一种扩散法制备涂层导体用织构镍基高钨合金基带的方法

    公开(公告)号:CN109576744B

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN201811528806.2

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 一种扩散法制备涂层超导用织构镍基高钨合金基带的方法,属于金属加工技术领域。其包括以下步骤:将表面经过清洁的低W合金基带作为阴极,W合金基带中W≤7at.%,镍板作为阳极进行电镀,以钨酸钠和硫酸镍为主盐,配置溶液,电镀温度为60~80℃,电流密度15~20mA/cm‑2,pH值为4~5,沉积时间为3~5min,将得到的富W层合金基带在Ar/H2混合保护气氛下进行扩散热处理,热处理温度为1000~1150℃,保温时间为40~60min。此方法可以有效避免低层错能对获得立方织构的影响,容易制备出W含量≥7at.%的织构NiW合金基带,极大提升Ni‑W合金基带整体的机械性能和降低磁损耗。

    一种扩散法制备涂层导体用织构镍基高钨合金基带的方法

    公开(公告)号:CN109576744A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811528806.2

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 一种扩散法制备涂层超导用织构镍基高钨合金基带的方法,属于金属加工技术领域。其包括以下步骤:将表面经过清洁的低W合金基带作为阴极,W合金基带中W≤7at.%,镍板作为阳极进行电镀,以钨酸钠和硫酸镍为主盐,配置溶液,电镀温度为60~80℃,电流密度15~20mA/cm-2,pH值为4~5,沉积时间为3~5min,将得到的富W层合金基带在Ar/H2混合保护气氛下进行扩散热处理,热处理温度为1000~1150℃,保温时间为40~60min。此方法可以有效避免低层错能对获得立方织构的影响,容易制备出W含量≥7at.%的织构NiW合金基带,极大提升Ni-W合金基带整体的机械性能和降低磁损耗。

    一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法

    公开(公告)号:CN109576644A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811528780.1

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 一种制备涂层导体用高钨合金基带的方法属于金属加工技术领域。清洗Ni5W(W元素的含量=5at.%)合金基带后,采用物理或化学的方法在其外表面均匀涂覆厚度为100~200nm的纯钨层。将上述涂覆钨层的Ni5W合金基带在氩氢或氢气的保护气氛下进行扩散热处理,热处理温度为1100~1200℃,保温时间2~3h,随炉冷却,使镀层表面的钨原子以置换固溶体的方式大量扩散至芯层置换晶格中的镍原子,以提高具有立方织构的NiW合金基带的钨含量,以获得具有强立方织构的高钨复合基带。本发明使表层的W原子大量渗入芯层,提高整体钨含量,获得织构高钨合金基带。该方法操作简单,成本较低,可实现性强。

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