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公开(公告)号：CN104409511A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410612094.8
申请日：2009-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/28079 , H01L21/28158 , H01L29/04 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体装置的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体装置。公开的半导体装置在晶体管的沟道形成区域中包括In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层。在所述半导体装置中，In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层具有如下结构：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)表示的非晶结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m＝1)表示的晶粒。
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公开(公告)号：CN101740637B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200910226491.0
申请日：2009-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/28079 , H01L21/28158 , H01L29/04 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体装置的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体装置。公开的半导体装置在晶体管的沟道形成区域中包括In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层。在所述半导体装置中，In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层具有如下结构：在由InGaO3(ZnO)m(m＞0)表示的非晶结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m＝1)表示的晶粒。
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公开(公告)号：CN103380509A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009003.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5016 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L2251/55 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种外部量子效率高的发光元件，或者提供一种寿命长的发光元件。该发光元件包括位于一对电极之间的包含客体材料及主体材料的发光层，其中主体材料的发射光谱与客体材料的吸收光谱重叠，并且通过将主体材料的激发能量转换为客体材料的激发能量，来发射磷光。由于通过利用主体材料的发射光谱与客体材料的吸收光谱的重叠，顺利进行从主体材料到客体材料的能量转移，所以该发光元件的能量转移效率很高。从而，可以实现外部量子效率高的发光元件。
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公开(公告)号：CN103339715A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180066610.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C01G15/00 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102668098A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080059834.X
申请日：2010-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02502 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN119943936A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510130331.5
申请日：2018-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。
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公开(公告)号：CN119330415A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411476163.7
申请日：2020-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G53/00 , H01M4/525 , H01M10/0525 , C01G51/00
Abstract: 提供一种锂离子二次电池的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：在加热炉中配置装有锂氧化物、氟化物及镁化合物的混合物的第一容器且在第一容器的外部配置氟化物；以氟化物挥发或升华的温度以上对加热炉进行加热。更优选的是，氟化物为氟化锂且上述镁化合物为氟化镁。
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公开(公告)号：CN111900358B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202010845282.0
申请日：2018-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M4/131 , H01M10/0525 , H01M10/0566
Abstract: 本发明提供一种大容量且循环特性优良的正极活性物质。该正极活性物质的充电状态和放电状态间的结晶结构变化小。例如在放电状态下具有层状岩盐型结晶结构，并且在以4.6V左右的高电压充电的状态下具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质的起因于充放电的结晶结构及体积的变化比现有的正极活性物质少。
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公开(公告)号：CN118412522A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410497336.7
申请日：2018-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。
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公开(公告)号：CN118335885A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410589238.6
申请日：2018-06-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/04 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 一种正极活性物质在充电状态和放电状态间的结晶结构的变化很小。例如，与现有的正极活性物质相比，在放电状态时具有层状岩盐型结晶结构而在4.6V左右的高电压充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质通过充放电的结晶结构及体积变化小。为了形成在充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质，优选混合氟等卤素源及镁源与预先合成的含有锂、过渡金属和氧的复合氧化物的粒子，然后以适当的温度及时间对该混合物进行加热。
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