公开(公告)号：CN1318351C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200410041323.1

申请日：2004-07-06

申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院

发明人： 朱雪斌 ,  刘生满 ,  宋文海 ,  戴建明 ,  孙玉平

IPC分类号： C04B35/624 ,  C04B35/465 ,  H01L27/00

摘要： 本发明公开了一种钛酸锶钡薄膜材料及制备方法。材料包括金属基片，特别是金属基片上依次覆有Ba0.2～0.6Sr0.8～0.4TiO3种子层和BaXSr1-XTiO3薄膜；方法包括用常规方法获得金属基片，特别是按照Ba0.2～0.6Sr0.8～0.4TiO3的成分比，将醋酸钡、醋酸锶、三氟乙酸、乙酰丙酮和钛酸丁脂先后混合得到种子层前驱胶体，再将该胶体置于金属基片上，经甩膜、热解、退火得到种子层；按照BaXSr1-XTiO3(0≤X≤1)的成分比，将醋酸钡、醋酸锶、钛酸丁脂和甲醇先后混合得到钛酸锶钡前驱胶体；再将此前驱胶体置于覆有种子层的金属基片上，经甩膜、热解和退火得到BaXSr1-XTiO3薄膜；重复得到薄膜的步骤，直至获得所需厚度的BaXSr1-XTiO3薄膜，从而制得高度取向的钛酸锶钡薄膜材料。它既适合后续钇钡铜氧薄膜的生长，也可直接应用于动态随机存储器中。

公开(公告)号：CN1312077C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200410065774.9

申请日：2004-11-18

申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明人： 林立强 ,  朱健 ,  吕振中 ,  戴精武

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/468 ,  C04B35/47

摘要： 本发明在制备钛酸锶钡靶材的原材料中添加少量的发泡剂或微量的助泡剂，在制靶烧结过程中使这类添加剂均匀地产生气泡而基本不留残渣，在最终的靶材制成品中，均匀地产生大量的微孔，具备这种微孔结构的靶材可极其有效地吸收、消除由于严酷的磁控溅射加热条件所产生的内应力，显著地提高它的热稳定性。

公开(公告)号：CN1927765A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610116446.6

申请日：2006-09-22

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 董显林 ,  梁瑞虹

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种钛酸锶钡－氧化镁复合材料的非均相沉淀的制备方法。所述的方法使用的前驱物是钛酸锶钡(BST)粉体和硝酸镁溶液，将粉体和溶液按化学配比充分混合，然后再逐滴滴入NH3·H2O，调节溶液的pH值达到10左右，使镁离子完全沉淀。将沉淀物经水洗，醇洗，50－100℃条件下干燥并在400－600℃煅烧2小时，合成(1－y)Ba1－xSrxTiO3/yMgO(其中0.3≤x≤0.7，10wt％≤y≤60wt％)粉体。再外加粘结剂造粒、成型、排塑并在1350～1450℃烧结成瓷。与传统的机械混合法相比，非均相沉淀法制备的复合陶瓷的晶粒尺寸减小，两相分布均匀，显微结构得以优化，并且具有较低的微波介电损耗和较高的可调性，特别适合相控阵移相器等微波器件应用。

公开(公告)号：CN1903787A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610103953.6

申请日：2006-07-28

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 金赞恭 ,  许康宪 ,  罗恩相 ,  孙圣范 ,  宋泰镐 ,  郑汉胜

IPC分类号： C04B35/465 ,  H01G4/12

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/30

摘要： 本发明涉及一种介电陶瓷组合物，其能够在低温下烧结并获得优良热稳定性能和高的介电常数，并涉及一种使用该组合物的多层陶瓷电容器。该介电陶瓷组合物包括：主成分(Ba1－xCax)mTiO3；和辅助成分MgCO3、RE2O3、MO、MnO、V2O5、Cr2O3和烧结添加剂SiO2。RE2O3为选自Y2O3、Dy2O3和Ho2O3的至少一种稀土氧化物，MO是Ba和Ca中的一种。介电陶瓷组合物由下式表示：a(Ba1－xCax)mTiO3－bMgCO3－cRE2O3－dMO－eMnO－fSiO2－gV2O5－hCr2O3，其中，a、b、c、d、e、f、g和h满足以下关系：以mol分数计，a＝100，0.1≤b≤3.0，0.1≤c≤3.0，0.1≤d≤3.0，0.05≤e≤1.0，0.2≤f≤3.0，0.01≤g≤1.0，0.01≤h≤1.0，并且x和m满足如下关系：0.005≤x≤0.15，0.995≤m≤1.03。

