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公开(公告)号：CN115312616A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211094096.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/20 , H01L31/105 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种全平面离子注入倾斜高阻终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为离子注入倾斜高阻终端。本发明终端通过高温光刻胶回流与离子注入工艺形成一种倾斜高阻终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面钝化层/SiC界面缺陷态多、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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公开(公告)号：CN113054969A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110255008.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 南京大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓三极管栅极驱动电路及其控制方法，栅极驱动电路包括驱动电路和输出电路；驱动电路包含电源模块、变换器模块、半桥模块和调压模块；电源模块、变换器模块、半桥模块和调压模块串联；半桥模块、调压模块和输出电路构成正栅压控制电路和负栅压控制电路。本发明将栅极电压信号范围扩宽为‑20V到20V，满足了增强型和耗尽型氮化镓三极管的驱动需求，同时正栅压控制电路和负栅压控制电路互不干扰，确保了安全高可靠操作，并且仅需单电源V1供电，电路设计简单。
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公开(公告)号：CN113009310A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110255859.7
申请日：2021-03-09
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件电学参数测量电路及测量方法，测量电路包括：信号控制电路和参数测量电路；信号控制电路包含直流DC电源、储能电容C1、变压器原边线圈T1和控制三极管Q2；参数测量电路包含变压器副边线圈T2、保护二极管D2、开关S1、开关S2、待测三极管Q1和待测二极管D1；信号控制电路和参数测量电路通过变压器T完成信号传递。上述利用开关使变压器原边产生脉冲导通电流，该电流信号流过变压器初级线圈时，变压器磁芯中产生的交流磁通促使次级线圈中感应出脉冲电压和脉冲电流，感应的脉冲电流信号会流经串联在次级线圈中的待测功率器件，因而可得到待测功率器件的I‑V电学特性；操作灵活，成本低；扩大了测试范围，提升了测试效率。
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公开(公告)号：CN112230115A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011088858.X
申请日：2020-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法，雪崩测试电路包括电源保护电路、测试电路和控制电路；电源保护电路与测试电路串联；电源保护电路包含直流DC电源、稳压电容C1、滤波电容C2、保护三极管Q3和保护二极管D3；测试电路包含待测二极管D1、待测三极管Q1、旁路三极管Q2、保护二极管D2和负载电感L1,负载电感L1存储的雪崩能量有两条泄放支路，保护二极管D2与两条泄放支路分别构成泄放回路；控制电路分别连接待测三极管Q1、旁路三极管Q2和保护三极管Q3的栅极。本发明实现了在固定电路中对氮化镓二极管和三极管的雪崩参数进行测量，提升了测试效率，降低了测试成本，并且利用泄放回路消除了雪崩能量对电路的冲击，保护了电源设备。
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公开(公告)号：CN109192796A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811242157.X
申请日：2018-10-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种UVC增强型PIN结构的4H-SiC紫外探测器，上电极4H-SiC欧姆接触层采用非均匀掺杂的掺杂分布，在该层欧姆接触层内形成一个内建电场，有效降低了光生载流子在该层欧姆接触层内的复合几率，提升了电极的收集效率，在保持PIN结构4H-SiC紫外探测器二极管整流特性、低欧姆接触电阻、低暗电流的同时，有效提升了PIN结构4H-SiC紫外探测器在UVC波段的响应度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538923A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810467277.3
申请日：2018-05-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/207 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种复合终端结构的氮化镓二极管，包括i型GaN本征层和p型GaN接触层，复合终端结构的氮化镓二极管为准垂直p-i-n结构；p型GaN接触层与i型GaN本征层之间加了一层低掺杂的p型GaN过渡层。本发明复合终端结构的氮化镓二极管，经仿真结果表明，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN106129204B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610627269.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。
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公开(公告)号：CN102912315A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210344800.6
申请日：2012-09-17
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02
Abstract: 制备InN基薄膜的方法，其利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长InN薄膜。蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长I nN薄膜；生长区温度：500-650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；铟源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化铟，金属源区温度700-900℃；HCl流量：1-20sccm，HCl的氮气载气流量10-1000sccm。高纯氨气作为氮源，NH3流量：50-500sccm；生长时间10-120分钟。制备InxGa1-xN合金薄膜时，在上述条件的基础上，镓源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化镓，金属源区温度700-900℃。
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公开(公告)号：CN102856172A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210320301.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/30617
Abstract: 一种制备低应力GaN薄膜的方法，通过光助法腐蚀溶剂腐蚀GaN/蓝宝石复合衬底，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；光助法腐蚀采用紫外光辅助腐蚀，腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K2S2O8的混和物摩尔浓度范围为0.05-0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5-10小时；得到纳米结构GaN/蓝宝石复合衬底。本发明用于降低氢化物气相外延（HVPE）生长半导体材料GaN薄膜材料中应力。
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公开(公告)号：CN102828240A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210316953.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/406 , H01L21/30621 , H01L21/3081
Abstract: 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
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