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公开(公告)号：CN116189608A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310179219.1
申请日：2023-02-16
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种LED显示屏消除毛毛虫与拖影现象并提高刷新率的方法。本发明通过对高、低位灰度数据的混合分组，针对低位灰度数据分组，高位灰度数据穿插分组的处理方式，实现了显示刷新率均匀的提升，解决了显示屏低灰显示刷新率降低的问题，提高了画面稳定性与流畅度；在不改变整体显示效果的前提下，实现了较好的分组打散，优化低灰显示，节省了行消隐时间，大大的提高了刷新率，增强了视觉效果，有效降低图像闪烁，提升了画面稳定性；本发明采用仅通过增加一个接地的行消隐共享电容的方法，缩短行消隐时间、避免短路毛毛虫现象的发生；不需要专用的产生消隐电压的电路模块，减小了整体的功耗，节约了面积和成本；相比于单脉冲的显示方式。
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公开(公告)号：CN115295405B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211204973.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种提高宽禁带半导体载流子浓度的方法，通过高温退火结合原位高强度紫外光照的方法提高宽禁带半导体材料中的载流子浓度，包括：室温下用光子通量1017~1019 cm‑2 s‑1的高强度紫外光照射宽禁带半导体材料，在保持紫外光照射的同时，让宽禁带半导体材料升温至退火温度，维持退火温度一段时间，然后降温至室温，结束紫外光照射，得到载流子浓度提高的宽禁带半导体材料。该方法操作简单，不影响宽禁带半导体材料的生长过程，保持最优的晶体质量，同时可以有效降低宽禁带半导体材料中补偿性缺陷的密度，提高载流子浓度，从而提高器件的性能和可靠性，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN115430447A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211005630.9
申请日：2022-08-22
Abstract: 本发明涉及甲烷蒸汽重整技术领域，尤其涉及一种Rh纳米颗粒修饰III族氮化物Si催化剂的制备方法及其应用，制备方法包括：以硅晶片为衬底，通过分子束外延法生长，制得III族氮化物/Si半导体复合结构；通过光沉积法在III族氮化物/Si半导体复合结构表面负载Rh纳米颗粒，制得Rh纳米颗粒修饰的III族氮化物/Si集成光催化剂体系。本发明利用分子束外延法，通过调控生长参数，制得不同的III族金属氮化物/Si半导体复合结构，为甲烷和水分子的活化提供大量的活性位点和独特的催化特性。制备的Rh纳米颗粒/III族氮化物/Si集成光催化剂体系应用于甲烷蒸汽重整，可以直接利用太阳光高效稳定地生产合成气，具有条件温和、反应物原子利用率高、碳排放低、可循环使用的优点。
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公开(公告)号：CN115364887A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211006633.4
申请日：2022-08-22
Abstract: 本发明涉及生物质太阳能炼化技术领域，尤其涉及一种Au‑In二元纳米助催化剂负载III族氮化物的制备方法及其应用，包括通过光沉积方法在外延III族氮化物上负载Au基二元纳米颗粒，具体步骤包括，将Si片上外延生长的III族氮化物置于反应器中，加入有机醇/酸的水溶液、Au‑In二元催化剂的前驱体，进行光沉积照明，制得Au‑In二元纳米颗粒修饰的III族氮化物太阳能炼化器件。本发明的有益之处在于：外延III族氮化物具有均匀规整具有巨大比表面积的纳米结构，确保了反应体系的高活性和高稳定性。使用上述方法制备的太阳能炼化器件，避免了高温加压的实验条件，且大大提高了生物质产合成气的速率，同时，合成气比例宽泛可调，可满足不同下游产物化工炼制过程的需求。
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公开(公告)号：CN114551654A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210065490.8
申请日：2022-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种复合p型空穴注入层改善蓝绿光Micro‑LED通信性能的方法及器件。该蓝绿光Micro‑LED器件包括：衬底、AlN缓冲层、u‑GaN外延层、n型电子提供层、n型电子传输层、InGaN/GaN晶格过渡层、量子阱发光层、spacer外延层、电子阻挡层、复合p型空穴注入层、p型欧姆接触层和接触电极，其中复合p型空穴注入层由p‑AlGaN/p‑GaN超晶格和极化诱导p‑AlGaN组成。相比于传统p‑GaN，复合p型空穴注入层可以提高膜层空穴浓度和电导率，且空穴浓度的增加可以加速电子空穴复合速率，降低量子阱中的载流子寿命，从而增大Micro‑LED的调制带宽。此外，输出光功率及调制带宽的增加进一步提高了Micro‑LED的数据传输速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114318521A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111633010.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本申请公开了一种金刚石生长方法，所述生长方法包括如下步骤：S1、选取金刚石籽晶，S2、选取陪料，S3、金刚石籽晶转移，S4、抽真空，S5、金刚石生长，S6、取出金刚石成品。本申请中陪料包围金刚石籽晶，金刚石籽晶有一部分露出陪料，陪料的导热率比金刚石低，陪料的存在能减少金刚石生长面与非生长面之间的温差，避免金刚石在生长过程中由于局部温差过大而产生应力或生长出多晶，陪料与金刚石籽晶一起保持振动或转动，可以使得金刚石籽晶的不同表面都有机会接触包含碳源的等离子体，便于金刚石籽晶在三维方向连续生长。
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公开(公告)号：CN114300600A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111643828.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及一种无机封装180度出光的LED透镜结构及制作方法，该LED透镜结构包括透镜本体与连接层，连接层附着于透镜本体的底部，连接层为金锡合金层，连接层与封装基板的金锡合金层通过共晶焊接连接；透镜本体凹设有封装碗杯腔，封装碗杯腔用于容纳LED芯片。本无机封装180度出光的LED透镜结构通过将金锡合金的连接层与封装基板的金锡合金层共晶焊接连接，实现无机封装；通过透镜本体凹设有封装碗杯腔，在无机封装过程中，封装基板无需制作内腔碗杯或金属内框，可以进行平面封装基板封装，实现180度透明出光；本LED透镜结构无需有机胶进行化学键合粘接，实现了无机气密封装焊接，因为180度透明出光，既提高了LED光源的可靠性，又提升了LED的光效和光功率。
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公开(公告)号：CN114142344A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111384516.7
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种提高蓝、绿光半导体激光器电学特性的方法及器件。本发明在蓝、绿光半导体激光器的上限制层的上、下表面各设置一层Al组分渐变的p‑AlGaN极化诱导层，通过双层极化诱导p型掺杂的的方式增加空穴注入，减少电子泄漏，提高有源区载流子复合效率，改善蓝、绿光激光器电学特性。本发明采用的处理方法具有工艺稳定、成本低廉、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN113981444A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111211331.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤指一种薄层器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：在衬底上利用PVD方法制备一层氮化铝薄膜；在衬底的氮化铝薄膜上利用MOCVD方法生长出器件功能层，即获得薄层器件，该薄层器件包括衬底及依次设置在衬底上的氮化铝薄膜及器件功能层。本发明采用技术方法不需要传统器件材料的缓冲层及掺杂层，直接通过氮化铝薄膜把器件功能层与衬底结合在一起，实现低成本、低应力、高均匀性的薄层器件材料。
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公开(公告)号：CN113193037A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110354520.2
申请日：2021-04-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。
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