区和P型体接触区，在N型阱的表面设有场氧化层，在P型体区的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型阴极区、多晶硅栅和P型阳极区的表面设有钝化层，其特征在于，嵌入N型阱的场氧化层厚度占总厚度的60%~80%，使得场氧化层露出N型阱的部分与嵌入N型阱的部分的厚度比例为2:3至1:4，这样器件鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率明显减弱，因而大幅度提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102412773B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110436769.4
申请日：2011-12-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双斩波限开关磁阻电机控制电路，包括微处理器、双相开通区间判别电路、2选1数据选择器、位置信号检测电路、二输入与门、功率变换器、电流采样电路、放大电路、数模转换电路和迟滞比较电路。本发明解决开关磁阻电机在双相启动时因为电流在双相开通区间上升速度过快而出现电流超过斩波上限的问题。
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公开(公告)号：CN102158208B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110083812.3
申请日：2011-04-02
Applicant: 东南大学
IPC: H03K7/08
Abstract: 基于振荡环电路的全程可调数字脉宽调制器，包括振荡环-计数比较电路和输出逻辑电路。振荡环电路由k级D触发器首尾相连构成，它与多路选通器，计数比较电路一起，根据外部输入的数字占空比控制信号，产生输出逻辑电路中输出D触发器所需的复位信号，从而将输出D触发器的输出信号复位到低电平，而输出D触发器的时钟端则控制将输入端高电平传递到输出端，复位信号和时钟信号共同作用最终在输出端产生一个占空比信号。本发明在保持常规振荡环结构数字脉宽调制器的优点的同时，增大了输出占空比的可调范围，非常适合用于集成在小型手持设备的电源管理系统中的高频DC-DC开关电源(SMPS)中。
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