公开(公告)号：CN114993952A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210642135.2

申请日：2022-06-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 石梦 ,  毛海央 ,  周娜 ,  赵越芳

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明涉及一种多功能SERS检测方法及系统。其提供SERS检测传感器以及对待测样品检测时，将拉曼测试系统所产生的拉曼激光对SERS检测传感器以及所述SERS检测传感器上的待测样品辐照，利用SERS信号采集系统采集待测样品在拉曼激光辐照下的SERS信号；同时，利用器件信号采集系统采集SERS检测传感器电信号，以根据所采集的SERS检测传感器电信号确定拉曼测试系统产生辐照拉曼激光的拉曼激光功率，且根据SERS信号以及所确认的拉曼激光功率确定待测样品的种类以及浓度。本发明在SERS检测的同时可以确定照射到待测样品表面的拉曼激光功率，从而结合所确定的拉曼激光功率准确获得物质种类和浓度信息，提高SERS检测的准确性。

公开(公告)号：CN114963003A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110188869.3

申请日：2021-02-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 崔珍善 ,  周娜 ,  王佳 ,  李琳 ,  李俊杰

IPC: F17D1/04 ,  F17D3/01 ,  F17D5/00

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体制造的供气系统及供气方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中供气系统无法对其是否处于被污染状态进行检测的问题。本发明的供气系统包括主气源、压缩气体配件和气体纯度分析仪，主气源通过压缩气体配件与晶圆处理设备的进气口连接，气体纯度分析仪设于压缩气体配件与晶圆处理设备的连接管路上。本发明的供气方法包括如下步骤：更换主气源和压缩气体配件后开启主气源或者在主气源供气过程中，开启气体纯度分析仪，检测主气源供气的气体纯度。本发明的供气系统和供气方法可用于晶圆制造。

公开(公告)号：CN114864482A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110168137.8

申请日：2021-02-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 高龙哲 ,  周娜 ,  李俊杰 ,  王佳 ,  李琳

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种半导体结构的制造方法，涉及半导体器件技术领域。以解决由于接触孔的直径越来越小，小尺寸的接触孔中存在的细微烟气或者化合物很难使用化学清洗法进行去除的技术问题。包括：提供一半导体基底，半导体基底包括电极层，以及形成在电极层上的接触孔结构，其中，接触孔结构中的接触孔的纵横比大于第一预设条件，接触孔结构中的接触孔的直径小于第二预设条件；利用感应耦合等离子体对接触孔进行处理，以去除接触孔内的绝缘杂质。

公开(公告)号：CN114792757A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202110099817.9

申请日：2021-01-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 张铉瑀 ,  许民 ,  吴容哲 ,  李俊杰 ,  周娜 ,  李琳 ,  王佳

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容孔、电容器、DRAM及其制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成电接触部；在所述半导体衬底的表面自下而上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括模制层、中部支撑层以及与所述中部支撑层下方邻接的缓冲层；采用干法刻蚀工艺形成贯穿所述堆叠结构的电容孔，且暴露出所述电接触部，其中，所述缓冲层的干法刻蚀速率大于所述模制层的干法刻蚀速率；采用湿法腐蚀工艺去除所述模制层以及缓冲层。本发明在模制层和中部支撑层之间设置了缓冲层，且缓冲层的刻蚀速率大于模制层的刻蚀速率，这样在干法刻蚀的过程中，高刻蚀速率的缓冲层能够使得电容孔取得足够的空间。

公开(公告)号：CN114678345A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202011554953.4

申请日：2020-12-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 申靖浩 ,  李俊杰 ,  周娜 ,  李琳 ,  王佳

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及半导体结构及其制备方法，包括：半导体衬底；N层间隔设置的金属互连线,N为≥3的正整数；至少一个贯通插塞；所述N层金属互连线至少有三层互连线在高度方向上具有相互重叠部分，所述贯通插塞贯穿位于中间的互连线，并且至少三层互连线通过所述贯通插塞相互电连接。通过贯通插塞贯通连接多层金属互连线，使得工艺简单化，此外，还减少了不必要的金属互连线形成区域以及不必要过孔的占用空间，改善了工艺不良以及提高了器件的集成度，大大降低了器件的尺寸。

公开(公告)号：CN114628386A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011439150.4

申请日：2020-12-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 申靖浩 ,  李俊杰 ,  周娜