公开(公告)号：CN1903733A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610052790.3

申请日：2006-08-01

申请人： 浙江大学

发明人： 张启龙 ,  杨辉 ,  王焕平 ,  孙慧萍

IPC分类号： C01G23/00 ,  C04B35/624 ,  C04B35/465

摘要： 本发明公开了一种溶胶－凝胶低温合成单相纳米CaTiO3陶瓷粉体的制备方法，包括：将钙的无机盐溶于无水乙醇中；将钛酸丁酯溶于无水乙醇与乙酸的混合溶液中，滴加硝酸、丙烯酸调pH值；按钙∶钛的摩尔比为1∶1将上述两溶液混合，加入适量的分散剂等；所得溶液搅拌均匀，密封静置后得到凝胶，所得凝胶干燥后进行研磨，煅烧，得到本发明的纳米陶瓷粉体。本发明方法能低温合成粒度分布范围窄、粒径在20～100nm可调的单相纯CaTiO3纳米粉体，合成工艺简单，所得纳米粉体的烧结温度下降，烧结成瓷后具有优良的微波介电性能，与其它纳米微波介质陶瓷复合后，可用于制备各种小型片式多层微波器件，具有极大的工业应用价值。

公开(公告)号：CN1876599A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610043025.5

申请日：2006-06-22

申请人： 西安交通大学

发明人： 任巍 ,  史鹏 ,  吴小清 ,  阎鑫 ,  林鹏 ,  姚熹

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/495 ,  C04B35/624 ,  H01B3/12

摘要： 微波介电可调钛酸锶钡/铋锌铌复合薄膜及其制备方法，由交替的钛酸锶钡薄膜和铋锌铌薄膜构成。本发明选用两种不同结构和作用机理的微波可调介质薄膜，将具有立方焦绿石结构的铋锌铌薄膜材料和立方钙钛矿结构的钛酸锶钡薄膜材料按照溶胶凝胶旋涂工艺制备方法，获得具有交替结构的复合薄膜，其具备多层薄膜结构，利用铋锌铌薄膜的可调、良好的温度稳定性、中介电常数和低损耗特性弥补钛酸锶钡薄膜的高介电常数和高的介电损耗，使多层复合薄膜在不降低可调特性的同时提高薄膜的品质因子(即降低薄膜的介电损耗)，从而得到新型的、可实用的复合薄膜材料。

公开(公告)号：CN1266076C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN02143590.1

申请日：2002-10-11

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 高桥庆一

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/465 ,  H01B3/12 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/187 ,  C04B35/453 ,  C04B35/495

摘要： 本发明是由包含组成是用一般式Sr1-x-yM1xM2yBi2(Nb1-aTaa)2-zTizO9(式中，M1是从Ca和Ba中选出的至少一个元素，M2是从由La、Y、Dy、Er、Yb、Pr、Nd、Sm、Eu及Gd组成的群中选出的至少一个元素)来表示，而且上述一般式中的x，y，z及a分别在：0.0≤x＜0.9；0.0＜y＜0.3；0.0＜z＜0.3；0.0≤a≤1.0范围的陶瓷组成物的压电陶瓷组成物组成。由此提供不含铅而电机械耦合系数比现有的铋层状化合物大的压电陶瓷组成物以及采用它的压电器件。该压电器件(10)配有压电体(11)和被形成在压电体(11)的2个主面上的电极(12a)及(12b)。

公开(公告)号：CN1264779C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN01137711.9

