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公开(公告)号:CN109576744B
公开(公告)日:2020-09-25
申请号:CN201811528806.2
申请日:2018-12-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种扩散法制备涂层超导用织构镍基高钨合金基带的方法,属于金属加工技术领域。其包括以下步骤:将表面经过清洁的低W合金基带作为阴极,W合金基带中W≤7at.%,镍板作为阳极进行电镀,以钨酸钠和硫酸镍为主盐,配置溶液,电镀温度为60~80℃,电流密度15~20mA/cm‑2,pH值为4~5,沉积时间为3~5min,将得到的富W层合金基带在Ar/H2混合保护气氛下进行扩散热处理,热处理温度为1000~1150℃,保温时间为40~60min。此方法可以有效避免低层错能对获得立方织构的影响,容易制备出W含量≥7at.%的织构NiW合金基带,极大提升Ni‑W合金基带整体的机械性能和降低磁损耗。
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公开(公告)号:CN111272533A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN202010154262.9
申请日:2020-03-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种研究高温超导材料氧元素扩散机制的样品制备方法属于高温超导材料制备技术领域。选用已有的高温超导材料,并保证表面没有隔绝氧扩散的其他材料。通过物理沉积的方式在材料表面镀上一定厚度的金属作为隔绝金属层,这层金属具有极低的氧扩散速率且不与高温超导材料发生反应。随后去除掉某一个方向的金属,使氧元素在一定温度下可以通过指定方向扩散进高温超导材料,从而为研究氧元素在高温超导材料中沿不同方向扩散的速率和机制提供最适合的样品制备方式。
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公开(公告)号:CN108385135A
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201810415314.6
申请日:2018-05-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电化学沉积制备涂层导体用高钨合金基带坯锭的方法本发明属于高温超导材料领域。作为第二代高温超导材料涂层导体基底的NiW合金基带,承担着外延织构、承受应力应变等多重功能。但传统工艺毕竟由于其本身的局限性很难将晶粒尺寸进一步降低,因此我们改变坯锭制备工艺,采用电化学沉积的方法制备出纳米晶粒尺寸的初始坯锭,高钨合金基带的形变均匀性与立方织构形成能力将大大改善,进一步推进高钨合金基带在二代高温超导材料涂层导体中的应用。本发明有效地将NiW合金坯锭晶粒尺寸控制在30~80nm。
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公开(公告)号:CN109576744A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811528806.2
申请日:2018-12-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种扩散法制备涂层超导用织构镍基高钨合金基带的方法,属于金属加工技术领域。其包括以下步骤:将表面经过清洁的低W合金基带作为阴极,W合金基带中W≤7at.%,镍板作为阳极进行电镀,以钨酸钠和硫酸镍为主盐,配置溶液,电镀温度为60~80℃,电流密度15~20mA/cm-2,pH值为4~5,沉积时间为3~5min,将得到的富W层合金基带在Ar/H2混合保护气氛下进行扩散热处理,热处理温度为1000~1150℃,保温时间为40~60min。此方法可以有效避免低层错能对获得立方织构的影响,容易制备出W含量≥7at.%的织构NiW合金基带,极大提升Ni-W合金基带整体的机械性能和降低磁损耗。
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公开(公告)号:CN109576644A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811528780.1
申请日:2018-12-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法属于金属加工技术领域。清洗Ni5W(W元素的含量=5at.%)合金基带后,采用物理或化学的方法在其外表面均匀涂覆厚度为100~200nm的纯钨层。将上述涂覆钨层的Ni5W合金基带在氩氢或氢气的保护气氛下进行扩散热处理,热处理温度为1100~1200℃,保温时间2~3h,随炉冷却,使镀层表面的钨原子以置换固溶体的方式大量扩散至芯层置换晶格中的镍原子,以提高具有立方织构的NiW合金基带的钨含量,以获得具有强立方织构的高钨复合基带。本发明使表层的W原子大量渗入芯层,提高整体钨含量,获得织构高钨合金基带。该方法操作简单,成本较低,可实现性强。
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公开(公告)号:CN108385135B
公开(公告)日:2020-03-13
申请号:CN201810415314.6
申请日:2018-05-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电化学沉积制备涂层导体用高钨合金基带坯锭的方法本发明属于高温超导材料领域。作为第二代高温超导材料涂层导体基底的NiW合金基带,承担着外延织构、承受应力应变等多重功能。但传统工艺毕竟由于其本身的局限性很难将晶粒尺寸进一步降低,因此我们改变坯锭制备工艺,采用电化学沉积的方法制备出纳米晶粒尺寸的初始坯锭,高钨合金基带的形变均匀性与立方织构形成能力将大大改善,进一步推进高钨合金基带在二代高温超导材料涂层导体中的应用。本发明有效地将NiW合金坯锭晶粒尺寸控制在30~80nm。
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