一种还原扩散法制造尺寸可调的单晶钕铁硼颗粒及氢破除钙的方法

    公开(公告)号:CN109440182A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811438940.3

    申请日:2018-11-28

    Abstract: 一种还原扩散法制造尺寸可调的单晶钕铁硼颗粒及氢破除钙的方法,属于稀土永磁制造领域。主要包括:在还原扩散反应配料阶段调整Fe/RE比例为(4.0~6.8),铁粉尺寸50nm~50μm,反应温度控制在900℃~1150℃,保温1~4h。在除钙阶段样品先吸氢后粉化,粉化后样品在无水乙醇中初步磁选除钙,可将大部分氧化钙颗粒除去;初步除钙后的样品将使用冰水再次除钙。通过本发明制造钕铁硼粉末,可获得理想尺寸的Nd2Fe14B单晶颗粒,大幅度提高了除钙效率。本发明在调节颗粒尺寸、获得单晶颗粒、控制粉体氧含量及提升粉体抗腐蚀性等方面具有明显优势,制得的尺寸可调的单晶粉末可实现多元化应用。

    一种利用废旧物品制成的艺术画及制作方法

    公开(公告)号:CN109397971A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811373189.3

    申请日:2018-11-19

    Inventor: 徐婕 刘敏 郭江城

    Abstract: 本发明涉及一种利用废旧物品制成的艺术画及制作方法。本发明属于废旧物品二次利用领域,涉及到一种利用废旧物品制作的艺术画及制作方法。该艺术画包括支撑板、底稿、主体层和画框,其中主体层包括废旧电线制作的轮廓和轮廓内部填充的复合颜料。本发明还提供一种制作方法。1)绘制底稿:2)底稿定板:3)主体层轮廓制作:4)复合颜料制作:5)主体层着色:6)主体层固化:7)画作装裱。本发明避免了这些废旧物品的任意丢弃造成的资源浪费和环境污染,原料无毒无害,制作流程简单,方法易于推广。

    一种合金基带环保高效的表面修饰方法

    公开(公告)号:CN108998828A

    公开(公告)日:2018-12-14

    申请号:CN201810821284.9

    申请日:2018-07-24

    Abstract: 一种合金基带环保高效的表面修饰方法,涉及第二代高温超导材料制备领域;所述方法包括:选择Hastelloy C-276合金,先用电化学抛光的方法使合金表面粗糙度快速下降到一定的值,再采用化学沉积平整化的方法,在基带上沉积生长非晶氧化物薄膜,来进一步精细修饰合金表面。本发明通过电化学抛光和溶液沉积平整化沉积非晶薄膜的复合型工艺路线,简单高效,基带表面粗糙度可以达到2nm(5×5um)以下,满足IBAD技术路线制备均匀致密的过渡层要求。

    一种废旧快淬粘结钕铁硼磁粉的回收再利用方法

    公开(公告)号:CN105772734B

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201610345151.X

    申请日:2016-05-23

    CPC classification number: Y02P10/24 Y02W30/541

    Abstract: 一种废旧快淬粘结钕铁硼磁粉的回收再利用方法,属于材料制备方法技术领域。所要解决的技术问题为提供一种工艺流程短、低成本且可以产业化的回收废旧快淬粘结钕铁硼磁粉及其再利用方法;采用的技术方案利用相似相溶原理,将废旧快淬粘结钕铁硼磁粉在混合溶剂中溶胀一段时间后,使用水浴搅拌、超声波清洗的方法,剥离掉快淬粘结磁粉表面溶胀的环氧树脂,达到磁粉回收的目的,并将回收的磁粉制备快淬粘结钕铁硼磁体。本发明不但可以有效去除磁粉表面的环氧树脂粘结剂,而且可以做到不破坏磁粉本身的性能,使得回收磁粉及制备的磁体最大程度的保持了原始磁粉及磁体的性能。

    一种LaAlO<base:Sub>3</base:Sub>掺杂的复合YBCO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105272203B

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201510666992.6

    申请日:2015-10-14

    CPC classification number: Y02E40/64

    Abstract: 一种LaAlO3掺杂的复合YBCO薄膜的制备方法属于高温超导材料制备领域。本发明通过以有机镧盐和铝盐为前驱盐,采用化学溶液方法制备前驱液后,经过旋涂的方法将前驱液涂敷到LAO单晶基板上,再经过热处理工艺在单晶表面复合薄膜,本发明所提供的LAO掺杂的复合薄膜,其掺杂相LAO可与YBCO共格界面,引入钉扎缺陷的同时,保证了YBCO结构不被破坏。本发明制无需外加溶剂,体系简单,经济节约,烧结工艺时间较短,形成LAO相同时保证YBCO的外延生长不被阻碍。本发明所制备的复合薄膜5%LAO掺杂样品自场下Je约为纯YBCO薄膜的3倍,外场下77K,1.5T下约为纯YBCO薄膜的6倍。

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