申请日：2001-10-31

申请人： 京都陶瓷株式会社

发明人： 须惠敏幸

IPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/468 ,  H01B3/12

摘要： 本发明提供一种介电陶瓷材料，包含其主晶相是钙钛矿晶体的固溶体，并且该钙钛晶体包含至少钡(Ba)、锶(Sr)、镁(Mg)、钨(W)和稀土元素的复合氧化物，且所述介电陶瓷材料优选用于电介质谐振器，因为这种介电陶瓷材料可获得高频区域内的高数值εr和高数值Q因子，且可减小谐振频率的温度因子τf的绝对值。

公开(公告)号：CN1241874C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200310110877.8

申请日：2003-11-07

申请人： 四川大学

发明人： 肖定全 ,  赁敦敏 ,  朱建国 ,  余萍 ,  李灵芝

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/475 ,  C04B35/465 ,  H01L41/187 ,  H01B3/12

摘要： 一种性能良好的多元系无铅压电陶瓷，涉及一类新型的多元系无铅压电陶瓷组合物，属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域。本发明提出的组合物可以用通式(1-e-f-g)(Bi1-uLu)(1-w)(Na1-x-yKxLiy)wTiO3+eBaTiO3+fSrTiO3+gCaTiO3+aMαOβ(wt%)来表示，式中0＜x＜1，0＜y＜0.5，0≤u＜0.12，0＜(x+y)＜1，0≤e＜1，0≤f＜1，0≤g＜1，0≤(e+f+g)＜1，0.3≤w≤0.7，L是稀土金属元素如La、Ce、Pr、Nd、Sm、Dy、Ho、Er、Yb、Lu、Y等，MαOβ是一种或多种掺杂氧化物，其含量a占主要成分(1-e-f-g)(Bi1-uLu)(1-w)(Na1-x-yKxLiy)wTiO3+eBaTiO3+fSrTiO3+gCaTiO3的重量比为0-10%，M为+1-+6价且能与氧形成固态氧化物的元素，如Na、K、Li、Ni、Zn、Cr、Co、Nb、Ta、Al、Cu、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Er、Yb、In、Y、Sc、La、Ho、Lu、Sn、Sb、Mn、Ca、Ba、Sr、Mg、Si等，α和β分别表示相关氧化物中相应的元素M和氧的原子数。该体系压电陶瓷组合物d33可达200pC/N以上，kp可达36.0%以上，其工艺稳定，可采用传统压电陶瓷制备技术和工业用原材料获得，具有实用性。

公开(公告)号：CN1235830C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200310110881.4

申请日：2003-11-07

申请人： 四川大学

发明人： 肖定全 ,  赁敦敏 ,  朱建国 ,  余萍 ,  李灵芝

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/465 ,  H01L41/187 ,  H01B3/12

摘要： 具有高压电性能的无铅压电陶瓷，涉及一种新型的多元系无铅压电陶瓷组合物，属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域。本发明提出的无铅压电陶瓷组合物可以用通式(1-x)(Bi1-yLy)(1-w)(Na1-zLiz)wTiO3+xBaTiO3+aMαOβ(wt%)来表示，式中0＜x＜1，0＜y＜0.1，0≤z＜0.1，0.3≤w≤0.7，L是稀土金属元素，如La、Y、Ce、Pr、Nd、Sm、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Eu、Gd等，MαOβ是一种或多种掺杂氧化物，其含量a占主要成分(1-x)(Bi1-yLy)(1-w)(Na1-zLiz)wTiO3+xBaTiO3的重量比为0-10%，M为+1-+6价且能与氧形成固态氧化物的元素，如Na、K、Li、Ni、Zn、Cr、Co、Nb、Ta、Al、Cu、Fe、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Er、Yb、In、Y、Sc、La、Ho、Lu、Sn、Sb、Mn、Ca、Ba、Sr、Mg、Si等，α和β分别表示相关氧化物中相应的元素M和氧的原子数，该体系压电陶瓷组合物d33可达200pC/N左右，kp可达35.0%以上。该类无铅压电陶瓷组合物工艺稳定，可采用传统压电陶瓷制备技术和工业用原材料获得，具有实用性。