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本申请公开了一种动态随机存取存储器单元结构，包括有源区、字线、位线、和并联的两个电容器，所述有源区与所述字线组成场效应晶体管，有源区之一与所述位线电连接，有源区的另一个与所述两个电容器的一端相连接，所述两个电容器的另一端分别连接接地端。本申请实施例提供的动态随机存取存储器单元结构，并联的两个电容器并列配置，能够确保高电容特性，能够确保动态随机存取存储器单元结构所需的电容值，并且两个电容器分别位于场效应晶体管的上方和下方，优化了工艺结构，确保动态随机存取存储器单元结构保持一个较小的尺寸。

公开(公告)号：CN114613711A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202011409721.X

申请日：2020-12-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金大镇 ,  李俊杰 ,  李琳 ,  王佳 ,  周娜

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种晶圆调节装置、调节方法及半导体制造设备，涉及半导体加工技术领域，用于使晶圆相对晶圆承载台处在正确位置。该晶圆调节装置包括：用于调节晶圆相对晶圆承载台的位置。该晶圆调节装置包括：用于检测晶圆相对晶圆承载台的倾斜角度及偏移量的传感器组件。用于调节倾斜角度和/或偏移量的多个调节组件及控制器。控制器与传感器组件及多个调节组件通信连接，用于根据传感器组件检测的倾斜角度和偏移量，控制至少一个调节组件对所述晶圆的位置进行调节，以使晶圆相对晶圆承载台处在正确位置。上述半导体制造设备包括上述晶圆调节装置。上述晶圆调节方法用于上述晶圆调节装置，以使晶圆处在正确位置。

公开(公告)号：CN114551273A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202011341241.4

申请日：2020-11-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 李相龙 ,  李俊杰 ,  李琳 ,  王佳 ,  周娜

IPC: H01L21/67 ,  B25J9/12 ,  B25J9/16 ,  B25J19/00

Abstract: 本发明涉及一种尾气排除系统、排除方法及半导体设备，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中通过更换末端执行臂来防止副产物飞散到晶圆上的方式造成生产效率低下的问题。尾气排除系统包括设于末端执行臂表面的多个微孔、多支路混合腔体、控制阀和排放管线，排放管线包括位于末端执行臂内部的第一排放管线和位于末端执行臂外部的第二排放管线，多支路混合腔体上设有出气孔和多个进气孔，进气孔的数量与微孔的数量相同，微孔和进气孔之间通过第一排放管线连接，多个微孔的气体汇集于多支路混合腔体，出气孔和控制阀通过第二排放管线连接。本发明实现了从根本上防止副产物的产生。

公开(公告)号：CN114521035A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202011293519.5

申请日：2020-11-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 郑宇现 ,  周娜 ,  李琳 ,  王佳 ,  李俊杰

IPC: H05B6/10 ,  H05B6/36 ,  H05B1/02 ,  H05B3/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中晶圆间接诱导加热方式加热速度慢、加热深度不可控的问题。上述晶圆的直接诱导加热装置，包括交变磁束发生组件，利用交变磁束发生组件的交流电产生交变磁束，晶圆置于交变磁束发生组件产生的交变磁束内，置于交变磁束内的晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。上述晶圆的直接诱导加热方法，包括如下步骤：利用交流电产生交变磁束，将晶圆置于交变磁束内，晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。本发明的晶圆的直接诱导加热装置和加热方法可用于晶圆的直接诱导加热。

公开(公告)号：CN114496928A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202011254333.9

申请日：2020-11-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 姜东勋 ,  李俊杰 ,  周娜

IPC: H01L21/8242

Abstract: 本发明涉及一种电容器孔和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了如何通过SLP1/SLP2缩减孔的临界尺寸的问题。该方法包括：在半导体衬底上方顺序形成待刻蚀层、第一硬掩模层、第一转移图案层和第一光刻胶图案；将第一光刻胶图案转移至第一转移图案层；沉积第一侧墙材料层并刻蚀为第一侧墙图案；将第一侧墙图案转移至第一硬掩模层；去除第一侧墙图案的凸起并在第一硬掩模层图案上方顺序形成第二硬掩模层、第二转移图案层和第二光刻胶图案；以类似方式形成第二硬掩模层图案；第一硬掩模图案和第二硬掩模图案反相为第三硬掩模图案；以第三掩模层图案为掩模，对待刻蚀层进行刻蚀以形成电容器孔。通过控制侧墙材料层的厚度来缩减孔的临界尺寸。